上周回顾及下周分析预测

尽管前几周Nand Flash价格出现反弹，但是淡季效应下，其走势并未脱离下降通道。由于市场的需求疲弱，商家普遍较为审慎，供应端压力开始增加，反弹后的部分型号的价格也已经出现松动！在大陆现货市场低强度投机炒作的带动下，金士顿DDR2价格出现轻微的超跌反弹，外围市场的颗粒价格也有不明显的反映，但是供应端充足的供应无情的将一丝的反弹苗头给扑灭在了萌芽之中。 DDR400方面，64MbX8颗粒供应继续紧张，下跌后的价格开始回升；而32MbX16的价格则由于供应充足而继续走软。而模组价格与相应的颗粒价格维持同步的走势。

 

上周回顾(2007.11.12-2007.11.18)

 

尽管前几周Nand Flash价格出现反弹，但是淡季效应下，其走势并未脱离下降通道。由于市场的需求疲弱，商家普遍较为审慎，供应端压力开始增加，反弹后的部分型号的价格也已经出现松动！

 

在大陆现货市场低强度投机炒作的带动下，金士顿DDR2价格出现轻微的超跌反弹，外围市场的颗粒价格也有不明显的反映，但是供应端充足的供应无情的将一丝的反弹苗头给扑灭在了萌芽之中。

 

DDR400方面，64MbX8颗粒供应继续紧张，下跌后的价格开始回升；而32MbX16的价格则由于供应充足而继续走软。而模组价格与相应的颗粒价格维持同步的走势。

 

下周分析预测(2007.11.19-2007.11.25)

 

DDR400：

 

上周的DDR400的需求继续呈现萎缩后的疲软态势，也再次验证了这一萎缩过程不可逆转性，究其原因表面是DDR2和DDR1两者之间过大的差价造成的，深层次则是电脑内存代次更迭的正常周期使然。一般情况下，电脑的内存换代的两代的相持时间一般大约有一年至两年的时间，DDR2和DDR1的换代已经有1年半的时间了，目前已经进入相持阶段的后半程，即快速淘汰期。

 

我们注意到，DDR400供应面方面，64MbX8的颗粒供应依然紧绷，因此上周的64MbX8的价格出现了合理反弹；但是由于Hynix加大了32MbX16颗粒的供应，致使其价格继续走软，已经跌倒2.20多美金区域。

 

总体而言，上周DDR400品牌模组的价格变化不大，这主要源于其多是采用64MbX8颗粒制作的；但是兼容内存条和少数品牌的DDR400价格的价格下跌则较多是反映了32MbX16颗粒的价格下跌。

 

展望未来一周的情况，我们预计，总体情况不会有任何改变，基本会维持目前的态势。

 

结论：

 

我们对DDR400的中线走势维持“中性或中偏软”的研判。上周的走势说明，在32MbX16的价格疲软的情况下，64MbX8颗粒价格也难有所表现。

 

我们维持11月底前DDR400 64MbX8的价格价格区间上限为2.75美金和月底前不会跌破2.40美金的研判。也就是说未来11月份64MbX8在2.40-2.75美金区间震荡盘整的机会较大。

 

目前的价格也不建议炒作DDR400。

 

下周操作建议：

 

DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整走势机会较大，但是采用32MbX16颗粒的模组的价格维持偏软走势的机会较大。

 

建议操作上采取审慎态度，短期继续维持轻微走软或盘整的机会偏大。

 

库存水位： 2-4天左右。

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上周的市场总体情况仍未改观，供应端压力依然偏大，需求端无论国内还是欧美市场均维持疲软态势。

 

在128MbX8大量量产的情况下，短期64MbX8颗粒的价格难以有所表现。由于128Mb颗粒价格总体要好于64MbX8颗粒价格的情况，相信未来一周的128MbX8颗粒价格将会继续下跌，直至跌破2倍于64MbX8价格为止。

 

由于目前的厂家均以积极提升制程和良率为首要目标，按照正常的生产周期和制程提升的过程来讲，在年底前出现的减产的机会不大，相信未来一周的颗粒价格将会以128MbX8为下跌主力，直到这个规格的颗粒成为市场主流为止。

 

DRAM厂家方面，进入11月份厚，随着70nm良率的逐步提升和量产，128MbX8颗粒已经开始大量上市，价格持续下挫，截至上周为止，128MbX8 eTT的颗粒价格已经极为接近2倍64MbX8 eTT的价格，说明这一新一代的颗粒即将进入市场的主流地位，我们有理由相信未来一周1Gb颗粒的价格将会便宜过两倍512Mb颗粒的价格，这将是非常具有历史意义的一周。

 

上周的情报显示，跌破成本价后，工厂方面的压力很大，但是并未减产，只是采取了一些节约成本的作法，直接卖Wafer，省去后段费用，这样就能够少亏一点。又如减少测试时间等等办法。总而言之，这些方法都是对价格的下跌没有实质改善的方法，相反还会加快价格的下跌！

 

模组厂方面，情报显示模组厂总体亏损严重，只是进入到11月开始，尽管下跌减缓，但是由于品牌模组厂家的激烈竞争，模组的价格下跌却快于颗粒的价格速度，模组厂家依然处于痛苦煎药中。台湾品牌模组厂家劲永就宣布逐步淡出DRA就是一例。

 

结论及下周操作建议：

 

就目前的价格而言，价格已经处于底部区域，只是未来的反弹力度有多大及何时反弹还难以判断而已！基本上我们研判年底前大幅反弹的机会渺茫！

 

从技术和过往的经验的角度来看，目前的底部盘整不会很快结束的，预计持续的时间在3-8个月以内。

 

但是相信随着价格的持续破底，尤其是跌破1美金整数关卡的成本价后，将会催促DRAM厂家开始考虑作出相应的应变决定，如果这样的话，我们原来预测的3-8个月盘整时间将会有缩短的机会。

 

未来一周的64MbX8 eTT颗粒价格将会继续测试0.90美金的支撑力，并有机会跌破0,90美金。相信在未来一周0.85-0.95美金区间盘整的机会偏大。需要注意的是，由于目前的价格较低，随时都会有短暂的反弹机会。但是尽管总体的下跌空间不大了，但是反弹的空间也不大。

 

操作建议：3-7天合理库存，正常经营！

 

Nand Flash：

 

临近月底，厂家的压力正在逐步增大，Nand Flash的价格反弹走势也濒临破产的命运。

 

尽管上游的出货数量并不多，但是由于目前的圣诞采购已经结束，仅靠现货市场的订单显然是不足以支撑价格的持续上扬，上周临近周末时价格又开始走软，预示着Nand Flash价格仍旧维持在下降通道之中。

 

现货市场方面，众多商家明显已经提前进入年底前的保守操作期，对后市普遍持谨慎态度，交易明显不活跃，也直接导致现货市场的货存水位偏低，这是因为过去的教训而采取的自我保护措施。

 

上游通路方面，根据目前了解的情况来看，市场主要通路也明显开始收手，降低库存或维持最低交易库存，这也导致现货市场的现货偏少。

 

以上两个低库存原因直接导致了近期的恶性杀低价格出货的现象近乎绝迹，价格似乎有回暖的假象。

 

Nnad Flash厂家方面，目前正在积极扩产或提升制程，未来几个月Nnad Flash产能将会持续增加、成本将会逐步下降、但是需求将会进入淡季。

 

目前的现货市场情况是一方面产能增加，另一方面OEM需求减少，这都将导致现货市场的供应将会增大。基于上述原因，我们研判未来几个月的Nand Flash价格将是易跌难涨。

 

前期部分型号的价格反弹并趋稳很大程度上是由于市场近期一致看空后市，倒空库存后的合理反应的结果。

 

另外，业界寄以厚望的SSD（固态硬盘），在64Gb Nand Flash成为主流前，由于成本等原因短期难以有所作为，或许只是某些高档奢侈品或有特殊安全要求的产品的专享配件！

 

结论：

 

Nand Flash的价格下周总体继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都是暂时的。

 

我们对11月份的整体的走势维持“偏空”的研判；短线这继续维持“中偏空”研判。

 

操作建议：

 

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场的炒作气氛有所上升，但是由于价格企稳，市场出现低强度的投机行为，商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，炒作指数上升到65分水准（满分100分）。市场关注度上升到80分水平，市场需求总体仍处于正常季节水准，成交量维持到78分水平附近，目前市场处于供大于求状态。

 

上周Nand Flash的关注度维持75分附近，市场的炒作气氛有所收敛，终端需求正常，成交量维持在75分水准，整体价格价格又开始滑落。

下周内存价格走势预测

 

 

 

下周DRAM颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）