上周回顾及下周分析预测

Nand Flash的价格继续维持在下降通道之中，没有机会改变。上周总体价格继续呈现缓跌走势，市场的需求一般，供应相对充足，价格正在应映成本的下降，市场的气氛极为谨慎。月底效应下，上周DDR2的价格先跌后稳。由于市场需求疲软，尽管月底出现一定的短线投机盘，价格未能顺势上扬多少，显示未来市场可能需要继续调整消化其庞大的库存和修复被重创的商家心态。DDR400方面，明显受到DDR2价格持续走软和其本身需求萎缩的影响，无论64MbX8还是32MbX16价格全面走软，显示整体上DDR400的需求已经进入淘汰末期，并有可能跌破前期形成的区间。

上周回顾(2007.11.26-2007.12.02)

Nand Flash的价格继续维持在下降通道之中，没有机会改变。上周总体价格继续呈现缓跌走势，市场的需求一般，供应相对充足，价格正在应映成本的下降，市场的气氛极为谨慎。

月底效应下，上周DDR2的价格先跌后稳。由于市场需求疲软，尽管月底出现一定的短线投机盘，价格未能顺势上扬多少，显示未来市场可能需要继续调整消化其庞大的库存和修复被重创的商家心态。

DDR400方面，明显受到DDR2价格持续走软和其本身需求萎缩的影响，无论64MbX8还是32MbX16价格全面走软，显示整体上DDR400的需求已经进入淘汰末期，并有可能跌破前期形成的区间。

下周分析预测(2007.12.03-2007.12.09)

DDR400：

近期DDR400价格的震荡加剧，尽管其的产能仍旧和需求维持恐怖的动态平衡，但随着时间的推移和需求的下降，似乎供应已经开始有轻微大过需求的迹象出现。

客观上11月份DDR400的价格还是较前期有所下降，无疑也从一个方面说明DDR400需求已经下滑，目前看来这个下滑趋势已经呈现不可逆转的态势。由于下滑的速度缓慢，也说明其实应端厂家不多并能够有效控制价格的现实。

我们有理由相信，在DDR2价格持续下跌的影响下，DDR400在进入淘汰末期的情况下，未来市场的DDR400的需求将会加速下滑，但是这并意味着价格也会大幅下跌，因为供应也会同步逐步减少，但是需求的下滑将是不可避免的。

与DDR2不同的是DDR400会有一个底线而已，即成本底线，跌破的这个成本区的机会渺茫。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中偏软”的研判。

目前的价格也不建议炒作DDR400。

操作建议：

DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整或轻微走软走势机会较大。库存水位： 2-4天左右。

DDR2：

形势分析：

目前的DDR2价格无疑是处于超跌状态，如果从成本的角度分析，无疑会得出许多与事实不符的错误结论！

许多会员不断地再问，底部在哪里？最低价格是什么价？我要讲的是，没有最低，只有更低！

为什么？因为目前的DDR2的市场游戏已经进入1Gb对512Mb的绞杀阶段，是一场非对称“战争”，目前以1Gb为主的厂家想将以512Mb为主的厂家击垮！因为双方在成本上的巨大差异使得前者决不会在游戏还刚刚开始就收手的！

上周的DDR2价格周初继续下跌，Mira eTT 512Mb颗粒的价格最低跌到0.77美金后，轻微反弹至0.80美金附近展开盘整，周末价格持稳。
受此影响，现货市场再次出现低强度的投机活动。据我们的了解，投机活动主要集中在盘商层面较多。现在部分盘商认为目前的颗粒价格已经较低，在月初压力不大和未来下跌空间相对不大的情况下，可以适当作短线投机。实际上他们多也不太看好长线或者对反弹没有把握，基本上也是基于短线炒作的思维。

大陆现货市场方面，市场的总体需求维持在平均水准以下，较往年偏低。品牌内存的价格基本处于一个狭窄的区间内，二三线品牌内存的价格交织在一起，形成各卖各的现状，这种情况无疑对于那些强势品牌较为有利。

根据中国IC交易网的调查显示，临近年底品牌内存的市占率正在向强势品牌逐步集中；而弱势品牌的市占率正在萎缩。当某些品牌的市占率萎缩到一个临界值时，退出将会是他们的必然选择！

12月的DDR2市场的特点将是DDR2 800的模组价格大幅下降，并将会与DDR2 667的模组的价差大幅缩小到合理水平，就是说两者的价差应该不会大于5元钱。DDR2 800的模组市场开始进入启动阶段，DDR2 667模组的销量开始缓慢下降。

结论及下周操作建议：

短线（下周）而言：

1) 未来一周64MbX8 eTT颗粒价格将会继续测试0.80美金的支撑力，并有机会跌破0.80美金，如果不出现超跌反弹的话，相信在未来一周0.75-0.80美金区间盘整的机会偏大。

2) 需要注意的是，由于目前的价格较低，随时都会有短暂的反弹机会。尤其是目前市场内弥漫着这样一种观点，即相对上升空间而言，下跌空间有限的思维。一些投机盘蠢蠢欲动，因此我们不排除月初的投机需要拉升价格的可能性。但是我们认为这是短线的，如果这样的话，价格则会维持在0.79-0.87美金区间盘整的可能性较大。未来一周1Gb颗粒的价格在1.50-1.70之间震荡的机会较大。

操作建议：波段操作，逢低3-5天左右的合理库存，正常经营！

Nand Flash：

上周总体MLC Nand Flash的价格继续维持下跌走势，这一走势并未有任何改变，只是跌速有所加快，这很大程度上是由于前期的反弹后形成的补跌效应。

随着时序进入12月份，Nand Flash的价格面临的压力越来越大的，尤其是高阶型号。

需求方面，OEM方面由于欧美市场的季节性原因维持萎缩态势；现货市场方面，由于市场没有新的热点产品出现，基本上维持常规的容量增长；而目前高速增长的手机卡和数码相机卡方面，已经接近高速增长期末端。尤其市场热销的MicroSD（TF）卡由于台湾DRAM厂家的介入，价格坚冰被打破，价格迅速下滑。

DRAM厂家已经陆续导入50nm制程，成本大幅下降，为了刺激并启动包括SSD在内的新的需求，未来Flash的价格将会维持震荡下跌走势，这个是难以改变的，尤其是32Gb和16Gb容量的颗粒的价格。8Gb颗粒将会逐步被边缘化，但是由于其容量能够满足大多数的低端产品需求，不会很快被淘汰的。

结论：

受季节性淡季因素和DRAM厂家将部分DRAM产能转产NAND Flash的影响，未来Nand Flash的价钱继续下滑的可能性偏大，但这对整体产业是正面的。

Nand Flash的价格在下周总体继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都是暂时的。

我们对12月份的整体的走势持“偏空”的研判；短线也继续维持“中偏空”研判。

操作建议：

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机，尤其从现在开始操作上要极为审慎。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的炒作气氛维持低迷，但是由于价格明显下挫，目前又有小部分资金蠢蠢欲动，但总体市场投机行为维持低迷，商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，炒作指数下降到55分水准（满分100分）。市场关注度维持高位，市场需求总体略低于往年的正常季节水准，成交量维持到75分水平附近，目前市场处于供大于求状态。

上周Nand Flash的关注度维持75分附近，市场的炒作气氛季度收敛，终端需求正常，成交量维持在75分水准，整体价格价格继续滑落。

 

下周内存价格走势预测

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 667 8C	115－140	轻微下跌或盘整走势
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	150－165	轻微偏软或区间盘整走势

下周DRAM颗粒价格走势预测

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 667	USD0.75-0.85	轻微下跌或弱势盘整走势
UTT、eTT	1Gb DDR2 667	USD1.45-1.65	轻微下跌或弱势盘整走势
Hynix	512Mb DDR400	USD2.35-2.55	区间盘整走势