上周回顾及下两周走势分析预测

受到减产消息刺激后的DDR2反弹行情无果而终完全是可以想像得到的。上周DDR2颗粒的价格缓慢下滑至接近前期的低点的位置，其中eTT 1Gb DDR2 800跌至1.34美金附近；模组价格就持续下滑，几乎未见任何反弹。周末时主要品牌1GB内存的价格已经跌至90元的附近。这显示出恶劣的供求关系并未得到更本改变。 DDR400的价格继续下跌，512Mb DDR400的颗粒的价格跌至0.94美金的附近；模组价格也同时下滑。 Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

上两周回顾(2008.09.15-2008.09.21)

受到减产消息刺激后的DDR2反弹行情无果而终完全是可以想像得到的。上周DDR2颗粒的价格缓慢下滑至接近前期的低点的位置，其中eTT 1Gb DDR2 800跌至1.34美金附近；模组价格就持续下滑，几乎未见任何反弹。周末时主要品牌1GB内存的价格已经跌至90元的附近。这显示出恶劣的供求关系并未得到更本改变。

DDR400的价格继续下跌，512Mb DDR400的颗粒的价格跌至0.94美金的附近；模组价格也同时下滑。

Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

下两周走势分析预测(2008.09.22-2008.10.05)

DDR400：

由于DRAM厂家转产DDR400的效果持续发酵，尤其是Hynix将Flash的产能转至DRAM后效果明显；而DDR400的需求又在不断地缓慢萎缩，因此供大于求的局面得以维持并放大。

上周的DDR价格继续明显下滑,其中现货市场Hynix 512Mb DDR400最低跌至0.94美金附近； 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就跌至62元。中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律。尽管月初有时会有所反复，但是不会改变总体偏软的走势。但考虑到目前的价格已经接近厂家成本区，未来价格的下跌空间有但就不大。

在未来两周的时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持弱势盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们维持自去年下半年开始就认为DDR400已经大势已去的研判，大幅反弹的机会几乎没有。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中偏空或中性”的研判，预计价格总体将会维持缓慢下跌的走势，注意月初的可能出现的“例行”反弹“。

建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法，并以观望为主。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场继续维持平静，市场商家气氛悲观，投机炒作行为也维持低迷。

消息面，尽管尔必达和力晶策略联盟宣布减产10％，但是市场似乎并未受到影响，原因是市占率领先的两家韩系厂商均未宣布跟随减产，使市场商家普遍继续采取继续观望的态度。

eTT 1Gb DDR2 800 eTT颗粒价格跌至1.35美金附近，eTT 512Mb 800MHz颗粒的价格维持在0.75美金附近。

伴随着颗粒价格的大幅下滑，各个品牌的模组价格也随之下跌。其中金士顿的价格在上周末出现明显下滑，1GB的内存价格跌至91元附近，2GB就跌至181元，显然这个价格对其它品牌模组已经构成了明显压力。

前几期我们谈到返校需求已经结束，如果再有反弹的机会就要等到应对圣诞的采购需求了。但是目前OEM应对圣诞的采购也已接近结束，尤其是近一周来美国的金融危机越演越烈，因此我们对未来所谓的圣诞旺季也基本不抱有希望了。
在十一长假期里DIY现货市场的需求一般将会萎缩，而月底通常又是淡季厂家出货套现的时候，我们研判未来两周供求关系改善的机会不大。
由于DRAM厂家处于亏损状态下，而目前的颗粒价格已经接近多数厂家的现金成本区。因此在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间也均不大。也就是说，即使跌也是缓跌。
长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。

结论：

未来两周：

内存方面：内存的走势我们持“中性或中偏软”的研判，1GB内存的价格短期继续下跌的空间不大，2GB的内存的价格有继续下滑的空间和可能性。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏软”的研判，预计颗粒价格继续快速下滑的机会和空间均不大，技术上存在超跌反弹的可能性。

价格短期出现大幅上扬的机会渺茫，但是不排除小幅反弹的可能性，后市短期区间盘整走势的机会偏大，操作上以正常经营为准。

Nand Flash：

受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实，上周Nand Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势没有任何改变。

由美国次贷风波引发的引发的全球金融危机越演越烈，而国际油价高企和全球通胀的带来的负面影响一时也难以消除，全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。

没有革命性的产品的诞生和产能过大，这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游短暂的锁货行为，而长期仍需要供求关系渐趋平衡。但是就目前来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于近期价格下跌的幅度已大，技术上存在超跌反弹的机会。

消息面，三星欲收购Sandisk无疑是一个令商家感到兴趣的事件，如果这一事件成为现实，那么三星将无疑成为Nand Flash市场的巨无霸，在可以预见的时间内无人可以超越其，但是相信这件事情将会持续相当长的事件才会有确切的结果。

Hynix的减产20－30％的Nand Flash产能到DRAM的事情仍有待于在未来一到两个月的时间里来慢慢显现。但是一般分析人士就预计，年底前Nand Flash产能仍大于实际需求量，走势还是难以就此乐观起来。

而颗粒的销售方面则受到继续目前的市场上的现有产品成熟，暂时又没有革命性的产品诞生的影响，日益庞大的产能难以消化，供大于求的问题短期还是难以解决。

业界寄以厚望的固态硬盘（SSD），其稳定性和价格等难题仍将是制约其成为市场主流的一个关键因素。这个问题如果不能很好的解决，将会影响其成为革命性产品进程的时间。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，超跌反弹将会随时发生。

Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是近一年来的跌速过快而已，因此，不应对未来的反弹的高度有过高期望。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持 “中偏空”或“中性”研判。

未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开。

建议：短线价格维持震荡下跌或盘整的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛悲观，总体市场投机行为持续低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数维持60分以下水准（满分100分），由于模组价格的急跌，市场关注度上上升到85分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量下降到60分附近，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash总体维持疲软走势，MicroSD价格也轻微下滑，市场的关注度维持70分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛转趋低迷，终端需求一般，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	1GB DDR2 800 8C	85－95	区间盘整或缓慢下滑
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	55-65	轻微走软或区间盘整走势

下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
UTT、eTT	512Mb DDR2 800	USD0.65-0.75	区间盘整或轻微下滑走势
UTT、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.25-1.40	区间盘整或轻微下滑走势
Hynix	512Mb DDR400	USD0.80-1.00	区间盘整或轻微下降走势