上周回顾及下周分析预测

在厂家降低成本、增加产能的双重作用下，上周现货市场的Nand Flash价格继续呈现总体下跌的走势，市场气氛相对审慎，市场商家普遍看空后市，库存下降到新低。上周由于现货市场的DDR2颗粒供应得到控制并有效减少，供大于求的情况短期得以改变，上周64MbX8颗粒的价格小幅攀升，并一度上升到1.22美金，临近周末时有所走软。大陆模组市场方面由于相关部门的检查，导致市场的供应量减少，同时市场投机需求和周期性补货需求同时出现，在大陆市场局部形成供小于求的局面，DDR2模组价格迅速反弹，同样在周末出现获利回吐，价格开始走软。 由于同样的原因，导致外围市场的DDR400的需求减少，而供应相对稳定，导致上周颗粒价格维持盘整走势，模组价格则反映成本轻微上升。

上周回顾(2007.10.15-2007.10.21)

 

在厂家降低成本、增加产能的双重作用下，上周现货市场的Nand Flash价格继续呈现总体下跌的走势，市场气氛相对审慎，市场商家普遍看空后市，库存下降到新低。

 

上周由于现货市场的DDR2颗粒供应得到控制并有效减少，供大于求的情况短期得以改变，上周64MbX8颗粒的价格小幅攀升，并一度上升到1.22美金，临近周末时有所走软。

 

大陆模组市场方面由于相关部门的检查，导致市场的供应量减少，同时市场投机需求和周期性补货需求同时出现，在大陆市场局部形成供小于求的局面，DDR2模组价格迅速反弹，同样在周末出现获利回吐，价格开始走软。

 

由于同样的原因，导致外围市场的DDR400的需求减少，而供应相对稳定，导致上周颗粒价格维持盘整走势，模组价格则反映成本轻微上升。

 

下周分析预测(2007.10.21-2007.10.27)

 

DDR400：

 

总体上，上周的DRAM市场的走势较为复杂、充满变数。

 

首先由于DDR400近期的累积涨幅较大，本身就有调整的技术要求；加上近期的现货市场被海关频繁检查，部分靠非正常渠道进货的通路商家不敢进货，导致上周的需求减少。在短期DDR400供应变化不大的情况下，以上两个原因直接导致了上周DDR400颗粒价格以盘整为主，并轻微偏软。而滞后的模组价格则是继续反映前期颗粒成本的上升而轻微走强。

 

总体上而言，DDR400的需求维持在缓慢下降中，但是供应也处于下降之中。由于DDR400的价格已经明显高于相同容量DDR2的价格，未来将会加快DDR400的需求萎缩速度。在目前供求关系维持恐怖平衡的情况下，任何一方的轻微变化都会导致价格的变化。

 

结论：

 

我们对DDR400的走势维持“中性或中偏强”的研判，但是我们不认为年底前DDR400 64MbX8的价格能够涨过3.00美金，或许3美金就是天花板。未来中线64MbX8在2.50-3.00美金区间震荡盘整的机会较大。

 

如果DDR2价格维持盘整或疲软的情况下，考虑到DDR400的价格高过DDR2同容量的价格太多，我们不认为DDR400的价格在目前的情况下最高能够涨过3.00美金区间。

 

目前的价格不建议炒作DDR400。

 

下周操作建议：

 

根据上周的供求变化情况，我们操作的建议，即适当在2.50-2.70美金区间逢低吸纳，维持4-7天库存，区间顶部（2.80-3.00）逢高减磅，正常经营。

 

库存水位： 4-7天左右。

 

DDR2：

 

形势分析：

 

DDR2在8月份开始新的一轮惯性下跌后，首次于上周出现小幅反弹走势！这时比较关键和重要的！

 

大陆市场的商家方面，当品牌金士顿模组1GB DDR2价格跌破200元后，便开始有投机压货行动，在其价格接近170元后投机炒作达到了高潮，而上两周海关缉私检查成了模组价格的反弹颷升的加速剂。

 

国际市场方面，模组和DRAM厂家的颗粒库存水位依然偏高，难以在短期消化得完。颗粒价格的反弹多归功于力晶的控制出货，而非需求的改善，未来这种状况能走多远还有待观察！

 

颗粒厂家方面，产能由于70nm的良率提升而不断提高，库存压力与日俱增，尽管Hynix和Elpida高调表示暂时不向现货市场出货，但是这并不等于减产，何况只是暂时将产品屯于仓库中，未来一旦库存压力出现还是要倒向现货市场的，到时价格将会再次面临压力，因此实际效果人有待观察！

 

由于台湾主要DRAM厂家的法说会将会在下两周密集进行，相信价格暂时不会太难看。

 

结论及下周操作建议：

 

未来一周走势并无太大悬念，继续上扬的机会并不大，但是小幅下跌的机会也不大，在1.20美金附近区域维持盘整的机会较大！未来的走势将会在下个月明朗，但是总体而言，目前的价格已经接近底步区域，只是未来的反弹力度有多大就难讲！

 

操作建议：合理库存，正常经营！

 

Nand Flash：

 

总体而言，Nand Flash供应开始逐步增大，这主要源于主要DRAM厂家的产能和制程的提升的大幅增加；而厂家成本的下降也正在产品下降的价格中得到反映。目前厂家可能更乐见于价格的下跌，因为只有这样才会带动和催生新的应用产品的诞生和老产品的容量提升。

 

需求面，由于近期Nand Flash在应用方面没有的革命性产品出现，近期的需求主要以更新换代和周期性容量提升为主，因此相信未来一段时间内，为了应映成本的下跌和产能的提升，Nand Flash的价格将会继续维持下跌周期中，即下跌通道中，未来总体价格将会呈现震荡下跌走势，任何反弹也将是暂时的。

 

Nand Flash按容量计算的需求增长也同时处于高速增长中。这其中包含产品容量的不断提升、产品的更新换代、原来没有采用Flash的老产品开始采用Flash设计和新产品的不断诞生。

 

尽管我们暂时看空未来一段时间的价格走势，但是这并不妨碍我们看好未来的Nand Flash发展和成长。未来几年内，消费品市场中的主要应用产品都将会与Flash沾边。因此可以说，Flash将是推动需求的一个引擎并不为过。

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都是暂时的。值得注意的是目前的商家的库存基本处于空仓状态。

 

预计8Gb MLC颗粒的价格将会跌进4美金以内，16Gb将会成为市场主流，同时32Gb将会在高容量产品中被普遍采用。

 

我们对长线的走势持“偏空”的研判；短线这继续维持“偏空”研判。目前的价格已经处于下降通道中。

 

操作建议：

 

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场的炒作气氛浓厚，由于零星利好消息出现，而价格又较低，市场炒作开始抬头，商家对后市的看法开始转变，炒作指数上升，在80分水准（满分100分）。市场关注指数上升到85分水平，市场需求总体仍处于正常季节水准，成交量维持到80分水平左右。

 

Nand Flash的关注度仍维持80分以上的水平，市场的炒作气氛继续萎缩，终端需求正常，成交量维持在75-80分水准，价格仍处于下降通道之中。

 

 

下周内存价格走势预测

 

 

 

下周DRAM颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）