上周回顾及下周分析预测

上周Nand Flash方面，MLC颗粒的价格呈现总体缓步下跌走势，目前价格仍处下降通道中，尚未完全止跌。总体而言,市场的需求一般，供应相对充足，市场的气氛极为谨慎，在产能持续增加及未来需求增加不明朗的情况下，后续走势还有待继续观察。 上周的DDR2价格总体呈现窄幅震荡走势。临近节日，市场需求开始逐步萎缩，由于前期市场作空动能得到一定程度的释放，上周市场商家杀跌动能和意愿也明显不足，市场呈现较为平静的节前状态。 DDR400方面，上周由于供应增加，DDR400继续下跌。目前已经跌进成本区间，总体而言，价格依然维持在前期业已形成大的区间内震荡。

上周回顾(2008.01.07-2008.01.13)

 

上周Nand Flash方面，MLC颗粒的价格呈现总体缓步下跌走势，目前价格仍处下降通道中，尚未完全止跌。总体而言,市场的需求一般，供应相对充足，市场的气氛极为谨慎，在产能持续增加及未来需求增加不明朗的情况下，后续走势还有待继续观察。

 

上周的DDR2价格总体呈现窄幅震荡走势。临近节日，市场需求开始逐步萎缩，由于前期市场作空动能得到一定程度的释放，上周市场商家杀跌动能和意愿也明显不足，市场呈现较为平静的节前状态。

 

DDR400方面，上周由于供应增加，DDR400继续下跌。目前已经跌进成本区间，总体而言，价格依然维持在前期业已形成大的区间内震荡。

 

下周分析预测(2008.01.13-2008.01.31)

 

DDR400：

 

随着时间接近农历新年，商家清仓过年的心理作用下，价格走软的机会开始增加。继前一周价格明显走软后，上周的价格继续小幅走软。由于目前是农历新年的前期，价格走软也是情理之中，目前64MbX8颗粒的价格已经跌进2.00-2.20美金成本区间，未来两周价格是否跌破成本区将是关键，但是我们就认为机会不大。

 

总体而言，厂方会将价格维持在成本线以上，就目前而言，DDR400 64MbX8颗粒在1月底前(即春节前)都不可能会跌破2.00－2.20美金这个成本区。

 

DDR400的价格依然受控于生产厂家；价格总体会在区间2.00-2.80美金大区间内震荡，这个震荡区间从07年春节开始迄今为止都没有被突破过。

 

结论：

 

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。

 

我们认为1月底前（也就是说春节前），DDR400 64MbX8的价格价格不可能跌破2.00-2.20美金成本区间。

 

下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中性或中偏软”的研判。

 

下周操作建议：

 

DDR400的颗粒价格未来一周维持盘整或轻微走软走势机会较大。一月份DDR400的走势总体维持下跌走势的机会偏大，在成本区间内，可以适当逢低吸纳。

 

库存水位： 2-5天左右，当接近成本区间（2.00-2.20）的底部时，可以适当加大库存，接近顶部时减少库存量。

 

DDR2：

 

形势分析：

 

上周DDR2价格回归理性，总体价格呈现窄幅震荡走势。市场的作空动能得以释放，投机炒作也同时得到抑制。

 

颗粒方面，128MbX8已经成为市场的主流，64MbX8的供应正在减少。800Mhz颗粒已经成为主流。

而模组方面，主要品牌模组生产厂家出于急于清仓667Mhz模组的目的，有意拉大两者的价差，对800Mhz人为形成障碍已达到减仓667Mhz产品的目的。而相关配件价格的问题也暂时造成800Mhz暂时未能迅速成为主流，但我们就预计800Mhz产品在年后将会加速成为主流，这一趋势已经不可阻挡。

 

DRAM生产厂家开始有意控制出货的数量和出货节奏，暂时稳定住了崩盘的价格，几大生产厂家在减产问题上，尽管有人不断积极呼吁，但是尚未完全形成共识，未来还需要一段时间进行磨合和较量。同时市场也需要消化较高的库存水位才会有机会，预计这个时间在2-6个月以内。

韩系生产厂家，三星和Hyniz的DRAM成本由于采用的是6xnm技术，成本相对较为便宜，所以跌家中损失并不大，对于减产也最为不积极。而台系生产厂家的压力相对较大，因为其产品较为单一、技术又多为技术转让，要付费用。目前的形势对台系厂家明显不利。

 

我们看到，去年以来台系厂家不断释放希望韩系厂家共同减产的消息，但是前期韩系厂家并没有积极响应。实际上当时响应也是没有效果的，因为当时的市场情况不具备止跌的反弹所需的基本条件。未来6个月将是关键期，如果价格一旦跌破厂家的制造成本区（非变动成本区），那么对于DRAM厂家而言就意味着现金的净流出，到时就难免会有个别厂家面临退出市场的命运。

也就是说，目前的DRAM市场刚刚进入“伤筋动骨”的阶段，前期只是一些小的“皮肉伤”而已。

 

结论及下周操作建议：

 

理论上512Mb DDR2颗粒在0.70-0.85美金区间已经完成筑底，但是这并不意味着可以建仓或在此价位建仓是安全的，因为1Gb才是今天的主流，1Gb颗粒的价格的任何变化将会对其构成实质性的影响。

 

1月底前，DDR2的价格将会维持窄幅盘整走势的机会偏大，但是价格相信就难以跌破前期的底部支撑位，但是也不会有什么像样的反弹。接近底部时可以适当建仓，短线操作以应付频繁震荡产生的反弹机会的出现。

 

操作建议：波段操作，逢波段底部适当建仓，10天左右库存，正常经营；逢高适当减磅，切忌追高！

 

Nand Flash：

 

上周Nand Flash的价格呈现弱势盘整走势，市场需求维持常态，但是欧美市场就明显萎缩。价格下跌走势继续趋缓。如果单从技术角度讲，目前的MLC Nand Flash正在呈现测底态势。但是考虑到年初是传统淡季，相信筑底的时间将不会很快结束。

 

苹果电脑并未如期在CES中推出MID，暂时Nand Flash的价格失去一个利好消息的支撑，短期走势难以有什么改观。

 

如果再考量到今年的产能增加，未来的Nand Flash仍然充满变数，并且不可预见性非常高！

在NAND Flash应用渐形广泛下，今年NAND Flash的主要需求仍来自于数码产品、手机和便携式手持设备的应用，且明年手机展望强劲，尤其是在高阶的智慧型手机和SSD需求部分，将可大幅增加NAND Flash需求，致使市场对于NAND Flash后况乐观于DRAM。 这将有可能导致市场扩产过快，重蹈DRAM的覆辙。

 

我们认为1月底前Nand Flash的价格将会维持偏软的走势，但是大陆市场由于节前的清仓活动，部分产品的价格会有轻微反弹的可能，但是时间较为短暂。

 

8Gb和4Gb的产品的价格由于台系力晶的加入，未来的价格压力将会增大，但是能否打破今年形成的淘汰产品价格相对稳定惯例，就值得我们继续观察！

 

结论：

 

Nand Flash的价格在1月底前将会继续维持下跌走势的概率较高，而1月底前总体继续维持偏软的机会偏大，并继续维持在下降通道中，任何反弹都将是暂时的和短暂，任何投机行为都将可能导致付出代价。目前的价格底部还是没有形成，但是已经开始测底。节后的价格马上反弹的机会不大，理论上节前节后的价格变化不大，但是我们研判节后的价格继续维持偏软和测底的机会较大。

 

我们对1月份的整体的走势持“中偏空”的研判。

 

操作上，注意控制库存，避免抢反弹，短期大幅反弹的机会不大。根据出货的时间，年前可少量备货，够用即可。

 

上周市场情况汇总：

 

上周的DRAM市场的炒作气氛轻微下降，总体市场投机行为较少，多数商家对后市的看法总体上还是维持悲观的看法，但是也有个别商家逢低吸纳。上周炒作指数维持在65分水准（满分100分）附近。市场关注度下降到75分水平，市场需求维持正常，成交量下降到75分水平附近，目前市场处于轻微供大于求状态。

 

上周Nand Flash的关注度下降到75分水平，市场的炒作气氛一般，终端需求正常，成交量维持在75分水准，整体价格价格继续轻微滑落。

 

 

月底前内存价格走势预测

 

 

月底前DRAM颗粒价格走势预测

 

 

 

（史军执笔，仅供参考）