上周回顾及下周分析预测

现货市场和合约市场的价格背离越发严重的情况下，上周的合约价格平开预示着合约市场的需求仍不够乐观。DRAM现货市场的DDR2价格总体继续下滑，最低时1Gb DDR2 eTT颗粒价格曾经瞬间跌破1.80美金。而品牌模组的价格则一路下滑，几乎没有任何反弹的机会。 由于市场需求平静，DDR400的价格继续缓慢下滑，价格也同步缓慢走软。 Nnad Flash未能延续反弹走势，半路夭折！上周的Nand Flash价格总体偏软，MicroSD的价格也同步走软。

上周回顾(2008.07.07-2008.07.13)

现货市场和合约市场的价格背离越发严重的情况下，上周的合约价格平开预示着合约市场的需求仍不够乐观。DRAM现货市场的DDR2价格总体继续下滑，最低时1Gb DDR2 eTT颗粒价格曾经瞬间跌破1.80美金。而品牌模组的价格则一路下滑，几乎没有任何反弹的机会。

由于市场需求平静，DDR400的价格继续缓慢下滑，价格也同步缓慢走软。

Nnad Flash未能延续反弹走势，半路夭折！上周的Nand Flash价格总体偏软，MicroSD的价格也同步走软。

下周走势分析预测(2008.07.14-2008.07.20)

DDR400：

由于DDR333的价格大幅下滑，导致其分流了DDR400的部分需求，而DDR400的需求的不断萎缩也加重了DDR400的下跌压力。

现货市场的商家普遍采取采购DDR333颗粒然后升级至DDR400的办法来降低成本，几乎市场兼容模组的全部都采用这个办法来应对日益加大的价格压力。

前期我们谈到过这次的价格下滑的原因不同以往，主要源于DDR400的需求一直在逐步萎缩并导致供求关系发生质变，即向供大于求转变。中短期内DDR400的价格都难以出现明显的反弹，下跌将仍为主旋律。

由于未来一段时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持在既有的区间内进行震荡走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌，除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以持续大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们认为DDR400已经大势已去。

下周DDR400的走势将会继续维持总体弱势盘整走势的机会较高，我们就维持“中性或中偏软”的研判，建议暂时观望为主，操作上建议坚持波段操作手法。

对于7月份的DDR400的走势我们秉持“中偏空”的研判，预计价格总体将会缓慢下跌。

DDR2：

形势分析：

现货市场上周1Gb DDR2 eTT颗粒的价格继续下跌，上周五市场商家一度出现恐慌，导致价格最低曾经瞬间跌破1.80美金，随后在逢低吸纳买盘的带动下，价格轻微反弹至1.81美金附近展开盘整。

模组价格则是另一番景色，整周维持惯性下挫，以1GB DDR2 667为例，其中金士顿的价格跌至123元-125元附近，威刚的省代价格处于123元附近，宇瞻代理价格也跌至123元附近，其它品牌悉数跌破120元的价格。周六、周日受到投机需求的和市场补货需求的影响，模组价格轻微反弹，金士顿1GB DDR2 667的价格反弹到130元附近。

全球市场在诸多利空因素的共同作用下，需求继续维持疲软，未来的走势似乎充满变数。我们维持7月中旬以后的走势较为微妙。目前的现货市场又再一次笼罩在去年下跌的阴影之中，并且市场的气氛总体处于“中性”或者“中偏空”。

由于上周市场出现了恐慌性的下跌，技术上本身就存在超跌反弹的要求，而周末的反弹无疑把这个反弹的时间给提前了，但是提前的反弹同时预示着未来的短期走势可能又全无悬念了。

目前的现货市场继续受到供大于求的影响，利空消息不断，市场近期又传出南亚有几百K的模组被OEM厂家退回。一般情况下，被退回的模组都会被抛向现货市场的，这将对脆弱的市场造成负面影响。

结论：

内存方面，我们对于下周的DDR2内存的走势维持“中性”的研判。

对于下周的颗粒价格我们维持持“中性”的机会较大，预计下周价格将会维持盘整或轻微反弹的机会较大。

7月份的走势可能不容乐观，但是也不会大跌，小跌的机会偏大。建议以观望为主，操作上尽量降低库存。

继续维持波段操作策略，即维持一定仓位的情况下，区间内逢低吸纳，逢高减磅。价格暂时出现大幅上扬的机会渺茫，对后市我们维持偏弱的区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

尽管前一周厂商再次出现借助新的iPhone手机的上市来拉升价格的情况，但是上碍于目前的供大于求的现状，价格的反弹事实也是短暂的，并且确实是来自上游的控盘，而非完全来自需求，因此我们在上期也谈到即使上扬可能也是短线的，

受到美国次贷风波、中国地震、国际油价高企和全球通胀的负面影响，全球市场的需求目前仍旧疲软。缺乏革命性的产品和产能过大是目前导致是Nand Flash弱势走势积重难返的两个根本原因。

Nand Flash技术性的反弹出现后，仅仅前后维持了不到两周时间，时间之短虽然出乎预料，但是又符合情理。

由于手机市场的疲软，Micro SD的需求有所下降，目前产品需求具体到容量上主要集中在512MB和1GB上。

而颗粒的销售方面则受到目前的市场上的产品已经成熟，暂时又没有革命性的产品诞生，因此目前的产品是消化不不了目前的产能，这个问题也是短期难以解决的。

结论：

我们对下周的Nand Flash维持“中性”或“中偏空”研判。

未来下半年的Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束，但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险。

建议：短线价格维持震荡的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛开始转趋悲观，总体市场投机行为低于平均水准以下，周末炒作气氛有所抬头。多数商家对后市改持“中性或中偏空”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数上升至70分以下水准（满分100分），市场关注度上上涨到80分水平，市场终端需求维持正常，成交量维持70分水平附近未变，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash由于MicroSD价格开始下滑，市场的关注度下滑到80分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛开始活跃，终端需求一般，成交量下滑到80分水准附近，整体价格似乎已经结束反弹走势并开始走软。未来走势将主要取决于需求，但是就不乐观，预判中长期维持轻微偏软的盘整机会较大，短期的价格就会维持强势。
 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	126－136	区间盘整
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	85-95	轻微走软或区间盘整走势

下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.90-0.96	区间盘整或轻微走强
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.80-1.95	区间盘整或轻微走强
Hynix	512Mb DDR400	USD1.40-1.52	区间盘整走势或轻微下降