上周回顾及下两周走势分析预测

由于现货市场需求平静，在月末压力等因素的共同作用下，上周的DDR2和DDR的价格均呈现缓慢下跌的态势。其中eTT 1Gb DDR2 800跌至1.30美金附近，但是Hynix原装颗粒就跌破1.30美金。而模组方面，2GB价格就持续下滑，未见任何反弹。 DDR400的价格继续下跌，Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格跌至0.88美金的附近；模组价格也同时下滑。 Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

上两周回顾(2008.09.22-2008.09.28)

由于现货市场需求平静，在月末压力等因素的共同作用下，上周的DDR2和DDR的价格均呈现缓慢下跌的态势。其中eTT 1Gb DDR2 800跌至1.30美金附近，但是Hynix原装颗粒就跌破1.30美金。而模组方面，2GB价格就持续下滑，未见任何反弹。

DDR400的价格继续下跌，Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格跌至0.88美金的附近；模组价格也同时下滑。

Nnad Flash市场继续维持供大于求的现状，没有任何改变。颗粒价格总体维持维持偏软走势，MicroSD的价格也同步走软。

下两周走势分析预测(2008.09.29-2008.10.12)

DDR400：

由于DRAM厂家转产DDR400的效果持续发酵，台湾的力晶也加入到这个行列。而DDR400的需求却在不断地缓慢萎缩，因此供大于求的局面得以维持并放大。

上周的DDR价格继续明显下滑,其中现货市场Hynix 512Mb DDR400最低跌至0.88美金附近； 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就跌至60元。

由于供大于求，中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律。尽管月初有时会有所反复，但是不会改变总体偏软的走势。

尽管考虑到目前的价格已经接近厂家成本区，未来价格的下跌空间有但就不大，但是消息面显示，力晶将会将DDR2的部分产能转产做DDR400，因此未来至少短期DDR400的价格出现反转的机会不大。

在未来两周的时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持弱势盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整，也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软的态势，基本上我们维持自去年下半年开始就认为DDR400已经大势已去，大幅反弹的机会几乎没有的研判。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中偏空或中性”的研判，预计价格总体将会维持缓慢下跌的走势，注意月初的可能出现的“例行”反弹。

建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法，并以观望为主。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场继续维持平静，市场商家气氛悲观，投机炒作行为也维持低迷。

消息面，尽管跟随尔必达和力晶策略联盟的减产，Hynix也宣布减产10％。但是市场关注的市场龙头老大三星仍未有任何减产的消息，反而由副总重申三星将会维持原有的扩产计划。这使得市场的业者普遍对后市感到悲观，并继续采取观望的态度。

eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格再次跌至1.30美金附近，而Hynix 1Gb DDR2 800的价格就跌至1.28美金附近。

伴随着颗粒价格的大幅下滑，各个品牌的模组价格也随之下跌。其中品牌1GB的内存价格变化不大，而2GB就全线下滑至180元附近。我们注意到几乎所有一、二线的品牌的内存的价格均处于不到5元的狭窄空间，二、三线品牌的生存空间受到压缩。

前几期我们谈到返校需求已经结束，再有反弹的机会就要等到应对圣诞的采购需求了。但是目前OEM应对圣诞的采购也已接近结束，尤其是近一周来美国的金融危机越演越烈，上期我们谈到对未来所谓的圣诞旺季也基本不抱有希望了。

在十一长假期里DIY现货市场的需求一般将会萎缩，但是月初通常又是厂家锁货拉升最有可能的时间段，综合所述我们研判未来两周供求关系将会维持盘整的机会较大，继续下滑的机会有但是空间就有限。

目前只有一种可能会导致价格大幅回升，那就是三星突然宣布减产。

由于DRAM厂家处于亏损状态下，而目前的颗粒价格已经接近多数厂家的现金成本区。因此在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间也均不大。也就是说，即使跌也是缓跌；反弹的机会则越来越大。

长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。目前来讲，随着价格跌至接近现金成本区，未来出现减产或是购并的机会正不断增加，也就是价格反弹的机会在增大，尤其是未来的6个月以内。

结论：

未来两周：

内存方面：内存的走势我们持“中性或中偏空”的研判，1GB内存的价格短期继续下跌的空间不大，2GB的内存的价格有继续下滑的空间和可能性。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏空”的研判，预计颗粒价格继续快速下滑的机会和空间均不大，技术上存在超跌反弹的可能性。

价格短期出现大幅上扬的机会渺茫，但是不排除小幅反弹的可能性，后市短期区间盘整走势的机会偏大，操作上以正常经营为准。一切要看DRAM厂家的的减产情况。

Nand Flash：

受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实，上周Nand Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势没有任何改变。

由美国次贷风波引发的引发的全球金融危机越演越烈，而国际油价高企和全球通胀的带来的负面影响一时也难以消除，全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。

没有革命性的产品的诞生和产能过大，这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产，并达到供求关系平衡。但是就目前来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于近期价格下跌的幅度已大，技术上存在超跌反弹的机会。

消息面，三星有可能将明年的Nand Flash的扩产计划搁置或者暂缓，由于三星是Nand Flash产业的领导者，市占率大幅领先竞争对手，在阻吓对手上已经取得明显效果的前提下，三星基于对目前的Flash需求不会大幅增长，其它DRAM对手无暇“光顾”Nand Flash领域的判断，暂缓扩产对三星而言无疑是正确和明智的。

而颗粒的销售方面则继续受到目前的市场上的现有产品成熟，暂时又没有革命性的产品诞生的影响，日益庞大的产能难以消化，供大于求的问题短期还是难以解决。

业界寄以厚望的固态硬盘（SSD），其稳定性和价格等难题仍将是制约其成为市场主流的一个关键因素。这个问题如果不能很好的解决，将会影响其成为革命性产品进程的时间。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，超跌反弹将会随时发生。

Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是近一年来的跌速过快而已，因此，不应对未来的反弹的高度有过高期望。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持 “中偏空”或“中性”研判。

未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开。

建议：短线价格维持震荡下跌或盘整的机会较大，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛悲观，总体市场投机行为持续低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数维持60分以下水准（满分100分），由于模组价格的急跌，市场关注度下降到70分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量维持在60分附近，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash总体维持疲软走势，MicroSD价格也轻微下滑，市场的关注度维持70分水平，投机活动在MicroSD市场仍偏高。市场的气氛转趋低迷，终端需求一般，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

下周内存价格走势预测
 

下周DRAM颗粒价格走势预测