上周回顾及下周分析预测
上周回顾(2008.04.21-04.27)
受到多种因素的共同影响，上周现货市场的DDR2产品无论是颗粒还是内存价格均出现小幅反弹，现货市场气氛有所活跃，市场气氛有所改变。而DDR400的价格则维持稳定，上周供求关系基本接近平衡。
Nnad Flash的投机需求开始缩手，在实际需求难以为继的情况下，上周Nand Flash的价格普遍开始走软，显示市场的供求关系依然不佳，后市变数依然偏大。
下周分析预测(2008.04.27-05.04)
未来一周将会有五一假期三天，实际工作天数只有四天。这也是取消五一长假期后的第一个五一假期。以往的五一长假期往往都是电脑销售的淡季，但是假期前又往往是数码产品销售的旺季。今后的短假期是什么样目前还不清楚，但是我们预计就不会比以往的长假期的差。
5月2日－5月8日为奥运圣火在香港、澳门、广州、深圳传递期间，而未来几个月又为临近奥运会期间，目前的额保安工作已经明显加强，尤其是出入境的检查工作。相信这将对部分以灰色通道进口的货物构成影响，尤其是内存，反应到供应上就是数量有所减少。
DDR400：
形势分析：
由于受到DDR2价格反弹的刺激，现货市场DDR400的价格上周基本维持稳定，并未出现下滑。
前面我们讲过，现实市场DDR400实际供应厂家数量和供应量均已增加，DDR400的供需逐步呈现轻微供大于求的局面，但是近期厂家均能理性控制，价格基本维持一个区间内盘整。
现货市场还是明显受到供应厂家的增加的影响，未来价格还是有机会逐步缓慢的走软。目前竞争双方主要是韩国的Hynix和台系的白板颗粒。由于DDR2的价格长期处于成本区附近徘徊，部分厂家前期已经转产或增产DDR400。
DDR400的需求仍在持续萎缩，因此未来DDR400的价格仍会出现下滑，目前厂家只是在季初没有财务压力的情况下暂时达成动态平衡而已。
需求方面，DDR400的需求总体仍旧保持比预期要好很多的状态，并且萎缩的速度也并不快。
结论：
我们对DDR400的中线走势继续维持“中偏软”的研判。
在DDR2价格没有好转之前，Hynix DDR400的价格也难以好转，短线将会在1.60美金附近展开盘整，中长线仍有较大机会跌至1.30美金附近。
下周DDR400的走势将会继续维持总体轻微的震荡下跌或是盘整走势的机会较高，即维持“偏软或中性”的研判，建议暂时观望为主！
DDR2：
形势分析：
在时序进入二季度初之际，DRAM厂家没有财报压力的情况下，厂家继续控制出货的节奏和数量，并将多余的库存放在自家的车库里，想以时间换空间，等待下半年的需求好转和制程提高后的成本下降，来获得更好的利润，目前这一策略对于厂家而言已经起到阶段性的成果。
但是情况真的如部分厂家预期的那样出现逆转吗？情况似乎还很微妙！
DRAM及NAND价格首季大跌逾30％，但全球最大记忆体厂韩国三星电子昨日仍维持半导体事业营业利益率在4％，面对其它DRAM厂的合纵连横动作频仍，三星为了维持龙头地位，意外宣布今年DRAM出货量将较去年增加1倍、NAND则增加1.3倍，市场预估今年年底前DRAM及NAND价格恐难止跌。
中芯退出DRAM市场，日德二大DRAM厂尔必达及奇梦达宣布技术合作，美光又与南亚科合资亚美科技，DRAM产业的整并加速，也让市场普遍认为，DRAM价格已经到底，随时都有反弹调涨的机会，尔必达、南亚科、力晶等业者，甚至于乐观预估五月DRAM合约价可望调涨10％至20％。
面对市场整并造成的市占率流失压力，三星电子已决定重下杀手。三星24日法说会中指出，今年将大扩记忆体产能，包括DRAM出货量将较去年增加1倍，NAND出货量则会较去年大增1.3倍。
同时，三星晶片事业部副总监Yeongho Kan还对分析师指出，NAND第一季的价格较上一季下跌约30％，预计本季的价格降幅将只有个位数百分比，至于DRAM第一季价格较上一季下跌了20％，预计今年平均价格将较去年下跌约50％。
三星意外宣布将扩大记忆体产能，虽然目的是为了维持市占率，但却已让台湾外记忆体厂感到沉重压力。台湾DRAM厂指出，原本希望本季价格可以逐月回升，主流产品512Mb DDR2颗粒价格至6月时调涨到1.5美元，但若以三星的扩产动作来看，海力士、尔必达、美光等业者一定也会为了维持市占率而跟进扩产，所以对本季及下半年DRAM价格看法，应当再转回保守态度为宜。
此外根据统计数据，去年512Mb DDR2均价约2.4美元至2.8美元间，若三星预估成真，则今年DRAM全年均价将跌至1.2美元至1.4美元间，以DRAM厂目前70奈米颗粒平均总成本（full cost）约1.8美元至2美元来看，DRAM产业今年已难逃避亏损扩大命运。
这真可谓是一波未平有来一波！
让我们来看看目前大陆市场的情况，大陆现货市场需求维持常态，总体一般，供应相对充足。上周大陆市场目前三大件的价格上升主要原因是由于自上周开始的奥运火炬传送前的打击犯罪行动，尤其是是海关加强了缉私力度。 奥运火炬将与5月2日到达香港，然后传至澳门、海南、广州，并于5月8日到达深圳。
目前市场的信心稍微好于前期，内存市场商家均少量囤货。但是终端需求由于三大件的价格上升均开始将手中的订单释放出来，短期促成了一个需求旺盛的局面，但是就不会长久。
据了解，上周开始，现货市场的内存进口数量已经明显下降，这主要由于其中相当一部分采取的是灰色通道进口的商家暂停进货造成的。预计在5月8日前，这种情况将会维持，内存的价格将会维持在高位，但这不代表颗粒价格也会维持在高位或者继续上升，因为全球DRAM市场的供求关系并未真正好转。
前一周周我们谈到悲观气氛在近期得到很好的修补，市场气氛总体上已经接近中性，而上周市场的气氛已经开始呈现中性偏多的气氛。
由于目前市场总体实际仍处于供大于求状态，多数DRAM厂家只是由于亏损导致杀跌的意愿不强，坚守变动成本底线的意图强烈。但是对于长期的DRAM价格走势作为龙头企业的韩系厂家三星的态度无疑将起到主导作用，但是非常不幸的是三星的前几日放的上述增产表态无疑已经宣告目前的反弹可能还是昙花一现。
结论：
由于奥运圣火传递导致到货减少和日、台系厂家急于拉升等原因，我们预计下周DDR2的价格维持偏强的区间盘整的机会较大，但是继续上升空间也有限，操作上建议逢高减磅。
我们对于下周的DDR2走势改持“中性”的研判，未来的5月中旬后将是敏感期。一般而言，如果在失去韩系厂家的配合下，台系的涨价期望或许只是一个泡沫，但是一切都难以预料，后市还是有待于观察。
操作建议：
下周逢高减磅。
后续继续维持波段操作策略，即逢低吸纳，逢高减磅。
Nand Flash：
形势分析：
由于终端需求未能得到改善，仅靠投机炒作支撑的行情明显后劲乏力，上周的价格开始出现回调。由于上半年的Nand Flash的供大于求的问题没有从更本上解决，未来价格走软的可能性还是偏高。但是在接近部分厂家成本区附近的情况下，杀跌动能和意愿均已不强，未来短线的价格下跌空间不大，价格中线会逐步呈现区间震荡的走势。
三星电子周五预测，今年DRAM记忆晶片出货成长逾100%，同时，NAND快闪记忆晶片出货将激增130%。三星在法说会上作了上述乐观预测，双双远高于整体业界预估的成长水准。这说明三星要为巩固其作为行业领导者的地位而开始痛下杀手，阻吓竞争对手和击退追赶者。
总体而言，今年的记忆体是对消费者有利的一年，产能足够大，可能你几乎不必担心没有货。那么价格的飙升或许只是昙花一现，至少中短期是这样的。
大陆市场的需求依旧疲软，暂时没有改善。这主要是因为缺乏革命性的产品诞生来带动需求，而寄以厚望的SSD普及起来可能还是时日，这主要是因为价格原因。
结论:
我们对下周的Nand Flash改持“中性或中偏软”研判。
建议：短线价格维持震荡的机会较大，大幅上升和下跌机会均不大。
6月底前我们都将维持原来的操作建议：下跌途中观望，价格出现平稳盘整时可适量进货，价格上升暂以消化库存为主，不宜完全空仓。由于价格的前期下跌总体幅度已经较大，要避免恐慌杀跌，但也不要追涨。
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场的炒作气氛继续升温，总体市场投机行为小幅增加，多数商家对后市的看法改持“中偏多”看法，但是市场炒家活动总体规模处于中偏低水平，中等强度的炒作还是偶有发生。上周炒作指数上升到80分水准（满分100分），市场关注度上升到90分水平，市场终端需求维持正常，成交量上升到85分水平附近，目前市场处于轻微供大于求的状态。台系厂商拉升意图明显，但是需求端和韩系厂商并不配合。
上周Nand Flash的关注度维持下降到80分水平，市场的炒作气氛有所收敛，终端需求正常，成交量下降到75分水准，整体价格开始回调，未来走势将主要取决于需求，但是就不乐观，预判中轻微偏软的机会较大。
下周内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
1GB DDR2 800 |
135－145 |
区间盘整或期轻微跌走势 |
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Hynix兼容条 |
512MB DDR400（64MbX8颗粒） |
95-105 |
轻微下跌或盘整走势 |
下周DRAM颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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UTT、eTT |
512Mb DDR2 800 |
USD0.95-1.02 |
区间盘整或轻微下跌走势 |
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UTT、eTT |
1Gb DDR2 800 |
USD1.95-2.05 |
区间盘整或轻微下跌走势 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD1.55-1.65 |
轻微偏软的区间盘整走势 |
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