上周回顾及下周分析预测

上周现货市场的DDR2价格继续维持窄幅区间盘整走势，无论是颗粒价格还是模组价格均总体维持稳定。DDR400的价格则轻微走软，市场需求稳定。市场的悲观气氛近期开始逐步得到修复并渐趋中性。 在上游的控制下，市场得以继续炒作，上周Nand Flash的价格继续反弹，累计涨幅已经过大。技术上讲已完成筑底并有突破，但由于市场总体需求仍旧疲软，未来如果苹果的OEM订单不如意的化，价格再次走软将不可避免。

上周回顾(2008.04.14-04.20)

上周现货市场的DDR2价格继续维持窄幅区间盘整走势，无论是颗粒价格还是模组价格均总体维持稳定。DDR400的价格则轻微走软，市场需求稳定。市场的悲观气氛近期开始逐步得到修复并渐趋中性。

在上游的控制下，市场得以继续炒作，上周Nand Flash的价格继续反弹，累计涨幅已经过大。技术上讲已完成筑底并有突破，但由于市场总体需求仍旧疲软，未来如果苹果的OEM订单不如意的化，价格再次走软将不可避免。

下周分析预测(2008.04.21-04.27)

DDR400：

由于现货市场DDR400的供应厂家数量的增加，DDR400的供需逐步呈现轻微供大于求的局面，但是近期厂家均能理性控制，价格基本维持一个区间内盘整。

但是现货市场还是明显受到供应厂家的增加的影响，未来价格还是会逐步缓慢的走软。目前竞争双方主要是韩国的Hynix和台系的白板颗粒。由于DDR2的价格长期处于成本区附近徘徊，部分厂家前期已经转产DDR400。由于DDR400的需求仍在持续萎缩，因此未来DDR400的价格仍会出现下滑，目前厂家只是在季初没有财务压力的情况下暂时达成动态平衡而已。

需求方面，DDR400的需求总体仍旧保持比预期要好很多的状态，并且萎缩的速度也并不快。

结论：

我们对DDR400的中线走势继续维持“中偏软”的研判。

在DDR2价格没有好转之前，Hynix DDR400的价格也难以好转，短线将会在1.60美金附近展开盘整，中长线仍有较大机会跌至1.30美金附近。

下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌或是盘整走势的机会较高，即维持“偏软或中性”的研判，建议暂时观望为主！

DDR2：

形势分析：

在时序进入二季度初之际，DRAM厂家没有财报压力的情况下，厂家也开始注意控制出货的节奏和数量，并将多余的库存放在自家的车库里，想以时间换空间，等待下半年的需求好转和制程提高后的成本下降，来获得更好的利润。当然这是厂家的理想，现实如何就尚难以预测！

短期而言，台系厂家下周开始进入季报公布期，相信部分相关厂家将会释放一定的利好消息以活跃市场的气氛，并带动市场商家的补货需求。但是实际效果就有待于观察！

4月20日消息，三星电子公司的一名官员上周三表示，今年DRAM内存产业的困难局面会持续下去，在6月前DRAM内存芯片的价格不会上涨。在一次投资者论坛上接受路透社采访时，三星电子投资者关系部门副总裁罗伯特表示，目前看来，DRAM市场上的困难局面会持续下去，如果美国返校销售旺季期间PC需求出现增长，我们最早可能在5月底或6月初上调价格。罗伯特说，我认为价格上调的幅度不会很大。

目前大陆市场的需求维持常态，总体一般，供应相对充足。大陆市场的一边倒的悲观气氛开始改变，总体上已经接近中性，仍旧维持在偏悲观的状态。

结论：

由于目前市场实际仍处于供大于求状态，多数DRAM厂家由于亏损导致杀跌的意愿不强，坚守变动成本底线的意图渐强。对于长期的价格走势DRAM龙头企业韩系厂家三星的态度无疑将起到主导作用；但对于短期走势而言，台系DRAM厂家将会有一定的影响力，台系厂家下周将进入第一季度法说会阶段，在此期间大量出货的可能性不大，部分厂商有可能借此机会释放利好消息，因此预计下周DDR2的价格维持偏强的区间盘整或是小幅上升的机会较大。

我们对于下周的DDR2走势维持“中性或者中偏强”的研判，未来的5月中旬前后将是敏感期。一般而言，如果在失去韩系厂家的配合下，台系的涨价期望或许只是一个泡沫。但是一切都难以预料，后市还是有待于观察。

操作建议：

维持适当库存5天左右的情况下，继续维持波段操作，即逢低吸纳，逢高减磅，不宜空仓。

Nand Flash：

上周Nand市场在上游的继续控制出货的情况下，价格继续明显地上升。值得注意的是32Gb及64Gb的价格并未出现类似16Gb和8Gb的那样大的涨幅，前者的涨幅要小于后者。如果单从这个层面来讲，反映出市场充斥一定的投机炒作活动。

供应面来讲，目前的实际产能仍旧大于需求，市场还是处于供大于求的状态，只是现货市场短时由于供应问题导致价格出现了上升，这是由于近期现货市场由于受到厂家控货出货和市场炒作Hynix停产一条生产线时间的影响导致的。

未未一周Nand Flash价格能否继续上升将取决于需求面而不是供应方，尤其是在当前价格已经回归至成本线之上的情况下。未来一周的价格走势不确定性仍旧偏高，这主要受到市场需求疲软、商家获利了结、供应商可能借机出货和供应端出货数量的多重影响。

台积电董事长张忠谋昨(18)日出席台湾清大台积电落成启用典礼时表示，美国次级房贷风暴尚未平息，而且已经波及到亚洲地区等世界各国，不仅今年全球经济成长率将较半年前预估的缓慢，次级房贷引起的风暴将延续到明年，影响的时间将会很长。

由于美国次贷危机持续发酵而短期难以解决的情况下，消费者的消费意愿大为减弱，预计业界期盼的苹果大单可能会不如预期，到时倒货压力就会重现。但是短期基于前期价格低过一些厂家的成本，短期的反弹有其合理性，预计后面短期维持窄幅区间震荡的机会偏高，继续大幅上扬的机会和空间均不大，除非终端需求出现明显好转。

结论：

我们对下周的Nand Flash改持的“中性或中偏强”研判。

建议：由于价格反弹幅度接近前期形成的区间顶部，即压力位，建议根据情况逐步逢高适当减磅，但是也不宜完全空仓。

6月底前我们都将维持原来的操作建议：下跌途中观望，价格出现平稳盘整时可适量进货，价格上升暂以消化库存为主，不宜完全空仓。由于价格的前期下跌总体幅度已经较大，要避免恐慌杀跌，但也不要追涨。

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场的炒作气氛轻微升温，总体市场投机行为轻微增加，多数商家对后市的看法改持“中性”看法，但是市场炒家活动总体规模不大，低强度的炒作还是偶有发生。上周炒作指数上升到72分水准（满分100分），市场关注度维持在75分水平，市场终端需求维持正常，成交量维持75分水平附近，目前市场处于供轻微大于求状态。台系厂商拉升意图明显，但是需求端和韩系厂商并不配合。

上周Nand Flash的关注度维持上升到85分水平，市场的炒作气氛有所抬头，终端需求正常，成交量上升到80分水准，整体价格价格出现小幅反弹。未来能否继续上升将主要取决于需求。

下周内存价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	110－125	区间盘整走势
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	95-105	轻微下跌或盘整走势

 

下周DRAM颗粒价格走势预测

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.85-0.95	区间盘整走势
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.80-1.90	区间盘整走势
Hynix	512Mb DDR400	USD1.55-1.65	轻微偏软的区间盘整走势