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上周回顾及下周分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2008-02-24
市场继续维持常态,上周DDR2内存价格下跌后总体维持盘整走势,变化不大!而颗粒价格就维持惯性下跌走势,尤其是1Gb颗粒的价格受到良率大幅提升和成本下降的影响,颗粒价格下滑较快。 受到苹果需求不如预期消息的影响,上周NandFlash的价格继续维持缓慢走软态势,市场商家较为审慎。 DDR400则由于厂家加大转产力度导致供应增加,价格持续走软,短期价格开始接近成本区。

上周回顾(2008.02.18-2008.02.24)


市场继续维持常态,上周DDR2内存价格下跌后总体维持盘整走势,变化不大!而颗粒价格就维持惯性下跌走势,尤其是1Gb颗粒的价格受到良率大幅提升和成本下降的影响,颗粒价格下滑较快。

受到苹果需求不如预期消息的影响,上周NandFlash的价格继续维持缓慢走软态势,市场商家较为审慎。

DDR400则由于厂家加大转产力度导致供应增加,价格持续走软,短期价格开始接近成本区。

下周分析预测(2008.02.25-2008.03.2)

DDR400:

由于DDR2价格长期处于成本之下,部分DRAM厂家陆续转产DDR400的效应开始显现,直接导致供应增加,从而打破了供求平衡,价格持续下跌,但是目前还是处于成本区以上。
目前价格开始进入部分厂商的变动成本区上限(1.50-1.80美金)区域,以目前的产能增加情况来看,未来不排除有跌破1.50美金的可能,因为由于部分采用先进制程的厂商的变动成本在1.20美金附近。

DDR400的现金成本区1.50-1.80美金将会是未来主要支撑区间,随着DR400的需求的持续萎缩和供应的增加,价格下跌似乎不可避免,但是我们相信未来在这个区间内内盘整的机会还是偏大的。

在DDR2没有止跌前,DDR400暂时也应以观望为主。

结论:

我们对DDR400的中线走势继续维持“中性或中偏软”的研判。在DDR2价格没有好转之前,DDR400的价格也难以好转。但是中线我们就暂时维持1.50美金有支撑的研判。
下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌走势,即维持“中性或中偏软”的研判,建议暂时观望为主!

DDR2:

形势分析:

受到主要厂商1Gb 800MHz颗粒良率大幅提升的影响,1Gb颗粒价格大幅下挫,并首次有效跌破1.70美金整数关卡!

三星方面似乎并未有让出市场份额的任何减产举动。其一方面维持既有的OEM市场份额,另一方面,在其非主力的现货市场持续对其主要竞争对手施加压力。

Hynix明显减少了现货市场的出货量,或者说是价格竞争更为确切。在价格上,每当接近成本区时,其会以高于竞争对手产品价格的价格来控制出货量;但是在成本区以上,就以出货为主。
金士顿年后也加大了抢占市场份额的力度,持续对其竞争对手暂开“围剿”,凭借其的固有价格优势,以逼近对手成本价格的售价力图逼迫对手俯首称臣,提升市占率。

由于截至目前为止,美光并购奇梦达或是南亚的行动均是没有头绪,因此短期并购不会有任何进展。在并购暂时无望,而减产没有任何消息的情况下,实际产能由于量率的提升还在增加,未来的走势仍不容乐观!只是价格跌无可跌的情况下,市场投机炒作似乎有所抬头。

结论及下周操作建议:

操作建议:暂时观望,短期也可少量波段操作。

短期在大厂并购没有明朗的情况下,价格不会大涨;但是整体下跌的空间短期也有限。唯一例外的是800MHz内存的价格将会在近期大幅下挫。

随着时间的推移,如果DRAM大厂继续维持竞争态势,在时序进入下半年前1GB内存的价格将会有机会最终跌破100元。

Nand Flash:

上周Nand Flash的价格继续呈现测底走势,价格总体轻微偏软、下跌幅度不大。由于消息面显示苹果电脑的Nand Flash订单将推迟并低于预期,使得市场观望气氛更加浓厚。

 

管目前的Flash价格已经维持弱势盘整一段时间,个别型号的Flash价格及均线系统曲线甚至还形成金叉,技术上似乎预示着价格正在筑底,但是由于产能的扩充效果开始逐步显现,市场普遍担忧去年的DRAM崩盘情况在今年的Nand Flash上重演!因此均维持低库存策略,进场意愿不强!导致现货市场需求维持正常,但是少了投机需求,价格就维持弱势盘整。

我们还是重复,从供求关系来讲,今年的Nand Flash价格走势将会充满变数,制造厂家对于SSD充满期望,并在加速扩产,一旦需求不能跟上而不能消化多余的产能,下跌将会不可避免。

尽管从技术角度来讲,目前的Nand Flash格正处于筑底阶段,Nand Flash也在目前的价位上已经盘整2个多月,只是今年的形势已经完全不同。

结论:

我们认为,短期价格仍就面临压力,对中短期的价格走势我们持“中偏软”看法
建议:维持2-3天左右制程合理库存库存,正常经营,等待机会!

今年的Nand Flash的走势较为混沌,除了产能大幅增加外,还受到DRAM市场的影响,随时会有DRAM产能转换过来生产Nand Flash,而需求改善有限并维持正常增长的情况下,我们更需要汲取去年的DRAM惨痛教训,目前暂时不宜盲目乐观,Nand Flash的高速增长期已经结束。

上周市场情况汇总:

上周的DRAM市场的炒作气氛有所抬头,总体市场投机行为较少,多数商家对后市的看法改持“中性”看法,市场炒家活动总体规模虽不大,但是低强度的炒作不断。上周炒作指数维持75分水准(满分100分)附近,市场关注度维持80分水平,市场终端需求维持正常,成交量维持75分水平附近,目前市场处于供轻微大于求状态。

上周Nand Flash的关注度维持在75分水平,市场的炒作气氛一般,终端需求正常,成交量下降在70分水准,整体价格价格继续弱势盘整。

下周内存价格走势预测

品 牌

型 号

价格区间RMB

预测走势

主要品牌

1GB DDR2 667 8C

120135

弱势区间盘整走势

Hynix兼容条

512MB DDR40064MbX8颗粒)

110120

轻微下跌走势

 

下周DRAM颗粒价格走势预测

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

UTTeTT

512Mb DDR2 800

USD0.80-0.90

弱势盘整走势

UTTeTT

1Gb DDR2 800

USD1.60-1.75

弱势盘整走势

Hynix

512Mb DDR400

USD1.70-1.80

轻微偏软走势


(史军执笔,经过参考)