上周回顾及下周分析预测

Nand Flash的价格继续维持在下降通道之中，上周总体价格呈现缓跌走势，市场的需求开始下降，供应充足，市场的气氛极为谨慎，价格的明显下跌或许出现在将来的某个时间。由于欧美市场针对旺季的OEM采购需求早已经结束，而大陆现货市场的需求近期突然萎缩，在供应稳步增长的情况下，上周DDR2的价格继续下探，继跌破0.90美金后，在近期DRAM厂家减产无望的情况下，市场气氛极度悲观，周末又重挫至0.82美金附近。 DDR400方面，上周64MbX8颗粒供应维持紧张，价格回升到2.60美金附近盘整；而32MbX16的价格也同时受到供应减少影响回升至2.30美金附近盘整。整体上DDR400依旧维持在既有的区间内盘整。

上周回顾(2007.11.19-2007.11.25)

 Nand Flash的价格继续维持在下降通道之中，上周总体价格呈现缓跌走势，市场的需求开始下降，供应充足，市场的气氛极为谨慎，价格的明显下跌或许出现在将来的某个时间。

 由于欧美市场针对旺季的OEM采购需求早已经结束，而大陆现货市场的需求近期突然萎缩，在供应稳步增长的情况下，上周DDR2的价格继续下探，继跌破0.90美金后，在近期DRAM厂家减产无望的情况下，市场气氛极度悲观，周末又重挫至0.82美金附近。

 DDR400方面，上周64MbX8颗粒供应维持紧张，价格回升到2.60美金附近盘整；而32MbX16的价格也同时受到供应减少影响回升至2.30美金附近盘整。整体上DDR400依旧维持在既有的区间内盘整。

 下周分析预测(2007.11.26-2007.12.02)

 DDR400：

 上周的DDR400的价格呈现反弹走势，这反映出其的产能仍旧和需求维持动态平衡；而价格总体还是较前期有所下降，说明DDR400的需求已经呈现下滑势头，并且这个下滑趋势将不可逆转，同时也说明其实供应也在减少。

 我们有理由相信，在DDR2价格持续下跌的影响下，在进入淘汰末期的情况下，未来市场的DDR400的需求将会加速下滑，但是这并意味着价格也会大幅下跌，因为供应也会逐步减少的。

 结论：

 我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。

 我们维持12月底前DDR400 64MbX8的价格价格区间上限为2.75美金和12月底前不会跌破2.40美金的研判。也就是说未来11月份64MbX8在2.40-2.75美金区间震荡盘整的机会较大。

 目前的价格也不建议炒作DDR400。

 下周操作建议：

 DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整或轻微走软走势机会较大。

 库存水位： 2-4天左右。

 DDR2：

 形势分析：

 实际上这段评述已经很难写出什么新意了，似乎DRAM已经进入了死胡同或者一条不归路，难道市场是错的吗？尽管业者不相信，但是在现实世界里确实市场总是错的！

 上周的市场总体情况仍未改观，供应端压力依然偏大，需求端无论国内还是欧美市场均维持疲软态势。

 在128MbX8大量量产的情况下，短期64MbX8颗粒的价格难以有所表现。由于128Mb颗粒成本相对而言要明显好于2倍于64MbX8颗粒的成本，相信未来一周DRAM厂家将会继续主力推动1Gb颗粒成为市场主流，128MbX8颗粒价格也将会继续下跌，直至跌破2倍于64MbX8价格为止（上周还是没有彻底跌破）。

 DRAM 价格不断破底，不仅台湾DRAM制造厂力晶、南科及茂德等已面临连续两季亏损窘境，DRAM 模组厂营运也面临沈重压力，纷纷向DRAM厂喊话，表示减产才有助于价格止跌反弹。

 只是DRAM制造厂认为，减产可行性低。根据调查目前 DDR2 512Mb 667MHz品牌颗粒现货价已跌破1美元大关，滑落至0.94美元，今年来跌幅高达85%；DDR2 512Mb eTT均价更是滑落至0.82美元，今年来跌幅也达84.5%，下跌幅度远超乎各界预期。

 随着产品价格急遽滑落，力晶、南科及茂德等台湾三大DRAM厂，第二、三季共亏损约新台币170亿台币，预料第四季仍将难逃亏损窘境，估计三家DRAM厂恐再亏损100 亿台币。

 面对低迷的DRAM市况，台湾DRAM模组大厂威刚董事长陈立白多次公开向DRAM厂喊话，盼能仿效面板厂进行减产，如此才能有助于 DRAM价格于明年3月底前反弹。

 对于模组业者的减产呼吁，台湾DRAM龙头厂力晶副总经理暨发言人谭仲民表示，从目前状况来看，业界仍无计划减产的迹象，如果DRAM市况继续再坏一段时间，业者才有可能开始考虑减产。谭仲民说，除了员工问题外，毕竟折旧是DRAM厂最大的成本负担，所占比重高达5成，如力晶今年折旧金额估计将高达300亿台币，也因此DRAM厂才会忍痛继续亏损生产，以摊提折旧费用。

 一位不愿具名的业者表示，DRAM厂联合减产事涉敏感，因为恐有涉及操控价格的嫌疑，未来甚至可能面临钜额赔偿，南韩记忆体大厂三星过去即曾因涉及操控DRAM价格，而支付多达9000万美元的赔偿金。此外，DRAM厂若要关厂一段时间，期间公司工程师及作业员等如何安排也是一大问题，因此业者说，8 寸DRAM厂因不敷成本压力，退出标准型DRAM生产或许可行，至于12寸DRAM厂关厂停产可行性则相当低。业者表示，为改善DRAM市场供需情况，最可行的方法是将部份DRAM产能移转生产NAND Flash等其他产品；只是当前DRAM市场竞争激烈，各厂家无不积极抢占市占率，因此国际DRAM大厂是否愿意担负市占率滑落的代价，将产能移转生产其他产品，仍待观察。

 结论及下周操作建议：

 就目前的价格而言，尽管价格持续破底，并已经处于底部区域，但是未来何时反弹以及反弹力度有多大还难以判断而已！基本上我们维持研判年底前大幅反弹的机会渺茫！从技术和过往的经验的角度来看，目前的底部盘整不会很快结束的，因为目前尚未筑底成功，预计未来持续盘整的时间将会在在3-7个月以内。

 相信随着价格的持续破底，尤其是未来跌破0.75美金整数关卡的后，将会催促DRAM厂家开始考虑作出相应的应变决定。基于即将又度过了一个月原因，我们将原来预测的3-8个月盘整时间缩短为3-7个月。

 未来一周的64MbX8 eTT颗粒价格将会继续测试0.80美金的支撑力，并有机会跌破0.80美金。相信在未来一周0.75-0.85美金区间盘整的机会偏大。需要注意的是，由于目前的价格较低，随时都会有短暂的反弹机会。但是尽管总体的下跌空间不大了，但是反弹的空间也不大。

1Gb颗粒将会有效跌破1.70美金，并冲击1.60美金，相信跌破1.60美金的机会有但是可能要反复，价格跌倒1.55-1.65美金之间的机会偏大。

 最后，讲一句，512Mb DDR2颗粒实际上已经被淘汰！只是目前还在清仓而已！

 操作建议：3-5天合理库存，正常经营！

 Nand Flash：

 上周总体MLC Nand Flash的价格继续维持缓跌走势，这一走势并未因为前期的价格反弹而改变。

 Nand Flash市场近期气氛相当平静，11月下旬NAND Flash合约价持平开出，主流规格8Gb晶片的容量没有太大变化。下游模组厂指出，近期NAND Flash产品需求不错，但因为上游50奈米制程的NAND Flash供给越来越多，目前NAND Flash维持在这个价位已经算不错了，惟12月苹果(Apple)对于NAND Flash采购量将减少约50%，届时价格将承受回档压力。

 11月下旬主流规格8Gb晶片的合约价格持平，目前平均价格约5美元，16Gb晶片微幅下跌1~5%，平均价格约10.32美元，而SLC型的NAND Flash晶片由于生产者相当少，目前合约价较MLC型的晶片贵上2倍。

 记忆体模组厂指出，近期NAND Flash相关产品买气其实不错，尤其是在随身碟和日前供给逐渐纾缓的microSD卡上。

 下游厂进一步表示，虽然终端需求不差，但由于NAND Flash晶片产出大增，尤其第4季在50奈米制程上，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)等步入量产，因此11月的NAND Flash价格能维持在这种水位，算是相当不错。

 惟随着步入12月传统淡季，根据记忆体厂商指出，苹果对于NAND Flash的备货，将较过去高峰水准减少约50%，主要是在欧美圣诞节采购旺季过后，将步入第1季消费性电子的传统淡季期，因此苹果开始缩减下单量，因此大家对于12月后的NAND Flash价格感到相当忧心。

记忆体厂商指出，目前产业上、下游都在为固态硬碟(SSD)市场布局，认为这是未来NAND Flash产出最大，且消耗容量最多的一块应用，但以目前的NAND Flash价格来看，固态硬碟的价格根本不具竞争力，尤其是目前固态硬碟只能用成本较高的SLC晶片生产。

 记忆体厂进一步指出，未来固态硬碟市场要崛起，势必要再经历一番价格大跌的洗礼，年底~2008年初这段时间，50奈米制程大量产出，应该会是价格的大修正期，但这样的结果是短空长多，其实有助于产业的长期发展。

 结论：

 由于11月份Nand Flash的价格意外反弹，总体上11月份价格实际下跌幅度不大，但在厂家产能持续开出、导入50nm制程后成本明显下降和需求萎缩的情况下，我们预料11月余下时段和12月份供求关系将会有加速恶化恶化的趋势。

 受季节性因素影响，NAND Flash的价钱明年第一季出现大幅下滑的可能性偏大，但这对整体产业是正面的，因为有多家公司8寸厂的比重很高，预期生产NAND Flash的8寸厂在明年年中会逐渐退休。

 Nand Flash的价格下周总体继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都是暂时的。

 我们对12月份的整体的走势持“偏空”的研判；短线这继续维持“中偏空”研判。

 操作建议：

 操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机，尤其从现在开始操作上要极为审慎。

 上周市场情况汇总：

 上周的DRAM市场的炒作气氛有一次下滑，但是由于价格明显下挫，尽管仍有资金入市投机，但总体市场投机行为接近基本冻结，商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，炒作指数下降到55分水准（满分100分）。市场关注度上升到90分水平，市场需求总体略低于正常季节水准，成交量维持到75分水平附近，目前市场处于供大于求状态。

 上周Nand Flash的关注度维持75分附近，市场的炒作气氛有所收敛，终端需求正常，成交量维持在75分水准，整体价格价格继续滑落。

 

 

 

下周内存价格走势预测

 

 

 

 

下周DRAM颗粒价格走势预测

 

 

（史军执笔，仅供参考）