上周回顾及下两周走势分析预测

DRAM业界盼望的旺季未能如期而至，而上游库存水位偏高，导致原来厂家固守的价格大堤崩溃，于是价格出现崩跌。 上周的eTT DDR2 1Gb的颗粒的价格两日之内就由原有的1.70美金支撑位崩跌至1.30美金附近。价格的崩跌令市场商家叹为观止，也非常残酷地反映出了目前恶劣的供求关系。 DDR400的价格继续下跌，后半周大体维持在1.03－1.07美金的区间内弱势盘整，周末前价格也暂时企稳。 Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

上两周回顾(2008.08.25-2008.09.07)

DRAM业界盼望的旺季未能如期而至，而上游库存水位偏高，导致原来厂家固守的价格大堤崩溃，于是价格出现崩跌。

上周的eTT DDR2 1Gb的颗粒的价格两日之内就由原有的1.70美金支撑位崩跌至1.30美金附近。价格的崩跌令市场商家叹为观止，也非常残酷地反映出了目前恶劣的供求关系。

DDR400的价格继续下跌，后半周大体维持在1.03－1.07美金的区间内弱势盘整，周末前价格也暂时企稳。

Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

下两周走势分析预测(2008.09.08-2008.09.22)

DDR400：

由于DRAM厂家转产DDR400的效果持续发酵，尤其是Hynix将Flash的产能转至DRAM后效果明显；而DDR400的需求又在不断地缓慢萎缩，因此供大于求的局面得以维持并放大，上周的价格也出现了明显的下滑,其中Hynix 512Mb DDR400最低跌至1.03美金附近。

中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律。尽管月初有时会有所反复，但是不会改变总体偏软的走势。

在未来两周的时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持弱势盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们自去年下半年开始就认为DDR400已经大势已去，大幅反弹的机会几乎没有。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中偏空或中性”的研判，预计价格总体将会维持缓慢下跌的走势，注意月初的“例行”反弹。

建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法，并以观望为主。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场继续维持平静，但是DDR2的价格却正应验了久盘必跌这句话。DDR2 1Gb价格在上周出现了出现崩跌，1Gb DDR2 800 eTT颗粒价格跌至1.30美金附近，512Mb800MHz颗粒的价格跌至0.68美金附近。这这反映了上游厂商和模组厂家的库存水位偏高惊人的现实，因此未来的价格走势短期难有起色。

伴随着颗粒价格的大幅下滑，各个品牌的模组价格也随之下跌，由于2GB的内存价格仍远高于目前的颗粒成本换算出的模组成本价格，因此未来两周里2GB内存的价格将会持续下滑，直至跌倒合理区间为之；1GB模组的价格就相对合理。

KST 2GB DDR2和1GB DDR2均跌破整数关卡，其中1GB 跌至95－96元，2GB跌至195元附近。其它主要模组1GB的价格也只大致如此，但相对而言2GB的价格要便宜便宜过金士顿一些。

目前几乎大部分的DRAM厂家均在进行由70nm向6Xnm制程转换工作，而少部分DRAM厂家已经先行转制成功，例如三星。据相关资料6Xnm制程相对于70nm的制程而言，成本将下降30％以上，产能提升10％以上。在转换制程的阶段产能的增加一般将会不是很明显，因此未来的DRAM走势将主要可能更多地受到需求和库存这两个因素影响，而供应增加的因素正在减弱。
考虑到返校需求的采购已经结束，如果再有反弹的机会或许要等到应对圣诞的采购需求了。也就是说，如果未来出现反弹，需要注意的是我们讲的是反弹而不是反转，那么一定是在圣诞采购的旺季之时，但是我们对此就持越来越悲观的态度。

未来两周，由于有中秋假期和临近十一长假期，现货市场的需求将会萎缩，而月底通常又是淡季厂家出货套现的时候，因此我们研判供求关系改善的机会不大。

由于此次跌价有一定的恐慌性因素在里面，而颗粒的制造成本近期并未大幅下降情况下，处于亏损状态下的厂家，在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间也均不大。长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产情况而定。

结论：

未来两周：

内存方面：内存的走势我们持“中性或中偏软”的研判，2GB模组的价格将继续下滑，1GB模组的价格将会逐步企稳。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏软”的研判，预计颗粒价格继续快速下滑的机会和空间均不大，技术上存在超跌反弹的可能性。

操作上，可以在目前价位逢低适当吸纳，逢高减磅的原则，以正常经营为准。

价格暂时出现大幅上扬的机会渺茫，但是不排除小幅反弹的可能性，后市短期区间盘整走势的机会偏大。

Nand Flash：

受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实，上周Nnad Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势没有任何改变。

受到美国次贷风波、国际油价高企和全球通胀的负面影响，全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。没有革命性的产品的诞生和产能过大这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游短暂的锁货行为，而长期仍需要供求关系渐趋平衡。但是就目前来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于近期价格下跌的幅度已大，技术上存在超跌反弹的机会。

消息面，三星收购Sandisk无疑是一个令商家感到兴趣的事件，如果这一事件成为现实，那么三星将无疑成为Nand Flash市场的巨无霸，在可以预见的时间内无人可以超越其。

而颗粒的销售方面则受到目前的市场上的现有产品成熟，暂时又没有革命性的产品诞生的影响，日益庞大的产能难以消化，供大于求的问题短期还是难以解决。

这里需要说明的是SSD的稳定性和价格等难题仍将是制约其成为市场主流的一个关键因素。这个问题如果不能很好的解决，将会影响其成为革命性产品进程的时间。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，超跌反弹将会随时发生。

Nnad Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格特点就是不断的下跌，反弹的机会不大，且幅度有限，只是近一年来的跌速过快而已。因此，不应对未来的反弹的高度有过高期望。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持 “中偏空”或“中性”研判。

未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开。

建议：短线价格维持震荡下跌的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛悲观，总体市场投机行为持续低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数降至60分以下水准（满分100分），由于价格的急跌，市场关注度上上升到85分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量下降到60分附近，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash总体维持疲软走势，MicroSD价格也轻微下滑，市场的关注度下滑到70分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛转趋低迷，终端需求一般，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。
 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	105－115	区间盘整
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	73-80	轻微走软或区间盘整走势

下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.65-0.70	区间盘整或轻微下滑
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.25-1.40	区间盘整或轻微下滑
Hynix	512Mb DDR400	USD1.00-1.10	区间盘整走势或轻微下降