上周回顾及下周分析预测

受到圣诞、元旦假期和年底DRAM厂家做账锁货等多重因素的影响，上周DDR2的价格总体呈现偏强走势。周初价格小幅上升后展开盘整，周末价格轻微走软。市场总体需求维持稍差于往年同期，多数商家继续秉持短线操作思维，但也有少数投机者大量建仓。

上周Nand Flash的价格呈现弱势盘整走势，由于前期累计跌幅较大，上周的跌势明显趋缓，但是目前仍未完全止跌。总体而言市场的需求一般，供应相对充足，市场的气氛极为谨慎，价格的趋稳迹象并不意味着目前价格站稳，因为在产能增加的情况下，后续走势还要看需求能否同步增加。

DDR400方面，价格继续维持区间盘整走势，价格中枢相对前一周而言又轻微下降。总体而言供需就维持动态平衡，但是DDR400的需求就维持下降，价格依然维持在大的区间内震荡。

下周分析预测(2007.12.31-2008.01.06)

DDR400：

由于DDR400供应有限，供求关系维持基本平衡，价格基本上受控于上游厂家。鉴于此，可以预见的是未来一段时间内DDR400的供需仍会维持基本平衡。

在DDR2价格持持续维持低迷，而DDR400也已进入淘汰期末段的情况下，未来市场的DDR400的需求将会继续加速下滑，这将对DDR400的价格产生压力。但是这并意味着价格也会大幅下跌，因为在生产厂家少，而产量又有限的情况下，供应也会同步逐步减少，供方目前仍然完全控制着价格的走向。

但是随着时间接近农历新年，商家清仓过年的心理作用下，价格走软的机会开始增加，继前一周价格轻微走软，上周的价格继续走软。
总体而言，厂方会将价格维持在成本线以上，就目前而言，DDR400 64MbX8颗粒在1月底前(即春节前)都不可能会跌破2.00－2.20美金这个成本区。

DDR400的价格依然受控于生产厂家；价格总体会在区间2.00-2.80美金大区间内震荡，这个震荡区间今年迄今为止都没有被突破过。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。

下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中性或中偏软”的研判。

下周操作建议：

DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整或轻微走软走势机会较大，短线不建议炒作DDR400。

库存水位： 2-5天左右，接近趋近区间底部时适当加大库存，接近顶部时减少库存量。

DDR2：

形势分析：

上周的DRAM市场走势较为怪异但又合乎台湾股市的要求。总体仍就受到台湾DRAM厂家做账锁货影响比较大，其次是市场商家强烈的年末投机赚钱愿望使然。无论是颗粒价格还是模组价格全线上升，但是模组的价格反应明显滞后于颗粒价格，上升幅度也小。

DRAM厂家方面，64MbX8颗粒由于接近停产和现货市场的库存水位大幅下跌，市场的杀跌动能接近枯竭，理论上价格中线已经在0.75-0.85完成筑底。但是这并不意味着可以就此建仓，因为64MbX8的价格走势已经失去指标作用，并被淘汰。

具有指标作用的1Gb的颗粒价格相对成本而言依然偏高，尽管其价格已经跌到2倍于512Mb的正常合理的相对位置。但是如果从颗粒成本的构成来讲，1Gb颗粒的价格理论上讲未来还是有下跌的空间和机会的。

目前来看，反弹的时间仍需减产利好消息的配合，尤其是DRAM厂家的减产非常关键！如果不减产的话，到明年年底前都不可能出现反转行情，这绝不是危言耸听！

但是目前来讲，春节年前减产确实真的很困难，春节后是否减产目前看来变数也是较多的。但是如果我们单是基于成本考量，节后的价格将会企稳的机会就较高。

我们研判明年的价格即使反弹也将会是突然的和不可以预见的，同时等待的时间可能也是漫长的，并非那么“容易”。

需求面，现货市场的需求将会继续萎缩，主要源于消费者消费习惯的改变，大陆市场的台式电脑的需求正在向笔记本电脑、手持便携式小型电脑设备转移，明年这一趋势将会更为明显。因此明年DIY市场的需求基本上将不存在复苏的可能，需求也将继续向主要OEM厂家的品牌的台式机、笔记本、手持设备上集中。

1月份为2008年的第一月，也是春节前的一个月，近几年的经验告诉我，这个月是个平淡的月份，价格由于全球性的需求疲软将难以有所表现，我们审慎对待这个月。

回顾下半年DRAM价格走势，可说是惨不忍睹，各大DRAM厂烧钱苦撑，无奈见不着价格有回暖转强的迹象；尽管近期现货市场价格持续反覆打底，但市场普遍认为，在市场真正需求尚未浮现前，DRAM现货价难有翻身之日，预估明年在各大DRAM厂推进至70奈米制程下，缩减资本支出效应遭抵消，明年DRAM仍是供过于求！

在Microsoft(MSFT-US；微软)大动作推出新的作业系统 Vista后，却未料见市场反应冷淡，换机需求不如预期，造成第 3季起，大量DRAM库存堆积，加上DRAM厂间技术竞争不停歇，纷纷抢盖12寸厂，近而使得12寸厂DRAM产出比重成长在今年逾 70%之多，远比去年的成长50%相比，大有落差，造成DRAM一路走跌，最低跌破1美元，远比去年底的5.5美元滑落了逾80%之多。

DRAM价格迟迟不见有所回升，即使跌破DRAM厂生产成本区间，仍见DRAM厂烧钱忍痛经营，致使DRAM厂亏损逐步扩大，今年台湾DRAM厂家仅有华亚科 可勉强维持获利外，其余三家DRAM厂今年都难过好年。

正因下半年的惨澹经营，台湾DRAM厂也纷纷计画缩减明年资本支出，延后开出新产能，以去化现有库存，改善目前供过于求的市况，包括南科明年资本支出仅有 400亿元，减少了20%，华亚科则是大砍33%，力晶也有五成的减幅，缩减资本支出以救市，已成DRAM厂共识。

不过，市场普遍认为，在台湾四大DRAM厂明年接续将制程推进至70奈米下，即使没有新产能开出，但制程微缩，产量增加，明年DRAM供需仍是处于供过于求；再说，目前两大国际龙头厂Samsung (005930-KR；三星)和 Hynix(000660-KR；海力士)都尚未确认明年是否有缩减资本支出的打算，仅有台系厂和Qimonda 奇梦达要降低欧元区产能，要挽救DRAM市况，力量孱弱。

尽管如此，由于 Vista作业系统运算资庞大，每台PC搭载的DRAM容量需达 1Gb以上，目前多数PC搭载量已提升至1.5Gb，明年在SP1升级版本问市后，加上企业换机潮推波助澜，将可进一步刺激DRAM需求量，预估每台PC搭载的DRAM将提高到2Gb。

因此，市场认为，明年DRAM产业仍需苦苦等待黎明曙光露出，以划破黑暗期，预估南科、茂德 仍难以摆脱亏损情形，但在第 2季DRAM市况逐步回温后，力晶和华亚科应可率先在第 3季转亏为盈；至于NANDFlash部分，明年则仍维持亮眼。

结论及下周操作建议：

理论上512Mb DDR2颗粒在0.70-0.85美金区间已经完成筑底，但是这并不意味着可以建仓或在此价位建仓是安全的，因为1Gb才是今天的主流，1Gb颗粒的价格的任何变化将会对其构成实质性的影响。

1Gb 880Mhz颗粒的价格已经和667Mhz价格接近的情况下，未来一段时间内，DDR2 800将会加速成为主流，并对市场现有的667Mhz产品构成压力。一月份的DDR2 800将会继续其成为主流的旅程， DDR2 800模组的价格将会继续收窄其与667模组的差价，并继续为其成为主流扫清最后一道障碍！

由于上周的价格反弹，未来一周价格将会轻微走软的机会偏大，总体而言短线1Gb颗粒将会考验1.70美金的支撑力。

操作建议：波段操作，逢波段底部适当建仓，7天左右库存，正常经营；逢高适当减磅，切忌追高！

Nand Flash：

上周Nand Flash的价格呈现弱势盘整走势，市场需求维持常态，但是欧美市场就明显萎缩。价格下跌走势继续趋缓，从技术上讲也是出于调整日益发散的均线的需要，同时也是下跌动能得到充分释放后目前合理的价格走势。

产品动态方面，主要模组生产厂家加大了对SSD的研发和生产力度，显示出他们对明年的SSD（固态硬盘）寄予厚望。明年将是SSD市场启动元年，但是价格偏高和产品寿命问题之间平衡问题仍是其短期无法克服的问题。尽管在高端产品上会有一些需求，但是中低端市场的启动尚需时日，难度不可谓不小。但是Nand Flash的未来前景肯定要好于DRAM，这是无疑的。

从目前的产能扩充情况来看，一旦SSD需求不如预期，而又没有其它新的产品诞生或老的产品没有新的增长需求出现，那么产能过剩似乎将会是不可避免的。除了原有的Nand Flash生产厂家都在加大产能外，台湾几家DRAM生产厂家也都在跃跃欲试，其中以力晶进展最为神速。

历史经验告诉我们，明年的SSD一旦启动受阻，或是没有其它新的的产品带动，Nand Flash可能将会面临与今年DRAM相类似的局面，尤其是低阶（8Gb甚至16Gb以下产品）产品。

如果单从技术角度讲，目前的Nand Flash已经呈现筑底走势，并在测底阶段。但是考虑到明年年初是传统淡季，相信筑底的时间将不会很快结束。如果再考量到明年的产能增加，未来的Nand Flash仍然充满变数和不可预见性！

一月份将会是Nnad Flash筑底的关键期，如果价格能够暂时企稳，那么年后苹果如果如期推出内置SSD的MID产品和IPod内置微硬盘转换为内置SSD带动下或许会有所表现。

另外，在NAND Flash部分，DRAM厂为了分散DRAM营运风险，加上NAND Flash毛利远高于DRAM，致使DRAM厂纷纷加快NAND Flash试产；目前力晶预计明年上半年便可开始大举投片，自行开发的8Gb和4Gb均已在 12A厂以70奈米试产，茂德则是预估需待至明年下半年才会进到量产阶段。

下周DRAM颗粒价格走势预测

一月内存价格走势预测
 

一月DRAM颗粒价格走势预测