未来两周价格走势分析预测

下两周走势分析预测(2008.08.25-2008.09.10)

DDR400：

由于DRAM厂家转产DDR400的效果持续发酵，尤其是Hynix将Flash的产能转至DRAM后效果明显；而DDR400的需求又在不断地缓慢萎缩，因此供大于求的局面得以维持并放大，上周的价格也出现了明显的下滑,其中Hynix 512Mb DDR400最低跌至1.15美金附近。

中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律。尽管月初有时会有所反复，但是不会改变总体走势。

在未来两周的时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持在既有的区间内进行区间弱势盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们认为DDR400已经大势已去。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中偏空或中性”的研判，预计价格总体将会维持缓慢下跌的走势，注意月初的“例行”反弹。

建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法。

DDR2：

形势分析：

受到奥运会的影响，上周现货市场继续维持平静，1Gb DDR2 800 eTT颗粒价格缓慢下滑至1.71－1.72美金之间的区间内盘整。但是512Mb800MHz颗粒的价格却跌至0.70－0.72美金之间，这这揭示了市场仍存在着庞大的512Mb颗粒库存等待消化，因此未来的价格走势短期难有起色。

模组价格方面，受到奥运影响，海关打击走私日趋严厉的影响，到货大幅减少，但是整周模组价格却维持盘整走势，个别畅销品牌的价格由于缺货出现短暂轻微上扬。

在前两周的后半程出现了KST 2GB DDR2 800和1GB DDR2 800缺货的现象，但是在奥运接近尾声时，我们已经看到这种情况慢慢得到解决。

以1GB DDR2 800为例，其中金士顿的价格在接近110元附近的区间盘整；其它品牌的价格均在106元附近。这显示市场的库存虽然经过了长达半年的消化，但是仍旧不理想，这里主要是指上游的通路的库存偏高；8月份相对而言，需求可能更为不理想，但供应过大的问题正在慢慢得到解决。

目前几乎大部分的DRAM厂家均在进行由70nm向6Xnm制程转换工作，而少部分DRAM厂家已经先行转制成功，例如三星。据相关资料6Xnm制程相对于70nm的制程而言，成本将下降30％以上，产能提升10％以上。

在转换制程的阶段产能的增加一般将会不是很明显，因此未来的DRAM走势将主要可能更多地受到需求和库存这两个因素影响，而供应增加的因素正在减少。

考虑到返校需求的采购已经结束，如果再有反弹的机会或许要等到应对圣诞的采购需求了。也就是说，如果未来出现反弹，需要注意的是我们讲的是反弹而不是反转，那么反弹一定是在圣诞采购的旺季之时。

未来两周，现货市场的需求将会趋于正常，较前期将会有所好转，但是不会明显好转的，也就是不会出现由于需求好转而导致的价格大幅回升，但是小幅回升的机会还是存在的。长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产情况而定。

随着奥运会的结束，市场的注意力和热点开始回归正常，电脑的需求将会有所好转，但是价格短期将会暂时维持底部徘徊震荡走势的机会较大；而中期则主要受到需求和库存水位的影响较大。

结论：

未来两周：

内存方面：内存的走势我们持“中性”的研判。1GB模组的价格安全性相对好于2GB模组。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏软”的研判，预计下两周价格将会维持弱势盘整的机会较大，512Mb颗粒的价格短期相对安全，1Gb颗粒则坚持观望为主的态度。

操作上，颗粒以512Mb为主，模组以1GB为主。1Gb颗粒和2GB模组则要小心。总体上区间内逢低吸纳，逢高减磅。

价格暂时出现大幅上扬的机会渺茫，但是不排除小幅反弹的可能性，后市区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

受制于Nand Flash的产能庞大和需求渐趋稳定成熟的基本现实，Nnad Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势，没有任何改变。

受到美国次贷风波、国际油价高企和全球通胀的负面影响，全球市场的需求的疲软态势在年底前不会有改变。而缺乏革命性的产品和产能过大正是目前导致是Nand Flash弱势走势积重难返的两个根本原因，需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游短暂的锁货行为，而长期仍需要供求关系渐趋平衡。但是就目前来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于近期价格下跌的幅度已大，技术上的超跌反弹出现的机会正在加大。

而颗粒的销售方面则受到目前的市场上的产品已经成熟，暂时又没有革命性的产品诞生的影响，目前的产品是消化不不了日益庞大的产能，这个问题也是短期难以解决的。

这里需要说明的是SSD的稳定性和价格等难题仍将是制约其成为市场主流的一个关键因素。这个问题如果不能很好的解决，将会影响其成为革命性产品进程的时间。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，超跌反弹将会随时发生。

Nnad Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格特点就是不断的下跌，反弹的机会不大，且幅度有限。因此，不应对反弹的高度有过高期望。

结论：

我们对下周的Nand Flash维持 “中偏空”或“中性”研判。

第三季度的Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开。

建议：短线价格维持震荡下跌的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛轻微悲观，总体市场投机行为低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数降至60分以下水准（满分100分），市场关注度上下降到70分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量下降到60分附近，目前市场处于轻微供大于求的状态。
上周Nand Flash总体维持疲软走势，MicroSD价格也轻微下滑，市场的关注度下滑到70分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛转趋低迷，终端需求一般，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下周DRAM颗粒价格走势预测

下周内存价格走势预测