上周回顾及下两周走势分析预测

上周回顾(2008.08.04-2008.09.10)

由于接近奥运开幕式，终端消费者的注意力发生转移后，导致电脑的现货市场需求平淡，商家也无心恋战。

总体上，上周的DDR2价格依旧维持弱势震荡的格局没有任何改变。而鉴于DDR400需求萎缩而供应相对充足，上周DDR400的价格继续维持缓慢下滑的态势。

Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

下两周走势分析预测(2008.08.11-2008.08.24)

DDR400：

由于DRAM厂家转产DDR400的效果持续发酵，而DDR400的需求又在不断地缓慢萎缩，因此供大于求的局面得以维持，价格的下滑就显得不可避免。

中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律。
在未来两周的时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持在既有的区间内进行区间盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们认为DDR400已经大势已去。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中偏空或中性”的研判，预计价格总体将会维持缓慢下跌的走势。建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场平静，1Gb DDR2 800 eTT颗粒围绕1.80美金价位展开盘整，但是512Mb800MHz颗粒的价格却早已在0.80美金以下了，这这揭示着市场存在着庞大的512Mb颗粒库存，因此未来的价格走势仍旧难以乐观。

模组价格方面，受到奥运影响，海关打击走私日趋严厉，整周模组价格维持盘整走势。
以1GB DDR2 667为例，其中金士顿的价格在接近120元附近的区间盘整；其它品牌的价格均在120元以下。这显示市场的库存虽然经过了长达半年的消化，但是仍旧不理想；8月份相对于需求的不理想而言，供应过大的问题就更为严重了。

近期由于奥运临近，海关严查走私的情况下，部分通过走私入境的货物的数量开始减少，这直接导致了近期的CPU和HDD价格的上升。受此影响，近期的DIY市场的装机数量的出现下降，反而导致了模组需求和价格的下降，未来这种趋势或更强，市场一些商家希望模组价格出现大幅上升的愿望可能要落空。

目前几乎大部分的DRAM厂家均在进行由70nm向6Xnm制程转换工作，而少部分DRAM厂家已经先行转制成功，例如三星。据资料介绍，6Xnm制程相对于70nm的制程而言，成本将下降30％以上，产能提升10％以上。

目前应对返校需求的采购已经结束，未来两周的DDR2的需求少了OEM的强力需求后，合约价格近期也将难以有所表现，下滑的压力大增。如果再有反弹的机会或许要等到圣诞需求了。

未来两周，现货市场的需求维持疲态的机会较大。随着奥运会的进行，市场的注意力和热点仍主要在奥运上，电脑的需求会继续维持疲态，价格也将维持底部徘徊震荡走势的机会较大。但是随着奥运的结束，在8月底前后，将会有一波返校需求，但是仍不足以支撑价格的大幅反弹。

结论：

未来两周：

内存方面，我们对于下两周的DDR2内存的走势维持“中性或中偏软”的研判。

颗粒方面，对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏软”的研判，预计下两周价格将会维持弱势盘整或轻微下滑的机会较大，建议以观望为主。

操作上，继续维持波段操作策略，即维持一定仓位的情况下，区间内逢低吸纳，逢高减磅。
价格暂时出现大幅上扬的机会渺茫，对后市我们维持偏弱的区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

受制于Nand Flash的产能庞大和需求渐趋稳定成熟的基本现实，Nnad Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势，没有任何改变。

受到美国次贷风波、中国地震、国际油价高企和全球通胀的负面影响，全球市场的需求的疲软态势在年底前不会有改变。而缺乏革命性的产品和产能过大正是目前导致是Nand Flash弱势走势积重难返的两个根本原因，需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游短暂的锁货行为，而长期仍需要供求关系渐趋平衡。但是就目前来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是技术上的超跌反弹还是会时不常出现的。

而颗粒的销售方面则受到目前的市场上的产品已经成熟，暂时又没有革命性的产品诞生的影响，目前的产品是消化不不了日益庞大的产能，这个问题也是短期难以解决的。

这里需要说明的是SSD的稳定性的难题仍将是制约其成为市场主流的一个关键因素。这个问题如果不能很好的解决，将会影响其成为革命性产品进程的时间。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑。

Nnad Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格特点就是不断的下跌，反弹的机会不大，且幅度有限。

结论：

我们对下周的Nand Flash维持 “中偏空”或“中性”研判。

第三季度的Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开。

建议：短线价格维持震荡下跌的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛轻微悲观，总体市场投机行为低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数降至60分以下水准（满分100分），市场关注度上下降到70分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量维持在65－70分水平之间，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash总体维持疲软走势，MicroSD价格也轻微下滑，市场的关注度下滑到75分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛转趋低迷，终端需求一般，成交量为此在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

下周DRAM颗粒价格走势预测