上周回顾及下周分析预测

Nand Flash的价格继续维持在下降通道之中，由于前期累计跌幅较大，上周价格跌势开始趋缓。市场的需求一般，供应相对充足，市场的气氛极为谨慎。价格正在应映成本的下降，价格依旧维持在下降通道中，没有机会改变。

上周DDR2的价格总体维持窄幅区间震荡走势，周初价格轻微回升后，价格便开始缓步走软。市场总体需求疲软，商家则继续秉持短线操作思维，周初价格的上升完全是偶然因素导致。市场的库存水位依然偏高，短线仍会持续探底，DRAM厂家没有减产前短期出现反转的机会渺茫。

DDR400方面，价格继续维持区间盘整走势，价格中枢就相对前期就有所上升，总体而言供需就维持动态平衡，但是DDR400的需求就维持下降，价格依然维持在大的区间内震荡没有任何改变。

下周分析预测(2007.12.17-2007.12.23)

DDR400：

由于DDR400供应有限，供求关系维持基本平衡，价格基本上受控于上游厂家。鉴于此，未来一段时间内DDR400的供需仍会维持基本平衡。

在DDR2价格持持续维持低迷的情况下，而DDR400也已进入淘汰末期的情况下，未来市场的DDR400的需求将会加速下滑，这将对DDR400的价格产生压力，但是这并意味着价格也会大幅下跌，因为生产厂家产量有限，供应也会同步逐步减少，厂家目前完全控制着供应量的大小。

总体而言，厂方会将价格维持在成本线以上，就目前而言，DDR400 64MbX8颗粒在1月底前会使春节前都不可能会跌破2.00美金。
上周的价格反弹再次说明，DDR400的价格依然受控于生产厂家；价格总体会在区间2.00-2.80美金大区间内震荡，这个区间今年以来都没有被突破过。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。

我们将12月底前DDR400 64MbX8的价格价格区间上限调回2.65美金和下限维持不变仍为2.20美金。也就是说未来春节前64MbX8维持在2.20-2.65美金区间震荡盘整的机会较大。

下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中性或中偏软”的研判。

下周操作建议：

DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整或轻微走软走势机会较大。目前的价格也不建议炒作DDR400。

库存水位： 2-4天左右，接近趋近底部时适当加大库存，接近顶部时减少库存量。

DDR2：

形势分析：

上周DDR2 512Mb的价格呈现超跌后轻微反弹的走势，但是反弹的幅度极为有限，显示市场的需求不足和主要投机买盘已经处于“休眠”状态。价格的反弹主要是由于市场的暂时性的需求引起的。但值得注意的是1Gb的价格基本未动。

如果单从DDR2的变动成本的角度分析，目前的DDR2 512Mb价格无疑是处于超跌状态，目前价格也在不断测底！但是1Gb的颗粒价格相对而言依然偏高。目前的价格已经处于底部区域，只是等待机会，但是未来充满变数，因为成本同时也在不断下降。
目前来看，反弹的时间仍需减产利好消息的配合。尤其是DRAM厂家的减产非常关键！如果不减产的话，到明年年底前都不可能出现反转行情，这绝不是危言耸听！

上周1Gb颗粒的价格回调空间不大，并低于预期，这主要是由于1Gb容量的产品现货市场库存有限和512Mb颗粒价格意外反弹。我们相信下周其价格将会继续向合理位置下调，即约两倍于512Mb颗粒的价格，也就是会有继续下跌的可能。

目前512Mb产品比例大的DRAM厂家面临前所未有的压力，1Gb产品比例大的厂家相对处于比较有利的位置。

未来的市场压力可能更多的来自于1Gb的产量，而不是现有的市场库存。下周将会是1Gb DDR2 800是否能够加速成为主流的关键起始周，其观察点有两个方面，一是DDR2 800模组的降价幅度，二是1Gb颗粒价格是否接近2倍于512Mb颗粒的价格。

结论及下周操作建议：

0.80美金附近经过多空双方的反复争夺，目前呈现胶着状态。未来一周64MbX8 eTT颗粒价格将会继续测试0.80美金的支撑力，并有机会最终跌破0.80美金，但是相信在未来一周仍会围绕0.75美金附近盘整的机会偏大。1Gb颗粒的价格将会急跌至1.70美金以下区间，并向1.50美金靠拢。

DDR2 800将会继续其成为主流的旅程，下周的DDR2 800模组的价格将会继续收窄其与667模组的差价，为其成为主流扫清最后一道障碍！
操作建议：波段操作，逢低3-5天左右的合理库存，正常经营；逢高切忌追高！

Nand Flash：

时序进入12月份后，Nand Flash的价格面临的压力越来越大，上周的价格继续下挫，总体MLC Nand Flash的价格继续维持下跌通道中，这一走势并未有任何改变，市场的气氛极为审慎，主要颗粒盘商基本处于“半停业”状态。

由于前期的累计跌幅已经过大，未来的Nand Flash的价格将会逐步结束前期的急跌走势，高阶（16Gb或以上）呈现缓跌状态，低阶（8Gb或以下）呈现盘整或轻微下跌之中，并且不时会有小的反弹，但目前切勿追涨投机！

目前的DRAM模组厂家均在向数码产品转向，这一方面说明未来DRAM市场的环境转差；另一方面也说明数码产品商机无限，其中多数数码产品都与Flash有关系，也预示着这个市场未来将会有更多有新的产品出现。

由于Nnad Flash新的产能不断开出和制程的提升，目前的Nand Flash 价格下跌仍处于探底阶段，由于目前尚处于淡季，总体市场供求关系处于供大于求，尚未进入测底阶段，但是距离底部已经不远了，以16Gb MLC颗粒为例，预计价格还有10%－20%左右的下跌空间。

未来影响Nand Flash价格走势的因素除了产能和制程以外，还有DRAM的价格走势和新产品的诞生的快慢！

如果DRAM持续维持低位，势必会有部分DRAM产能转移到Nand Flash上，这样的话将会增大原本就已经增大的产能。

但是相对而言新产品的诞生的快慢就显得更为重要了。但是中长线明年内置Flash或是需要插卡的智慧型手机、PDA、GPS设备、用于数码相机或摄像机的闪存卡仍将是的重头戏，而业界寄予厚望的SSD（固态硬盘）受到价格制约短期启动的机会不大，相对而言混合硬盘有望在Vista的带动下先行启动。

结论：

受季节性需求疲软、制程提升、产能增加和DRAM厂家将部分DRAM产能转产NAND Flash的影响，未来Nand Flash的价格将会继续维持总体下滑的可能性依然偏大，但这对整体产业而言长线是正面的。

Nand Flash的价格在12月份余下时段将会继续维持下跌走势的概率较高，而下周总体继续维持偏软走走势即下跌走势机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都将是暂时的和短暂，任何投机行为都将可能导致付出代价。

我们对12月份的整体的走势持“偏空”的研判；短线这继续维持“中偏空”研判。

需要注意的是，目前的价格开始进入测底阶段，随时都会有小的反弹出现，操作上应该避免追涨杀跌，而是应该逢低适当进货，逢高观望的原则，切忌炒作！在没有完成筑底前，小心是必需！

操作建议：

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机，年底前维持保守操作策略为上策。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的炒作气氛呈现轻微活跃的特点，总体市场投机行为接近基本冻结，多数商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，上周炒作指数维持60分水准（满分100分）。市场关注度下降到80分水平，市场需求维持正常，成交量在80分水平附近，目前市场处于供大于求状态。

上周Nand Flash的关注度维持75分附近，市场的炒作气氛一般，终端需求正常，成交量维持在75分水准，整体价格价格继续滑落。
 
下周内存价格走势预测
 

 
下周DRAM颗粒价格走势预测
 

（史军执笔，仅供参考）