上周回顾及下周分析预测

上周Nand Flash的价格呈现弱势震荡盘整走势，由于前期累计跌幅较大，技术上亟需调整以修复较为难看的技术图形。总体而言市场的需求一般，供应相对充足，市场的气氛极为谨慎，价格的趋稳并不意味着目前价格已经走稳，因为在产能增加的情况下，后续走势还要看需求的配合。

受到圣诞和元旦假期的影响，在多种因素的综合作用下，上周DDR2的价格总体呈现的窄幅区间震荡走势，价格轻微上升后展开盘整。市场总体需求疲软，多数商家则继续秉持短线操作思维，但是也有少数投机买盘大量建仓。

DDR400方面，价格继续维持区间盘整走势，价格中枢相对前一周而言轻微下降。总体而言供需就维持动态平衡，但是DDR400的需求就维持下降，价格依然维持在大的区间内震荡这一点就没有任何改变。

下周分析预测(2007.12.24-2007.12.30)

DDR400：

由于DDR400供应有限，供求关系维持基本平衡，价格基本上受控于上游厂家。鉴于此，可以预见的是未来一段时间内DDR400的供需仍会维持基本平衡。

在DDR2价格持持续维持低迷的情况下，而DDR400也已进入淘汰期末段的情况下，未来市场的DDR400的需求将会加速下滑，这将对DDR400的价格产生压力，但是这并意味着价格也会大幅下跌，因为生产厂家产量有限，供应也会同步逐步减少，厂家目前完全控制着供应量的大小。

但是随着时间接近农历新年，商家清仓过年的心理作用下，价格走软的机会开始增加，上周的价格轻微走软也许是个先兆。
总体而言，厂方会将价格维持在成本线以上，就目前而言，DDR400 64MbX8颗粒在1月底前(即春节前)都不可能会跌破2.00－2.20美金这个成本区。

DDR400的价格依然受控于生产厂家；价格总体会在区间2.00-2.80美金大区间内震荡，这个震荡区间今年迄今为止都没有被突破过。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。

我们认为1月底前（也就是说未来春节前），DDR400 64MbX8的价格价格维持在2.20-2.65美金区间震荡盘整的机会较大。
下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中性或中偏软”的研判。

下周操作建议：

DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整或轻微走软走势机会较大，短线不建议炒作DDR400。

库存水位： 2-4天左右，接近趋近底部时适当加大库存，接近顶部时减少库存量。

DDR2：

形势分析：

上周内存和颗粒的走势出现轻微分化，颗粒的价格缓步走软，但是内存的价格却轻微走高。

现货市场部分商家及部分外围炒家开始逢低建仓直接导致了上周的内存价格走强，其次是临近假期，在时没有大量新货到达的情况下，商家开始坚持作多也是原因之一。金士顿1GB DDR2 667 124元-128元是他们的建仓平均成本区。

目前的DDR2 512Mb颗粒的价格已经处于底部区域，并在在不断测底阶段，在0.70元-0.85元构建其底部可能性大增。

但是1Gb的颗粒价格相对而言依然偏高，尽管其价格已经跌到2倍于512Mb的正常合理位置，但是如果从颗粒成本的构成来讲，1Gb颗粒的价格理论上讲未来还是有下跌空间的。

目前来看，反弹的时间仍需减产利好消息的配合。尤其是DRAM厂家的减产非常关键！如果不减产的话，到明年年底前都不可能出现反转行情，这绝不是危言耸听！但是目前来讲，减产确实真的很困难，也就是说明年的价格即使反弹也将会是突然的和不可以预见的，同时等待的时间可能也是漫长的。

677Mhz的产品在明年一月份将会进入快速淘汰期，从另一个角度来讲，800Mhz产品将成为主流，那么目前那些重仓667Mhz产品的炒家反弹前未来将会面临两个问题，一个是重仓的的产品面临淘汰，也就意味着未来出手会较慢；另一方面，1GB模组的价格由于全部采用1Gb颗粒制造可能成本会继续下降的双重压力。

结论及下周操作建议：

512Mb颗粒由于大幅减产和现货市场的库存水位的大幅降低，未来的杀跌动能接近枯竭。未来在0.70-0.85美金区间筑底的机会很大，但是这并不意味着可以建仓或在此价位建仓是安全的。

1Gb 880Mhz颗粒的价格已经和667Mhz价格接近的情况下，未来一段时间内，DDR2 800将会加速成为主流，并对市场现有的667Mhz产品构成压力。

下周的DDR2 800将会继续其成为主流的旅程， DDR2 800模组的价格将会继续收窄其与667模组的差价，并继续为其成为主流扫清最后一道障碍！

操作建议：波段操作，逢低适当建仓，3-5天左右的合理库存，正常经营；逢高适当减磅，切忌追高！

Nand Flash：

上周Nand Flash的价格呈现盘整走势，市场需求维持常态，但是欧美市场就明显萎缩。价格下跌走势趋缓从技术上讲也是出于调整日益发散的均线的需要，同时也是下跌动能得到充分释放后目前合理的价格走势。

生产厂家继续提升制程和增加产能，显示出他们对明年的SSD（固态硬盘）寄予厚望，但是事情往往都是希望越大失望越大，就像今年的DRAM市场一样。

明年将是SSD市场启动元年，但是价格偏高仍是其短期无法克服的问题。尽管在高端产品上会有一些需求，但是中低端市场的启动尚需时日，难度不可谓不小。但是Nand Flash的未来肯定要好于DRAM，这是无疑的。

从目前的产能扩充情况来看，一旦SSD需求不如预期，而又没有其它新的产品诞生或老的产品没需求有产生大幅增长，那么产能过剩似乎将会是不可避免的。

除了原有的Nand Flash生产厂家都在加大产能外，台湾几家DRAM生产厂家也都在跃跃欲试，其中以力晶进展最为神速。

历史经验告诉我们，明年的Nand Flash可能将会面临与今年DRAM相类似的局面，尤其是低阶（8Gb甚至16Gb以下产品）产品。

但是如果但从技术角度讲，目前的Nand Flash已经呈现筑底形态，但是考虑到明年年初是传统淡季，相信筑底的时间将不会很快结束。如果再考量到明年的产能增加，未来的Nand Flash仍然充满变数！

结论：

受季节性需求疲软、制程提升、产能增加和DRAM厂家将部分DRAM产能转产NAND Flash的影响，尽管短线有筑底的可能，但未来Nand Flash的价格将会继续维持总体下滑的可能性依然偏大。

Nand Flash的价格在明年1月底前将会继续维持下跌走势的概率较高，而下周总体继续维持偏软的盘整机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都将是暂时的和短暂，任何投机行为都将可能导致付出代价。

我们对1月份的整体的走势持“中性或中偏空”的研判；短线这继续维持“中偏空”研判。

需要注意的是，目前的价格开始进入测底阶段，随时都会有小的反弹出现，操作上应该避免追涨杀跌，而是应该逢低适当进货，逢高观望的原则，切忌炒作！在没有完成筑底前秉持审慎的操作手法无疑是正确的

操作建议：

操作上建议正常经营为主，目前的形势下不建议盲目追高或投机，年底前维持保守操作策略为上策。

操作上，低阶产品应该保持适当合理库存，不宜盲目杀跌或看空；高阶逢低少量建仓，保持审慎态度。

总之，目前的下跌较深的情况下，不宜盲目杀跌；采购更要注意节奏，根据交货期，短线价格一旦短线企稳就要适当逢低买进，不宜盲目等待下跌，因为反弹随时发生。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的炒作气氛继续呈现轻微活跃的特点，总体市场投机行为有所抬头，多数商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，但是也有部分商家逢低吸纳。上周炒作指数上升到65分水准（满分100分）。市场关注度维持在80分水平，市场需求维持正常，成交量在80分水平附近，目前市场处于供大于求状态。

上周Nand Flash的关注度维持80分附近，市场的炒作气氛一般，终端需求正常，成交量维持在75分水准，整体价格价格继续滑落。
 
下周内存价格走势预测
 

 
下周DRAM颗粒价格走势预测