上周回顾及下两周走势分析预测

由于受到韩元和台币贬值、市场需求疲软和DRAM厂家的减产幅度相对有限的共同影响，DRAM价格继续轻微走软，市场库存水位仍处于高位。上周的DDR2的价格继续呈现缓慢下跌的态势。其中Hynix 1Gb DDR2 800维持在1美金附近展开盘整，白板装颗粒的价格就跌至1.00美金附近。模组方面，DDR2模组价格也持续下滑，未见任何反弹。 上周DDR400的价格超跌反弹似乎结束，Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格开始轻微走软，而模组价格就维持盘整走势。 Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状，近期未从更本上加以解决。Nand Flash的价格超的跌反弹走势也接近结束，上周价格走势总体偏软，价格未能有效企稳，未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格维持偏软盘整走势。

上两周回顾(2008.10.20-2008.10.26)

由于受到韩元和台币贬值、市场需求疲软和DRAM厂家的减产幅度相对有限的共同影响，DRAM价格继续轻微走软，市场库存水位仍处于高位。上周的DDR2的价格继续呈现缓慢下跌的态势。其中Hynix 1Gb DDR2 800维持在1美金附近展开盘整，白板装颗粒的价格就跌至1.00美金附近。模组方面，DDR2模组价格也持续下滑，未见任何反弹。

上周DDR400的价格超跌反弹似乎结束，Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格开始轻微走软，而模组价格就维持盘整走势。

Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状，近期未从更本上加以解决。Nand Flash的价格超的跌反弹走势也接近结束，上周价格走势总体偏软，价格未能有效企稳，未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格维持偏软盘整走势。

未来两周走势分析预测(2008.10.27-2008.11.09)

DDR400：

由于存在大量的DDR400机器而导致的升级需求不断和DDR400需求不减，年底前预计DDR400的需求将会维持这种旺盛的需求格局。

由于Hynix关闭主要生产DDR400的8寸厂，这一行动直接导致并形成了前一周的DDR400价格的超跌反弹走势，但是来看似乎反弹已经结束。现货市场Hynix 512Mb DDR400的价格由1美金轻微走软至0.95美金附近； 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就仍维持62元附近盘整。

由于供大于求，中短期内DDR400的价格都难以出现明显的大幅反弹，尽管缓步震荡下跌将仍为未来两周的主旋律，考虑到由于8寸厂陆续的退出，DDR400的产能将会实际在减少，因此基本上我们认为就512Mb 在0.70美金附近将会有强支撑，在此价位继续下跌空间已经不大了。

虽然考虑到目前的价格已经接近厂家成本区，但是DDR2价格没有企稳的前提下，未来至少短期DDR400的价格出现反转的机会不大。在未来两周的时间里，考虑到DDR2的价格将可能维持弱势盘整走势的机会较大，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整或是缓慢下跌。除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软或是区间内弱势盘整走势的机会偏大。

未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中性或中偏空”的研判，预计价格总体将会维持极为缓慢下跌或是区间盘整的走势。

建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法，并以观望为主。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场继续维持平静，市场气氛悲观，投机炒作行为也继续维持低迷。市场的业者遍对后市感到悲观，并继续采取观望的态度。而不断出现的商家携款跑路的消息更进一步加重了市场的保守和悲观情绪。

上周受到台币贬值的影响，eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格跌至1.00美金附近。而Hynix 1Gb DDR2 800的价格就继续维持在1.00美金附近盘整。值得注意的是力晶的新制程1Gb颗粒（E）的价格已经跌破1美金关口。

伴随着颗粒价格的大幅下滑，各个品牌的模组的价格也随之下跌。其中2GB就全线下滑至140元附近。我们注意到三星原装模组的价格继续下滑的残酷现实，基本上DDR2模组的价格都便宜过金士顿。三星原装模组的价格持续下滑，带动了市场模组品牌老大的金士顿的价格全线下跌。而大陆市场几乎所有一、二线的品牌的内存的价格均处于不到5元的狭窄空间，二、三线品牌的生存空间受到压缩。

消息面，韩国三星电子24日举行法说会。对记忆体市况悲观，三星表示减产无助于挽救市况。三星第四季面板、手机、平面电视等出货仍然续增，但对记忆体市况看法悲观。三星表示，DRAM产业掀起减产潮，但对挽救市况依旧没有帮助，预计市场最快至少得等到明年下半才看得到复苏的迹象。

    DRAM及NAND价格崩跌不止，三星虽是第三季全球唯一获利的记忆体厂，但也对未来记忆体市场感到忧心。三星指出，全球多家DRAM业者均加入减产、缩减资本支出的行列，但降低产能虽有助于抑制供给成长的速度，但需求成长趋缓，对整体市况的触底反弹依旧没有帮助。

    三星预估第四季旺季不旺，DRAM价格仍会再跌24％至26％，明年可能会再跌30％，市场需求要等到明年下半年才会看到复苏迹象，明年度三星资本支出恐将较今年减少2至3成。

    昨天龙头老大三星宣称在最快明年的下半年才会看到复苏，并且预计第四季度价格将会下跌25％，明年将会下跌30％。三星的表态无疑给业界那些心存侥幸的业者泼了一瓢冷水和“清醒剂”。就如同我们前几期谈到的一样，这预示着这场DRAM厂家之间的竞争已经无可避免地进入最后的摊牌阶段，也就是割喉战正式宣战并拉开序幕，通常这也同时说明未来最快三个月，最慢六个月左右将会出现大的行业并购案，最终为此次的行业竞争画上句号。

由于DRAM厂家几乎全数处于亏损状态下，而目前的颗粒价格已经接近多数厂家的现金成本区，因此在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间有但就已经不大，也就是说，即使跌也是缓跌；随时出现超跌反弹的机会则越来越大，但是短期不会出现反转。就时间而言，目前尚不具备反转这种可能性。目前只有一种可能会导致价格大幅回升，那就是三星突然宣布减产。

长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。目前来讲，随着价格跌至接近现金成本区，未来出现减产或是购并的机会正不断增加，也就是价格反弹的机会在增大，我们研判尤其是未来的6个月以内出现变化的机会较大，也就是明年第二季度的中旬前后。

结论：

未来两周：

内存方面：内存的走势我们持“中性或中偏空”的研判，价格进一步走软的机会偏大。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性或中偏空”的研判，预计颗粒价格将会维持低位弱势盘整。1Gb DDR2 800的价格有机会最终跌至0.80－0.90美金区间。

价格短期出现大幅上扬的机会渺茫，但是不排除小幅反弹的可能性，后市短期区间盘整走势的机会偏大，操作上以正常经营为准。一切要看DRAM厂家的的减产或并购的情况而定。

Nand Flash：

Nand Flash的价格超跌反弹走势在上周未能继续，具体产品的价格走势继续出现分化，总体价格走势也表现为弱势震荡格局。

受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实，总体上年底前继续维持既有的偏软盘整走势没有根本改变。但是由于价格的连续下跌，市场商家普遍悲观的情况下，市场商家和投机买盘手中的库存水位急剧下降，这种情况将会导致的局部供小于求局面出现，并有由此造成局部时段的出现超跌反弹走势。

由美国次贷风波引发的全球金融海啸越演越烈，其负面影响一时也难以消除，可以预见的是全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。

没有革命性的产品的诞生和产能过大，这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

可喜的是目前除海力士、美光宣布减产外，三星也加入到这一行列中来。可以预见的是在未来三个月到五个月以内，Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。

我们维持Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产，并达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于已经陆续有三家厂家开始减产，并考虑到前期价格下跌的幅度已大，技术上出现超跌反弹也属于正常，但是短期暂时还是不会出现反转。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，未来价格将会逐步企稳。

Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是近一年来的跌速过快而已，因此，在目前的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。

但是客观地来讲，由于价格已经跌至接近厂家的成本区附近，本轮的价格的下滑长周期正在接近尾声，未来三到五个月的时间内将会逐步回归常态。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持或“中性” 或“中偏空”研判。长线就改持“中性”或“中偏多”观点。

未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开，成本也将再次下降。
建议：短线价格维持盘整或震荡下跌的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛悲观，总体市场投机行为持续低于平均水准以下，多数商家对后市改持“中偏空”看法，少部分商家则维持“中性”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数维持60分以下水准（满分100分），由于模组价格的急跌，市场关注度下降到70分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量维持在60分附近，目前市场处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软，总体维持中偏空性走势，MicroSD价格也轻微下滑。市场的关注度维持70分水平，投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛转趋低迷，终端需求尚可，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

下周内存价格走势预测

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	130－145	区间盘整或缓慢下滑
Hynix兼容条	512MB DDR400（64MbX8颗粒）	55-65	轻微走软或区间盘整走势

下周DRAM颗粒价格走势预测

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD0.95-1.05	区间盘整或轻微下滑走势
Hynix	512Mb DDR400	USD0.85-0.95	区间盘整或轻微下降走势