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上周回顾及下两周走势分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2008-10-12

上两周回顾(2008.10.06-2008.10.11)

由于DRAM厂家和通路预期的大陆十一补货潮并未显现,而现货市场需求又相对平静,厂家出货意愿仍强。上周的DDR2和DDR的价格均呈现缓慢下跌的态势。其中Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.12美金附近,白板装颗粒的价格就维持在1.14美金附近盘整。模组方面,2GB价格就持续下滑,未见任何反弹,相对而言其价格还有下跌空间。

DDR400的价格继续下跌,Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格跌至0.76美金的附近;模组价格也同时下滑。

Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状,没有任何改变。但是由于现货市场的商家持续清库存,造成目前通路的库存水位相对较低,在临近周末时,由于外围市场放假,形成供小于求的局面,于是价格出现超跌反弹走势;MicroSD的价格维持偏软。

下两周走势分析预测(2008.10.13-2008.10.26)

DDR400:

由于DDR2价格不断探底,DRAM厂家也不断转产DDR400,其效果也持续发酵,而台湾的力晶也加入到这个行列。但是DDR400的需求却在不断地缓慢萎缩,因此供大于求的局面得以维持并放大。

上周的DDR价格继续明显下滑,其中现货市场Hynix 512Mb DDR400最低跌至0.755美金附近; 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就跌至55元附近。

由于供大于求,中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹,尽管缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律,但是基本上我们认为下跌空间已经不大了。

虽然考虑到目前的价格已经接近厂家成本区,但是DDR2价格没有企稳的前提下,未来至少短期DDR400的价格出现反转的机会不大。

在未来两周的时间里,考虑到DDR2的价格将可能维持弱势盘整走势的机会较大,我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整,也就是缓慢下跌。

除非DDR2的价格出现大幅反弹;否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论:

在DDR2价格没有好转之前, DDR400的价格也难以大幅上扬,未来价格总体将会维持轻微走软的态势,基本上我们维持自去年下半年开始就认为DDR400已经大势已去,大幅反弹的机会几乎没有的研判。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中偏空或中性”的研判,预计价格总体将会维持极为缓慢下跌的走势。

建议暂时观望为主,操作上将以坚持波段操作手法,并以观望为主。

DDR2:

形势分析:

上周现货市场继续维持平静,市场商家气氛悲观,投机炒作行为也维持低迷。市场的业者普遍对后市感到悲观,并继续采取观望的态度。

全球DRAM产业抢救亏损大作战!继海力士、尔必达、力晶、茂德、南科等陆续宣布减产后,美光(Micron)本周也正式加入,几家大厂合计减产规模已创DRAM史上之最,短期内只要供给小于需求,DRAM价格将正式落底反弹,减产效应最快可在明年第一季显现。

在这波全球金融海啸侵袭下,全球DRAM业不堪亏损,陆续提出裁员、减产等减少供给的计画,不愿再继续惨赔,除之前的力晶、茂德、尔必达等之外,南科的合作伙伴美光,上周也如市场预期,正式宣布减产、裁员,似乎透露出DRAM业即将落底反弹的正面意义。

消息面,尽管市场龙头老大三星仍未有任何减产的消息,上周却又有其它厂商陆续加入减产的行列中,这其中包括美光、台湾南亚和茂德三家厂商。这显示DRAM厂家的竞争割喉战开始拉开序幕,通常这也预示着未来最快三到六个月以内将会出现大的并购案,为此次的行业竞争最后画上句号。

截至目前,除三星未正式宣布减产外,其他前五大厂都已陆续发布减产的消息。目前枱面上的全球前五大厂,除三星外,都已全部加入减产行列,预估全球DRAM产能至明年第一季时,有机会减少8%-10%,若三星也跟进减产,预估整体DRAM市场复苏的时间将会提早,随时有反弹机会。

eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格跌至1.14美金附近,并展开盘整,但是Hynix 1Gb DDR2 800的价格就跌至1.12美金附近,出现了品牌颗粒便宜过白板颗粒的怪现象,显示出台系厂家的现金压力剧增。
伴随着颗粒价格的大幅下滑,各个品牌的模组价格也随之下跌。其中品牌1GB的内存价格变化不大,轻微下滑;而2GB就全线下滑至160元附近。我们注意到几乎所有一、二线的品牌的内存的价格均处于不到5元的狭窄空间,二、三线品牌的生存空间受到压缩。三星原装模组的价格继续下滑,从而带动市场模组品牌老大的金士顿的价格全线下跌。

前几期我们谈到应对圣诞的采购需求马上就要结束了,OEM应对圣诞的采购也就剩不到两周的事件就会结束。尤其是近一周来美国的金融风暴越演越烈,前几期我们谈到对未来所谓的圣诞旺季我早就抱有希望了。

月底前一旦圣诞采购需求彻底破灭,我们研判仍可能有一波DRAM厂家泡货的浪潮,对此就有待进一步观察。

由于DRAM厂家处于亏损状态下,而目前的颗粒价格已经接近多数厂家的现金成本区。因此在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间有但就已经不大。也就是说,即使跌也是缓跌;随时出现反弹的机会则越来越大,但是短期不会出现反转。就时间而言,目前尚不具备这种可能性。目前只有一种可能会导致价格大幅回升,那就是三星突然宣布减产。

长期来讲,价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。目前来讲,随着价格跌至接近现金成本区,未来出现减产或是购并的机会正不断增加,也就是价格反弹的机会在增大,我们研判尤其是未来的6个月以内出现变化的机会较大,也就是明年第二季度的中旬前。

结论:

未来两周:

内存方面:内存的走势我们持“中性或中偏空”的研判,价格将会进一步走软。

颗粒方面:对于下两周的颗粒价格走势,我们将维持“中性或中偏空”的研判,预计颗粒价格将会维持低位弱势盘整。

价格短期出现大幅上扬的机会渺茫,但是不排除小幅反弹的可能性,后市短期区间盘整走势的机会偏大,操作上以正常经营为准。一切要看DRAM厂家的的减产情况。

Nand Flash:

受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实,上周Nand Flash的价格总体上继续维持既有的偏软走势没有任何改变。但是由于价格的连续下跌,市场普遍悲观的情况下,市场商家和投机买盘手中的库存水位急剧下降,而上周又恰逢香港和台湾假期,形成局部供小于求的局面,周末价格出现小幅攀升也就不奇怪了。

由美国次贷风波引发的全球金融风暴越演越烈,其负面影响一时也难以消除,可以预见的是全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。

而颗粒的销售方面则继续受到目前的市场上的现有产品成熟,暂时又没有革命性的产品诞生的影响,日益庞大的产能难以消化,供大于求的问题短期还是难以解决。业界寄以厚望的固态硬盘(SSD),其稳定性和价格等难题仍将是制约其成为市场主流的一个关键因素。这个问题如果不能很好的解决,将会影响其成为革命性产品进程的时间。

没有革命性的产品的诞生和产能过大,这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决,但是这需要时间和时机,同时也是一件水到渠成的事情,可喜的是目前除海力士宣布减产外,美光也加入到这一行列中来。

我们维持Nand Flash未来的中线反弹,还是要寄希望于上游厂家的减产,并达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看,供求关系未来两周难以出现实质性的好转,但是由于已经陆续有两家厂家开始减产,并考虑到前期价格下跌的幅度已大,技术上出现超跌反弹也属于正常,但是短期不会反转。

在DRAM价格全面下滑的情况下短期难以改观的情况下,业界同时大量生产DRAM和Flash的厂商并不多的情况下,尤其是三星的主要竞争对手尔必达和台系厂家在Nand Flash产能没有或者很小的情况下,三星为了避免两线作战,极有可能在Nand Flash的减产问题上有实质的动作,也就是说后市Nand Flash的价格有很大可能会快于DRAM复苏。

消息面,美光宣布裁减的人力,主要锁定爱达荷州Boise的工厂,除DRAM的产出将减少外,该公司和全球最大半导体公司英特尔合资成立的公司IM Flash,也将暂停该工厂的NAND记忆体生产。这将使其NAND晶圆产量每月减少3.5万片,对于目前市况同样低迷的NAND Flash市场,也是继海力士后,第二家宣布减产Flash的大厂,NAND Flash后市可望回稳。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求,任何反弹都是短暂和难以预估的,但是这也并不意味着价格会一路下滑,由于目前的价格跌幅已深,就如同上周一样超跌反弹将会随时发生,但是难以把握。

Nand Flash产品已经完全成为消费类产品,其价格走势的特点就是总体不断的下跌,反弹的机会有但幅度有限,只是近一年来的跌速过快而已,因此,不应对未来的反弹的高度有过高期望。
但是客观地来讲,由于价格已经跌至接近厂家的成本区附近,本轮的价格的下滑长周期正在接近尾声,未来几个月将会逐步回归常态。

结论:

我们对下两周的Nand Flash维持 “中偏空”或“中性”研判。长线就该持“中性”观点。

未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳,Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险,因为新的一轮的制程提升已经再次展开。

建议:短线价格维持震荡下跌或盘整的机会较大,波段操作,维持正常经营即可!

上周市场情况汇总:

上周的DRAM市场气氛悲观,总体市场投机行为持续低于平均水准以下,多数商家对后市改持“中偏空”看法,少部分商家则维持“中性”看法,市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数维持60分以下水准(满分100分),由于模组价格的急跌,市场关注度下降到70分水平,市场终端需求维持正常,市场成交量维持在60分附近,目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash总体维持疲软走势,临近周末出现小幅反弹。MicroSD价格也轻微下滑。市场的关注度维持70分水平,投机活动在MicroSD市场开始趋于理性。市场的气氛转趋低迷,终端需求尚可,成交量维持在75分水准附近,未来走势将主要取决于供应的变化,但是就不乐观,预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。


 
下周内存价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间RMB

预测走势

主要品牌

2GB DDR2 800 8C

155165

区间盘整或缓慢下滑

Hynix兼容条

512MB DDR40064MbX8颗粒)

50-60

轻微走软或区间盘整走势

 
下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

UTTeTT

1Gb DDR2 800

USD1.05-1.20

区间盘整或轻微下滑走势

Hynix

512Mb DDR400

USD0.70-0.80

区间盘整或轻微下降走势