上周回顾及下周分析预测

月初效应下，上周DDR2的价格急升后又急跌，显示市场需求疲软和商家的短线思维，价格的上升完全是投机炒作使然。市场的库存水位依然偏高，短线仍会持续探底，没有减产前短期反转的机会渺茫。

Nand Flash的价格继续维持在下降通道之中，上周总体价格继续呈现缓跌走势，市场的需求一般，供应相对充足，价格正在应映成本的下降，市场的气氛极为谨慎，价格依旧维持在下降通道中，没有机会改变。

DDR400方面，价格继续维持区间盘整走势，价格中枢就相对前期就有所下降，总体而言供需就维持动态平衡，但是DDR400的需求就维持下降，并且速度略微快于供应的减慢速度。

下周分析预测(2007.12.10-2007.12.16)

DDR400：

由于DDR400供应有限，供求关系维持基本平衡，价格基本上受控于上游厂家。鉴于此，未来一段时间DDR400的供需仍会维持供求恐怖的基本平衡。但是由于需求的下降，客观上DDR400的价格中枢还是会较前期有所下降。

在DDR2价格持持续维持低迷的情况下，而DDR400也已进入淘汰末期的情况下，未来市场的DDR400的需求将会加速下滑，这将对DDR400的价格产生压力，但是这并意味着价格也会大幅下跌，因为供应也会同步逐步减少，厂家目前完全控制着供应量的大小。

总体而言，双方会将价格维持在成本线以上，就目前而言，DDR400 64MbX8颗粒在1月底前会使春节前跌破2.00美金的机会渺茫。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。

我们将12月底前DDR400 64MbX8的价格价格区间上限由2.60美金下调为2.50美金和下限维持不变仍为2.20美金。也就是说未来11月份64MbX8在2.20-2.50美金区间震荡盘整的机会较大。

下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中性或中偏软”的研判。

下周操作建议：

DDR2：

形势分析：

如果单从DDR2的变动成本的角度分析，目前的DDR2价格无疑是处于超跌状态！只是反弹的时间仍需需求和减产的配合。尤其是DRAM厂家的减产非常关键，我们甚至可以这样说，如果不减产的话，到明年年底前都不可能出现反转行情，这绝不是危言耸听！

但是我们也知道，在目前的情况下就出现减产的机会几乎没有！以过往的经验来看，“烧钱”的游戏还是会继续进行下去的，过往这种盘整的时间不会少于三个月，因此目前底部的盘整时间仍然不够，反弹也是短暂的就合乎情理了。

上周的DDR2价格出现急速反弹后又快速下跌，商家对DDR2价格走势的感觉如同经历了一次如坐过山车！这一方面显示了市场的需求仍不足以支撑价格的反弹，另一方面显示市场的投机需求仍然活跃，但是规模较小、相对比较审慎而已！

上周由于月初的原因，台湾主要现货市场白板颗粒生产厂家不出货后，市场颗粒盘商和某些DRAM厂家借机炒作导致。但是由于市场主力均不看好后市，反弹后的追涨商家也有限，导致价格在获利回吐的重压下快速下跌回原来的平台整理。

上周1Gb颗粒的价格回调空间相对有限，但是这并不意味着其价格尖挺，而是1Gb容量的产品现货市场库存有限的原因。我们相信下周其价格将会跌至其应有的合理位置，即约两倍于512Mb颗粒的价格，也就是会有急跌的可能。

大陆现货市场的库存继续下降，但是上周追涨的投机库存将还需要消化3-7天，该库存对下周的价格有助跌作用。少部分长线投机库存仍未抛掉，预示着本轮价格寻底期并未结束。

外围市场的商家和模组厂家均不看好春节前的DRAM走势，或是抱谨慎的乐观态度。目前模组厂家的库存虽有下降单仍然维持高位，该库存至少还可以消化1-3个月。

总体而言，全球DRAM市场的库存水位已经下滑，但是影响DRAM反弹的主要因素目前来讲并不是库存问题，而是产能问题。根据我们了解的情况，所有的DRAM厂家至少在12月底前都不会减产。

未来会不会或者什么时候减产至今没有一家DRAM厂有明确的决定。即使明年1月份开始减产，最快也要到明年第二季度开始才会陆续显现减产的效果！

其它方面，12月上旬标准DDR2的合约价格继续下滑；台湾主要DRAM厂家除了华亚科技以外均维持亏损不变，华亚科技主要受惠于产能全部用于代工，理论上并不承受价格的风险。

目前512Mb产品比例大的DRAM厂家面临前所未有的压力，1Gb产品比例大的厂家相对处于比较有利的位置，例如三星。

结论及下周操作建议：

下周短线而言：

1) 未来一周64MbX8 eTT颗粒价格将会继续测试0.80美金的支撑力，并有机会跌破0.80美金，相信在未来一周0.75-0.85美金区间盘整的机会偏大。1Gb颗粒的价格将会急跌至1.50－1.70美金区间

2) 需要注意的是上周DDR2价格急速反弹夭折后，下周价格再出现反弹的可能性很小。由于目前的价格较低，后市不排除随时都会有短暂的反弹机会。

3) DDR2 800模组下周将会正式踏上其主流征途，尽管800Mhz和667Mhz颗粒的价格已经基本没有差价,但模组的价格仍旧维持较大的差价。对于大陆市场而言，我们认为未来一周将会是800Mhz模组主流旅途的起点，是比较有意义的一周，从此667Mhz模组将会渐渐退出舞台，尽管在欧美市场800Nhz已经开始成为主流。

操作建议：波段操作，逢低3-5天左右的合理库存，正常经营！

Nand Flash：

时序进入12月份后，Nand Flash的价格面临的压力越来越大，上周的价格继续下挫，总体MLC Nand Flash的价格继续维持下跌通道中，这一走势并未有任何改变，市场的气氛极为审慎，主要颗粒盘商基本处于“半停业”状态。

需求方面，OEM需求由于欧美市场的季节性原因维持萎缩态势；现货市场方面，由于市场没有新的热点产品出现，基本上维持常规的容量增长；而目前高速增长的手机卡和数码相机卡方面已经接近结束高速增长期。尤其市场热销的MicroSD（TF）卡由于台湾DRAM厂家的介入一斤出现供大于求的局面，价格坚冰被打破，近期价格迅速下滑。

DRAM厂家已经陆续导入50nm制程，成本大幅下降，为了刺激并启动包括SSD在内的新的需求，未来Flash的价格将会维持震荡下跌走势，这个是难以改变的，尤其是32Gb和16Gb容量的颗粒的价格。8Gb颗粒将会逐步被边缘化，但是由于其容量能够满足大多数的产品需求，不会很快被淘汰的。

我们注意到三星64Gb的MLC Nand Flash颗粒的报价已经经常可以在市场中见到，按照以往惯例，预示着32Gb容量的颗粒已经或将成为市场主流，而16Gb目前的主流地位将会下降，替代年初的8Gb位置，那么这样价格的下跌将会是不可避免的。

明年的Nand Flash的产能将会大幅增加，增加的产能主要产生于以下几个方面，一个是由于制程的提升而增加的产能，主力的制程跨入50nm后多出的产量；其次是扩产的结果，主要Flash厂家均在扩产，其中包括一些原来并未生产Nand Flash的厂家也加入Nnad Flash的生产厂家行列；再次是DRAM的转产的结果，DDR2的价格的长期低迷，将会使部分有能力转产的厂家开始考虑将部分DRAM产能转产生产Flash。
以上几个原因导致明年的Nand Flash价格将会更为平易近人。

需求方面，目前的Flash增长依然主要依靠便携式多媒体设备、数码相机和手机，可以看到的是前面的几个产品的需求一斤开始进入成熟期，尽管需求的增长仍维持高速，单也早已进脱离爆炸性的增长期，要想消化掉日益增加的产能还是需要新的革命性的产品。

结论：

受季节性因素的负面影响、制程提升、产能增加和DRAM厂家将部分DRAM产能转产NAND Flash的影响，未来Nand Flash的价格将会继续维持总体下滑的可能性依然偏大，但这对整体产业是正面的。

Nand Flash的价格在12月份将会继续维持下跌走势的概率较高，而下周总体继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都将是暂时的和短暂，任何投机行为都将可能导致付出代价。

我们对12月份的整体的走势持“偏空”的研判；短线这继续维持“中偏空”研判。

操作建议：

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机，年底前维持保守操作策略为上策。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的炒作气氛呈现局部时段活跃的特点，但是由于价格被上游炒家迅速拉高，带动大陆模组市场出现一小波反弹行情，但是追涨人数有限，总体市场投机行为接近基本冻结，多数商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，所以下跌的速度同样得快，上周炒作指数上升到65分水准（满分100分）。市场关注度上升到95分水平，市场需求轻微好转，成交量在80分水平附近，目前市场处于供大于求状态。

下周DRAM颗粒价格走势预测

（史军执笔，仅供参考）