上周回顾及下周分析预测

受到三星电子68奈米制程DDR2颗粒数量高达8000万颗被退货消息和主要现货市场白板颗粒厂家出货的共同影响，上周DDR2 1Gb颗粒价格跌至整数关卡附近徘徊，几乎将本次反弹的涨幅悉数跌回。模组价格就跌破前期盘整的低点，跌幅有限。 受到供求关系的变化的影响，DDR400的价格总体上继续维持偏软走势，跌幅有所加大。 Nnad Flash的走势继则维持软态，在供大于求的基本现实情况下，上周Nand Flash的价格总体继续其偏软的盘整走势，但是跌速有所加快。

上周回顾(2008.06.15-06.21)

受到三星电子68奈米制程DDR2颗粒数量高达8000万颗被退货消息和主要现货市场白板颗粒厂家出货的共同影响，上周DDR2 1Gb颗粒价格跌至整数关卡附近徘徊，几乎将本次反弹的涨幅悉数跌回。模组价格就跌破前期盘整的低点，跌幅有限。
受到供求关系的变化的影响，DDR400的价格总体上继续维持偏软走势，跌幅有所加大。
Nnad Flash的走势继则维持软态，在供大于求的基本现实情况下，上周Nand Flash的价格总体继续其偏软的盘整走势，但是跌速有所加快。

下周走势分析预测(2008.06.22-06.28)

DDR400：

上周的DDR400的价格小幅下滑，相对于前期的缓跌而言，跌幅有所加大。

前期我们谈到过这次的价格下滑的原因不同以往，主要源于DDR400的需求一直在逐步萎缩并导致供求关系正在发生质变，即向供大于求转变。中短期内DDR400的价格都难以出现明显的反弹，下跌为主旋律。

由于未来6月底前，考虑到DDR2的价格将可能维持在既有的区间内进行偏强的震荡走势，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌，除非DDR2的价格出现大幅反弹。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以受到DDR2涨价的传导而上扬，短线价格将会轻微走软。

下周DDR400的走势将会继续维持总体弱势盘整走势的机会较高，我们就维持“中性或中偏软”的研判，建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法。

对于6月份的DDR400的走势我们秉持“中偏空”的研判，预计价格总体将会缓慢下跌。

DDR2：

形势分析：

尽管三星出面辟谣，但市场仍明显受到三星被退货的负面消息的影响，上周颗粒盘商套现行为明显。

1Gb DDR2 eTT颗粒的价格最低曾瞬间跌至1.99美金，随后在卖盘2.00美金以下惜售有和买盘逢低吸纳的共同影响下，最终导致收市价格维持在2.00－2.01美金之间，市场成交明显加大，但是仍不足以和旺季相比。

受到这一意外消息的影响，市场气氛有所转变，但是实际上还是商家基于全球市场需求仍疲软的合理反应。另外目前的供求平衡主要原因也是供应端的控货的结果，非需求增加导致的，因此市场商家审慎态度就不难理解了，毕竟去年以来大家亏得太多了，淡季多数情况下先跑都是对的。

现货模组市场受到消息的影响，三星原装内存的价格大幅下滑，其中1GB 667和800分别跌至18.70美金和20.5美金附近。金士顿内存的价格也轻微下滑至19.70美金和20.20美金附近，人民币价格为137元和139元。其他品牌内存的价格均轻微下滑，威刚1GB 66和800人民币价格跌至131元和138附近，1GB 667宇瞻的价格跌至135元和140元，金士泰1GB 667价格跌至130元和137元以下。（以上价格均为批发价格）

总体而言，由于目前仍是传统的淡季，价格维持区间盘整态势符合常理。我们注意到的是，目前的品牌模组价格换算为颗粒价格后仍低于当天的颗粒价格，也就是说按当天的颗粒价格计算出的品牌模组的成本后，大多数品牌内存的当天售价是处于赔钱的状态。

市场气氛目前总体开始转趋“中性”，对后市开始不那么乐观了。现货市场库存处于06年下半年以来的最低点，平均库存水位仍不到10天，这也是我们自前年监测到的库存水位最低的一次。只是需求目前尚较差，库存消化也相对较慢。

随着天气的好转和学生暑期假期的来临，未来几周的需求会稍微好转一些的机会偏大。但是受到油价上升的影响，终端市场的需求未来将会受到负面影响。总体上，7月份的需求将略会好于6月份，但是我们预计提升的幅度就有限，因为新增需求大部分将转向品牌机市场。

前面我们谈到，目前的多余的库存主要位于上游DRAM厂家的自家的仓库中，中下游的库存量相对有限。从上周的情况来看，颗粒的杀跌动能还是偏大也反映了这个基本现实。

6月底前的价格走势已经说明，目前的市场仍然面临供应偏大和需求不足这两个基本现实。7月份的价格或许合约价格会涨，但是现货市场就难以出现能够令人激动的走势。预计小涨小跌的局面将会得到维持的机会较大。

DRAM厂家内部已经开始“减产”动作，只是这个动作实际是以减缓和暂停增产的方式来进行的，并且以时间换空间的方式进行，因为内存的单机搭载量已经大幅提升，7－9月份的价格将会有机会体现其减产的成果.

但是三星比较坚决的扩产态度，意味着下半年走势出现反转的机会不大。

结论：

内存方面，我们对于下周内存的DDR2走势继续维持“中性”的研判。

对于下周的颗粒价格我们持“中性或中偏多”的机会较大，由于前期价格下跌较快和月底作账需要，预计月底前价格将会轻微反弹。

操作建议：

继续维持波段操作策略，即维持一定仓位的情况下，区间内逢低吸纳，逢高减磅。价格暂时出现大幅上扬的机会渺茫，对后市我们改持区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

月底做账压力下，上周现货市场出现了明显的抛压，Nand Flash价格在上周出现明显的下滑，市场气氛仍旧悲观，观望气氛浓厚。

需求面目前仍是疲软，这主要受到美国次贷风波、中国地震、国际油价高企和全球通胀的负面影响。

消息面，苹果iphone手机和三星等iphone类似手机的上市，对市场的需求刺激作用有多大，就还有待观察。毕竟今年的Flash产能较大，并非一两部新款手机就能扭转乾坤的。虽然市场对于苹果产品上市对于价格产生的拉动作用普遍已经不报太大希望，但是我们认为仍可以观察一下再说，因为毕竟有时候会有机会作为投机题材出现。

Nand Flash的价格已经再次破底，未来将会再次重复探底之路。前期的底部被彻底跌破后，未来技术上也将会再次出现触底反弹行情，但前一次的底部也将会成为本次未来反弹的顶部。随着价格的不断下滑，中短期的反弹机会正在逐步增加，下半年的Nand Flash走势依然可以密切关注，但是操作上就要避免赌博式的投机，正常经营是唯一可选的模式。

随着年底旺季的来临，Nand Flash的价格将会有一定的反弹机会，但是时间点和力度就还有待观察。基本上业内人士多数认为下半年Nand Flash仍有机会出现一定的反弹行情，我们对此就持审慎乐观的态度！毕竟目前的供求关系严重失衡。

结论：

我们对下周的Nand Flash维持“中性或中偏软”研判，继续观望为主。

未来下半年的Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。

建议：短线价格维持弱势震荡的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛平静，总体市场投机行为低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数上降至60分水准（满分100分），市场关注度上处于75分水平，市场终端需求维持正常，成交量维持70分水平附近未变，目前市场处于轻微供大于求的状态，并接近供求平衡。

上周Nand Flash的关注度维持75分水平，投机活动在MicroSD市场有所升温。市场的气氛低迷，终端需求一般，成交量下降在70分水准，整体价格继续维持偏软走势，未来走势将主要取决于需求，但是就不乐观，预判中短期维持轻微偏软的机会较大，但是中长期随着旺季的接近，能否有机会走强就有待观察。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	132－140	区间盘整
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	85-95	轻微走软或区间盘整走势

 
下周DRAM颗粒价格走势预测

 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.96-1.03	区间盘整
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.95-2.10	区间盘整，或是偏强盘整
Hynix	512Mb DDR400	USD1.38-1.48	区间盘整走势或轻微下降