上周回顾及下周分析预测

上周的市场明显还处在假期之中，在实际工作日比较少，而终端需求不足的情况下，DRAM颗粒价格全线下跌,跌幅明显；由于内存的价格前期涨幅落后于颗粒，其价格的跌幅也相对少一些。Nand Flash的价格总体继续走软，市场需求尚未恢复，价格的跌幅继续呈现总体缓跌走势。 DDR400则由于厂家加大生产而供应增加，导致价格持续走软，短期价格开始接近成本区。

上周回顾(2008.02.11-2008.01.17)

上周的市场明显还处在假期之中，在实际工作日比较少，而终端需求不足的情况下，DRAM颗粒价格全线下跌,跌幅明显；由于内存的价格前期涨幅落后于颗粒，其价格的跌幅也相对少一些。
Nand Flash的价格总体继续走软，市场需求尚未恢复，价格的跌幅继续呈现总体缓跌走势。
DDR400则由于厂家加大生产而供应增加，导致价格持续走软，短期价格开始接近成本区。

下周分析预测(2008.02.18-2008.02.24)

DDR400：

由于DDR2长期处于成本之下，部分厂家陆续转产DDR400的效应开始显现，直接导致供应增加，从而打破了供求平衡，价格持续下跌，但是目前还是处于成本区以上。

未来两周价格是否跌破成本区（1.50-1.80美金）将是关键,以目前的产能增加情况来看，尽管机会不大但还是有这种可能性的。

DDR400的价格现金成本区1.50-1.80美金将会是未来支撑区间，随着DR400的需求的持续萎缩和供应的增加，价格下跌似乎不可避免，但是未来相信在这个区间内内盘整的机会偏大。

在DDR2没有止跌前，DDR400暂时也应以观望为主。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。
下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势，即维持“中性或中偏软”的研判，建议暂时观望为主！

DDR2：

形势分析：

上期我们谈到，农历年前价格继续维持区间盘整的机会较大，但颗粒价格未来还是有机会跌破1美金。谁知道农历新年还没有完全结束，64MbX8的价格就很快跌破了1美金关卡，最跌跌到0.90美金附近，而128MbX8的价格跌到1.90美金附近。

目前的DRAM市场形势取决于几大国际DRAM大厂的态度。

基本上我们认为，在没有厂家出局或者被并购前，在6月底前DRAM市场不会有任何转机。也就是说，只有出现业者出局或被并购的情况下才会有机会出现转机，因为目前的DRAM供求严重失衡。

我们再来谈一下内存价格的走势，由于节前颗粒的价格相对上涨幅度偏大，而内存的价格上涨幅度有限，因此未来的内存的下跌空间也相对不大。

而市场需求方面，相信从下周末开始，需求将会逐步好转，但是需求还是维持正常，不会出现爆炸性的增长，也就是说目前的需求仍不足以消化多余的产能。

内存价格方面，由于品牌厂家众多，品牌相互之间的价格形成制约，已经形成牵一发而动全身的局面，未来在金士顿价格波动不大的情况下，由于前期亏损严重，各个品牌恶性杀跌的机会不大。

颗粒价格方面，在龙头企业三星、Hynix和尔必达不愿意减产让出市场份额而产能仍就维持增长情况下，未来一定会有一家企业退出，或者被并购。

结论及下周操作建议：

操作建议：暂时可以减仓到二分之一或更低仓位附近，继续维持波段操作。

短期在大厂并购没有明朗的情况下，价格不会大涨；但是下跌的空间短期也有限。

但是随着时间的推移，如果DRAM大厂继续维持竞争态势，一旦时序进入下半年1GB内存的价格最终跌破100元还放入机会就大为增加了。

Nand Flash：

上周Nand Flash的价格继续呈现测底走势，尽管价格总体轻微偏软、下跌幅度也不大，但是由于大陆市场还处于假期中，市场商家多持审慎态度。由于苹果电脑的Nand Flash OEM订单迟迟没有释放出来，市场也频传金士顿吸纳了大量的三星多余颗粒，从而避免或者更准确地说延缓了Nand Flash的价格下跌速度。

我们从供求关系来讲，今年的Nand Flash价格走势将会充满变数，制造厂家对于SSD充满期望，并在加速扩产，一旦需求不能跟上而不能消化多余的产能，下跌将会不可避免。

但是如果从技术角度来讲，目前的Nand Flash格正处于筑底阶段，Nand Flash在目前的价位上已经盘整2个多月，走势与去年极为相似，难道历史会重演吗？！一般来讲，机会并不大。因为价格走势的不可预见性非常高，尽管历史会重复，但是不会简单的重复。

结论:

我们认为，短期价格仍就面临压力，对中短期的价格走势我们持“中偏软”看法
建议：暂时逢低吸纳，逢高适当减磅，维持2-3天左右制程合理库存库存，等待机会！也就是说目前的价格处于敏感区域，但是短期总体还是偏软不会立即大幅反弹，维持弱势盘整的机会较大。

价格一旦向上形成突破即可增加仓位；一旦目前的价格平台被跌破，价格将会继续下跌，到时务必出局！

我们之所以这样说，是因为今年的Nand Flash的走势较为混沌，除了产能大幅增加外，并且还受到DRAM市场的影响，谁是会有来之DRAM的新增产能转换过来。因此，我们需要汲取去年的DRAM惨痛教训，至少目前暂时不宜盲目乐观。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的炒作气氛继续下降，总体市场投机行为较少，多数商家对后市的看法总体上开始由“中性”改持“中偏软”的看法，市场炒家活动大幅减少。上周炒作指数下降到75分水准（满分100分）附近。市场关注度下降到80分水平，市场终端需求维持正常，成交量极具萎缩75分水平附近，目前市场处于轻微供小于求状态。

上周Nand Flash的关注度维持在75分水平，市场的炒作气氛一般，终端需求正常，成交量下降在70分水准，整体价格价格继续弱势盘整。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 667 8C	130－140	轻微下跌走势
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	115－122	轻微下跌走势

下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.85-0.95	弱势盘整走势
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.80-1.95	轻微下跌走势
Hynix	512Mb DDR400	USD1.75-1.85	弱势盘整走势

 

（史军执笔，仅供参考）