上周回顾及下两周分析预测

在市场预期的第三季度旺季需求没有看到和全球市场需求疲软的共同作用下，上周现货市场的DDR2模组和颗粒价格同步下跌，市场观望气氛浓厚。 由于市场DDR400需求微缩，上周DDR400的价格继续缓慢下滑。 Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

上周回顾(2008.07.14-2008.07.20)

在市场预期的第三季度旺季需求没有看到和全球市场需求疲软的共同作用下，上周现货市场的DDR2模组和颗粒价格同步下跌，市场观望气氛浓厚。
由于市场DDR400需求微缩，上周DDR400的价格继续缓慢下滑。
Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

下两周走势分析预测(2008.07.21-2008.08.03)

DDR400：

由于前期DDR333价格便宜过DDR400的价格较多，导致DDR333分流了DDR400的大部分需求，而DDR400的需求的不断地缓慢萎缩也加重了DDR400的下跌压力。

现货市场的商家采取采购DDR333颗粒升级至DDR400的办法来降低成本，现货市场全几乎部DDR400的兼容模组都采用这个办法来应对日益加大的价格压力。

由于DDR400的需求一直在逐步萎缩并导致供求关系发生质变，即向供大于求转变。中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，缓步下跌将仍为未来两周的主旋律。

由于未来一段时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持在既有的区间内进行区间盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们认为DDR400已经大势已去。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中性或中偏空”的研判，预计价格总体将会维持缓慢下跌的走势。建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场尽管厂家固守1Gb DDR2 800 eTT颗粒1.80美金不破的意愿强烈，但是512Mb颗粒的价格却已经跌破0.90美金的价格，同时这预示着未来的价格走势仍旧难以乐观。

模组价格则是另一番景色，整周维持惯性下挫走势。以1GB DDR2 667为例，其中金士顿的价格已经跌至120元附近，最低价格已经跌破120元关卡；威刚的省代价格也跌破120元，宇瞻代理价格也跌至120元附近，其它品牌悉数跌破120元的价格。这显示市场的库存虽然经过了长达半年的消化，但是仍旧不理想。

近期由于奥运临近，海关严查走私的情况下，部分通过走私入境的货物的数量开始减少，这直接导致了近期的CPU和HDD价格的上升。受此影响，近期的DIY市场的装机数量的出现下降，反而导致了模组需求和价格的下降，未来这种趋势或更强。

目前的现货市场继续受到供大于求的影响，利空消息不断，而三星如果继续大量抛售原装模组，那么未来将可能最终导致1Gb eTT颗粒失守1.80美金关卡。因为在供大于求的现实环境里，DRAM厂家可打的牌几乎没有，即使有牌可打效果可能也有限。

未来两周我们可以预计得到的情况是，需求维持疲态的机会较大。随着奥运气氛日益活跃，市场的注意力和热点开始陆续向奥运转移，电脑的需求会减弱，价格维持底部徘徊震荡...
也就是说，DRAM的走势可能毫无悬念，是否真的如此就有待观察。

结论：

内存方面，我们对于下两周的DDR2内存的走势维持“中性或中偏软”的研判。

颗粒方面，对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏软”的研判，预计下两周价格将会维持盘整或轻微下滑的机会较大。

7月下旬的走势可能不容乐观，但是也不会大跌，小跌的机会偏大。建议以观望为主，操作上尽量降低库存。

继续维持波段操作策略，即维持一定仓位的情况下，区间内逢低吸纳，逢高减磅。价格暂时出现大幅上扬的机会渺茫，对后市我们维持偏弱的区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

受制于Nand Flash的产能偏大和需求渐趋稳定成熟的基本现实，Nnad Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势，没有任何改变。

业者对于第三季度的良好期待或许只是“海市蜃楼”式的幻想，尽管现在下结论还为时尚早，但是基于未来风险提示，我们还是提醒大家Nand Flash的价格理论上在全年都是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑。

受到美国次贷风波、中国地震、国际油价高企和全球通胀的负面影响，全球市场的需求的疲软态势在年底前不会有改变。而缺乏革命性的产品和产能过大正是目前导致是Nand Flash弱势走势积重难返的两个根本原因，需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游短暂的锁货行为，而长期仍需要供求关系渐趋平衡。但是就目前来看，供求关系难以出现实质的好转，但是技术上的超跌反弹还是会时不常出现的。

由于手机市场的疲软，Micro SD的需求有所下降，产品需求具体到容量上目前主要集中在512MB和1GB上，其价格也会随着价格而稍微滞后下跌。

而颗粒的销售方面则受到目前的市场上的产品已经成熟，暂时又没有革命性的产品诞生的影响，目前的产品是消化不不了目前的庞大产能，这个问题也是短期难以解决的。

结论：

我们对下周的Nand Flash维持“中性”或“中偏空”研判，。

未来下半年的Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束，但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险。

建议：短线价格维持震荡的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛开始转趋悲观，总体市场投机行为低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数降至60分以下水准（满分100分），市场关注度上下降到70分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量下降到65－70分水平之间，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash总体维持疲软走势，MicroSD价格也轻微下滑，市场的关注度下滑到75分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛转趋低迷，终端需求一般，成交量下滑到75分水准附近，未来走势将主要取决于需求，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	110－130	区间盘整或轻微下跌
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	85-95	轻微走软或区间盘整走势

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.75-0.90	区间盘整或轻微下滑
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.70-1.85	区间盘整或轻微下滑
Hynix	512Mb DDR400	USD1.40-1.50	区间盘整走势或轻微下降