上周回顾及下周分析预测

现货市场和合约市场的价格背离越发严重的情况下，上周DRAM现货市场的DDR2价格总体继续下滑，最低时1Gb DDR2 eTT颗粒价格曾经跌至1.84美金。而品牌模组的价格则一路下滑，没有任何反弹的机会。 由于市场需求平静和需求疲软，DDR400的价格未能继续反弹走势，价格也同步走软。 Nnad Flash在市场热炒苹果采购大量三星Nand Flash颗粒的消息的刺激下，上周的Nand Flash价格开始了新的一轮反弹行情，MicroSD的价格也同步走高。

上周回顾(2008.06.29-07.06)

现货市场和合约市场的价格背离越发严重的情况下，上周DRAM现货市场的DDR2价格总体继续下滑，最低时1Gb DDR2 eTT颗粒价格曾经跌至1.84美金。而品牌模组的价格则一路下滑，没有任何反弹的机会。

由于市场需求平静和需求疲软，DDR400的价格未能继续反弹走势，价格也同步走软。

Nnad Flash在市场热炒苹果采购大量三星Nand Flash颗粒的消息的刺激下，上周的Nand Flash价格开始了新的一轮反弹行情，MicroSD的价格也同步走高。

下周走势分析预测(2008.07.07-2008.07.13)

DDR400：

由于DDR400多次上演月底或月初的反弹行情，大家已经不为所动。更为重要的是目前的需求不好，而DDR400的需求又在不断萎缩中，所以几乎所有商家均采取按兵不动的策略，导致需求冰冻，颗粒价格于是出现再次下滑也就不难理解了。

6月底我们谈到过这次的价格下滑的原因不同以往，主要源于DDR400的需求一直在逐步萎缩并导致供求关系已经发生质变，即向供大于求转变。中短期内DDR400的价格都难以出现明显的反弹，下跌将仍为主旋律。

由于未来一段时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持在既有的区间内进行震荡走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌，除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以持续大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势。

下周DDR400的走势将会继续维持总体弱势盘整走势的机会较高，我们就维持“中性或中偏软”的研判，建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法。

对于7月份的DDR400的走势我们秉持“中偏空”的研判，预计价格总体将会缓慢下跌。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场1Gb DDR2 eTT颗粒的价格继续在2美金以下的位置盘整，周三由于市场出现恐慌性杀跌，一度1Gb DDR2的价格跌至1.84美金，后逢低买盘介入，将价格逐步推升到1.90美金以上，但是达到1.95美金时买盘就消失了，反弹随即完全止步。

模组价格则是另一番景色，整周维持惯性下挫，以1GB DDR2 667为例，其中金士顿的价格跌至131元附近，威刚的省代价格则跌破130元关卡，宇瞻代理价格也跌至130元。

在诸多利空因素的共同作用下，全球市场需求疲软，未来的走势似乎充满变数，7月中旬以后的走势较为微妙。目前的现货市场又再一次笼罩在去年下跌的阴影之中，并且市场的气氛总体处于“中性”或者“中偏空”。

尽管合约市场相对稳定，但是受到现货市场价格走软和需求疲软这两个因素的影响，7月份合约价格继续上升的机会就会大幅减少。

由于7、8月份是暑期，随后就会有欧美和大陆的返校需求，尽管市场同时也受到油价上升的带来的负面影响，但是终端市场的需求还是有机会轻微转好。

我们就预计现货市场的提升的幅度就相对有限，因为新增需求大部分将转向品牌机市场，而现货市场的主要DRAM厂家的产能持续增大的情况下，我们对7月份的现货市场的价格走势持审慎的态度。

6月底及7月初前的价格走势已经说明，目前的现货市场仍然面临供应偏大和需求不足这两个基本现实。

市场处于恐怖的动态平衡之中，现货市场颗粒价格的下滑对7月份合约价格的上涨构成不利影响，目前来讲继续上升的机会不大。

而短期现货市场也难以出现能够令人激动的反转走势，预计小涨小跌的局面将会得到维持的机会较大。

结论：

内存方面，我们对于下周的DDR2内存的走势继续维持“中性”或“中偏空”的研判。

考虑到市场传力晶有可能下周不开盘的因素影响，对于下周的颗粒价格走势我们维持持“中性”的机会较大。

7月后半月的走势可能不容乐观，但是也不会大跌，小跌的机会偏大。建议以观望为主，操作上尽量降低库存。

继续维持波段操作策略，即维持一定仓位的情况下，区间内逢低吸纳，逢高减磅。价格短期暂时出现大幅上扬的机会渺茫，对后市我们认为维持偏弱的区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

在三星将部分产能用于为苹果生产产品的消息刺激下，上周现货市场Nand Flash的价格开始反弹，其中涨幅以苹果需要的8Gb颗粒为最。

在前期价格崩跌走势中，现货市场商家的库存接近枯竭，而上游厂家的突然释放利好消息并锁货之后，经过短暂的一天的观望后，部分下游商家追涨杀跌的本性使透明开始开始补货，价格随即在巨大需求的推动下出现大幅上扬。

当价格接近生产厂家成本区时，再次出现了新的一轮反弹行情虽不意外，但是商家却普遍感觉到行情确实难以把握，不可预测！此外这波行情是否能够维持下去、维持多久就有待观察！

厂商再次出现借助新的iPhone手机的上市来拉升价格情况。前期我们谈到即使上扬也是短线的，总体上碍于目前的供大于求的现状，价格的反弹均是短暂的和来自上游的控盘，并非完全来自需求。

受到美国次贷风波、中国地震、国际油价高企和全球通胀的负面影响，尤其是北美市场和大陆市场这两个全球最大的单一市场的经济出现下滑对需求的影响尤其为大，全球市场的需求目前仍旧疲软。缺乏革命性的产品和产能过大是目前导致是Nand Flash弱势走势积重难返的两个根本原因。

Nand Flash技术性的反弹出现后，那么未来它的顶部在何处呢？反弹会持续多长时间呢？

面对这一次突如其来的反弹，我们要说的是为了梦想中的一次反弹市场许多商家已经付出了太多代价，近一年多Nnad Flash的每一次像样的反弹就是像这次一样的突然和不可预知。

目前市场总体仍处于供大于求，短期只是由于上游厂商控货和市场商家买涨不买跌的情况下造成局部供小于求，并出现价格上扬。从这次的各个容量上涨的幅度情况来也能说明这个问题，8Gb是这次上涨幅度最大，其次是16Gb，而32Gb就不明显，因为8Gb颗粒是苹果订购的主力产品，同时也是市场炒作的主要对象。

这次反弹或是年底旺季前Nand Flash的最后一次像样的反弹，只是后续持续的时间点和力度就还有待观察。此次反弹进行到目前这阶段，其价格已经接近30天均线价格，就建议操作上要秉持审慎的态度。

结论：

我们对下周的Nand Flash改持“中性或中偏强”研判，由于上周的反弹较快，操作上建议继续以审慎的操作为主。

对于7月份余下时段的走势我们持“中性”或“中偏强”的研判，反弹出现后更不宜盲目追高和加大仓位，未来的继续上升的空间有限。因为根据近一年的走势来看，反弹一般很快就会达到高点，一般上升的时间不会超过两周的时间，目前的风险已经加大。

未来下半年的Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。

建议：短线价格维持震荡的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛开始转趋悲观，总体市场投机行为低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中性或中偏空”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数上降至60分以下水准（满分100分），市场关注度上处于75分水平，市场终端需求维持正常，成交量维持70分水平附近未变，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash由于MicroSD价格的继续反弹，关注度上升90分水平，投机活动在MicroSD市场继续升温。市场的气氛开始活跃，终端需求上课，成交量维持在90分水准附近，整体价格继续维持偏强走势，未来走势将主要取决于需求，但是就不乐观，预判中长期维持轻微偏软的机会较大，短期的价格就会维持强势。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	130－139	区间盘整或下跌
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	85-95	轻微走软或区间盘整走势

下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.93-1.02	区间盘整或轻微下跌
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.90-2.00	区间盘整，或偏软盘整
Hynix	512Mb DDR400	USD1.40-1.50	区间盘整走势或轻微下降