上周双重回顾及下周分析预测
尽管在供应端的总体供应也并不多情况下,近期部分规格的Nand Flash价格出现了反弹,但是无奈市场目前已经进入淡季,需求明显萎缩,上周市场气氛明显谨慎,临近周末价格时价格开始有走软迹象。在128MbX8颗粒的价格大幅下跌的带动下,上周的DDR2价格整体继续走软。128MbX8的大幅下挫预示着这一规格的颗粒即将进入主流时代,也预示着2GB模组即将大量上市。 DDR400方面,由于32MbX16颗粒供应量持续加大,导致DDR400的价格持续走软,整体颗粒价格就维持轻微小幅下跌的走势;而模组价格也开始同步下调。
上周回顾(2007.11.05-2007.11.11)
尽管在供应端的总体供应也并不多情况下,近期部分规格的Nand Flash价格出现了反弹,但是无奈市场目前已经进入淡季,需求明显萎缩,上周市场气氛明显谨慎,临近周末价格时价格开始有走软迹象。
在128MbX8颗粒的价格大幅下跌的带动下,上周的DDR2价格整体继续走软。128MbX8的大幅下挫预示着这一规格的颗粒即将进入主流时代,也预示着2GB模组即将大量上市。
DDR400方面,由于32MbX16颗粒供应量持续加大,导致DDR400的价格持续走软,整体颗粒价格就维持轻微小幅下跌的走势;而模组价格也开始同步下调。
下周分析预测(2007.11.12-2007.11.18)
DDR400:
未来DDR400的需求将会以不可逆转的态势萎缩,因为DDR2和DDR1两者之间过大的差价已经严重抑制了DDR400本身的需求,目前DDR400需求已明显向DDR2转移,上周的情况再次证明了这点。
DDR400供应面方面,64MbX8的颗粒供应依然紧绷,但是由于Hynix加大了32MbX16颗粒的供应,致使其价格出现明显下跌,由前期的2.55美金附近跌至2.30美金附近。
在32MbX16颗粒价格持续下跌的带动下,包括64MbX8在内的DDR400颗粒和模组价格全面开始出现松动,价格也开始走软,显示出两者价格的制约关系。我们研判32MbX16的供应突然增大应是转产的效应。
结论:
我们对DDR400的中线走势维持“中性或中偏软”的研判。我们对原来11月底前DDR400 64MbX8的价格价格区间上限由3.00美金修改为2.75美金;但是同时我们维持DDR400的价格在11月底前不会跌破2.40美金。未来11月份64MbX8在2.40-2.75美金区间震荡盘整的机会较大。
DDR400的上升势头已经结束了,目前的价格也不建议炒作DDR400。
下周操作建议:
DDR400的颗粒价格在2.70美金附近区间已经明触顶,未来再上升的空间和机会均不大。
建议操作上采取审慎态度,短期继续维持轻微走软或盘整的机会偏大。
库存水位: 2-4天左右。
DDR2:
形势分析:
市场总体情况并未改观,供应端压力依然偏大,需求端无论国内还是欧美市场均维持疲软态势。64MbX8颗粒的价格跌破1美金后,未能及时反弹,说明了目前的走势依然维持在下降通道中,这一情况并未改变。
欧美需求由于美国次级房贷问题产生的负面影响,已经影响到消费端的消费意愿,总体需求并不理想。
另外,尽管Vista已经上市多时,但是目前的消费者经验丰富,普遍更愿意再等等看,等到相关的兼容问题均已经解决后再考虑是否更换电脑,何况目前似乎并看不出Vista有多大的不同和即时更换的必要性,因为消费者认为目前的电脑已经足够快了!
跌破1美金后,部分DRAM厂家会开始出现一点积极的变化,包括将部分产能向Nand Flash和利基型部分转换,但是由于这两个部分产能原来基本能够满足市场需求,因此转产的力度有限,考虑到制程转换带来的增长,基本上这种转换可以忽略,真正意义的减产行动就暂时还是看不到。
由于目前的厂家均以积极提升制程和良率为首要目标,按照正常的生产周期和制程提升的过程来讲,在年底前出现的减产的机会不大。
随着70nm良率的逐步提升和量产,128MbX8颗粒开始大量上市,价格也明显下挫,截至上周为止,128MbX8 eTT的颗粒价格已经接近2倍64MbX8 eTT的价格,说明这一新一代的颗粒即将进入市场的主流地位。
结论及下周操作建议:
总体而言,目前的价格已经接近底部区域,只是未来的反弹力度有多大及何时反弹还难以判断而已!基本上年底前大幅反弹的希望目前来看机会渺茫!
从技术和过往的经验的角度来看,目前的底部盘整不会很快结束的,预计持续的时间在3-8个月以内。
但是相信随着价格的持续破底,尤其是跌破1美金整数关卡后,将会催促DRAM厂家开始考虑作出相应的应变决定,我们原来预测的3-8个月盘整时间将会有缩短的机会。
未来一周的64MbX8 eTT颗粒价格将会继续测试0.90美金的支撑力,相信在未来一周0.90-1.00美金区间盘整的机会偏大。需要注意的是,由于目前的价格较低,随时都会有短暂的反弹机会,总体的下跌空间也不大了,但是反弹的空间也不大。
操作建议:3-7天合理库存,正常经营!
Nand Flash:
上周的Nand Flash的价格反弹开始明显滞涨,尽管上游的出货数量并不多,但是由于目前的圣诞采购已经结束,仅靠现货市场的订单显然还是不足以支撑价格的继续上升,临近周末时价格开始有所走软。
目前现货市场的需求整体一般,这主要由于现货市场的Nand Flash需求仍以手机、移动手持终端、各种卡和媒体播放器(MP4和MP3等)为主。而且相当一部分媒体播放器的Nand Flash又以白板的颗粒为主。因此对大容量的Nand Flash需求相对要小。
得益于智能手机市场的快速成长,手机用卡的需求强劲,而手机用的卡多主要采用Micro SD(TF)卡。目前的Micro SD卡已经成为手机市场的主流卡,而且由于大陆市场的黑牌手机市场的快速成长,随机赠送的低容量白牌Micro SD卡的需求巨大。但是需要说明的是由于对生产技术要求较高,目前的Micro SD卡基本都是台湾的产品。
下周的价格将是比较关键,未来一周的Nand Flash的价格或将会决定今后未来一段时间的Nand Flash的走势。
结论:
Nand Flash的价格下周总体继续维持盘整或是偏软走走势即下跌走势机会偏大,并继续维持在下降通道中,任何反弹都是暂时的。
我们对11月份的整体的走势持“偏空”的研判;短线这继续维持“中偏空”研判。
操作建议:
操作上建议正常经营为主,目前的形势下不建议盲目追高或投机。
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场的炒作气氛维持低点,但是由于价格便宜,市场的零星投机行为时有出现,商家对后市的看法基本上维持偏悲观的看法,炒作指数下降到55分水准(满分100分)。市场关注指数下降到75分水平,市场需求总体仍处于正常季节水准,成交量维持到75分水平附近,目前市场处于供大于求状态。
上周Nand Flash的关注度维持75分附近,市场的炒作气氛有所收敛,终端需求正常,成交量维持在75分水准,整体价格价格有触顶迹象。
下周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
1GB DDR2 667 |
135-160 |
弱势区间盘整走势 |
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Hynix兼容条 |
512MB DDR400(64MbX8颗粒) |
155-168 |
轻微偏软走势 |
下周DRAM颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
UTT、eTT |
512Mb DDR2 667 |
USD0.90-1.05 |
弱势区间盘整走势 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD2.45-2.55 |
轻微偏软或盘整走势 |
(史军执笔,仅供参考)






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