上周回顾及下两周走势分析预测

尽管市场需求疲软，考虑到DRAM价格处于厂家的现金成本附近，厂家惜售心态明显。上周现货市场的DDR2产品的价格基本维持盘整走势，其中DDR2的颗粒价格呈现盘整态势，Hynix 1Gb DDR2 800维持在1美金附近展开盘整；而白板装颗粒的价格轻微上扬至1.03美金附近。模组方面，DDR2模组价格总体维持盘整走势，市场补货需求导致个别品牌的价格则出现轻微反弹。 由于厂家减产和现货市场投机炒作的作用，上周DDR400的价格继续反弹，Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格升至1.22美金附近，而模组价格就跟随走强。 Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状，近期未从更本上加以解决。Nand Flash的价格超的跌反弹走势结束后，上周价格走势继续维持总体偏软，价格未能有效企稳，尽管情况有所改善但是未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格维持偏软盘整走势。

上两周回顾(2008.10.27-2008.11.02)

尽管市场需求疲软，考虑到DRAM价格处于厂家的现金成本附近，厂家惜售心态明显。上周现货市场的DDR2产品的价格基本维持盘整走势，其中DDR2的颗粒价格呈现盘整态势，Hynix 1Gb DDR2 800维持在1美金附近展开盘整；而白板装颗粒的价格轻微上扬至1.03美金附近。模组方面，DDR2模组价格总体维持盘整走势，市场补货需求导致个别品牌的价格则出现轻微反弹。

由于厂家减产和现货市场投机炒作的作用，上周DDR400的价格继续反弹，Hynix 512Mb DDR400的颗粒的价格升至1.22美金附近，而模组价格就跟随走强。

Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状，近期未从更本上加以解决。Nand Flash的价格超的跌反弹走势结束后，上周价格走势继续维持总体偏软，价格未能有效企稳，尽管情况有所改善但是未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格维持偏软盘整走势。

未来两周走势分析预测(2008.11.03-2008.11.16)

DDR400：

由于在大陆市场存在大量的采用DDR400内存的配置较低的电脑，导致今年以来的DDR400的升级需求不断和DDR400需求不减，因此我们预计年底前预计DDR400的需求将会维持这种旺盛的需求格局。

在Hynix关闭主要生产DDR400的8寸厂后，直接导致并形成了前两周的DDR400价格的超跌反弹走势。尽管上周我们认为反弹应该就此结束，但是由于市场的投机需求和补仓需求使然，导致上周再次出现局部的供小于求的局面出现，价格于是继续上扬。

上周现货市场Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格就拉升到1.22美金附近； 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就上升到80元附近盘整。

考虑到由于8寸厂陆续的退出，DDR400的产能实际在减少，因此基本上我们认为就512Mb 在0.70美金附近将会有强支撑，在此价位继续下跌空间已经不大了。

由于DRAM厂家的产能过大，市场严重供大于求，短期DDR400的价格出现的小幅反弹并未代表需求好转或是供应改善。

目前的价格已经接近厂家成本区，但是DDR2价格没有完全企稳的情况下，在未来两周的时间里，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行盘整或是缓慢下跌。
除非DDR2的价格出现大幅反弹；否则DDR400出现任何反弹都是暂时的和短暂的，另外机会也是难以把握。

结论：

在DDR2价格没有好转之前， DDR400的价格也难以继续大幅上扬，未来价格总体将会维持轻微走软或是区间内弱势盘整走势的机会偏大。

尽管DDR400出现了反弹，但是对于未来两周的DDR400的走势我们继续秉持“中性或中偏空”的研判，预计价格总体将会维持区间盘整或是极为缓慢下跌的走势。

建议暂时观望为主，操作上将以坚持波段操作手法，并以观望为主。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场继续维持平静，但是周末受到欧美国家可能对DRAM厂家的倾销征收惩罚性关税消息的刺激，市场气氛转趋活跃，投机炒作行为也有所抬头，市场的部分业者开始对后市的价格反弹有所期待，并开始有所行动。

大陆市场受此影响，上周各个品牌的模组的价格开始企稳，周末个别品牌的价格轻微反弹。其中KST 2GB DDR2 800就由最低139元反弹到最高146元，但是收市时投机气氛减弱，商家趁机获利回吐，价格下滑到144元附近盘整。

我们注意到三星原装模组的价格继续维持低位的现实，基本上DDR2模组的价格都便宜过金士顿。而三星原装模组的价格持续下滑，带动了市场模组品牌老大的金士顿的价格全线下跌。大陆市场几乎所有一、二线的品牌的内存的价格均处于不到5元的狭窄空间，二、三线品牌的生存空间继续受到压缩。

eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格轻微上升到1.03美金附近，而Hynix 1Gb DDR2 800的价格就继续维持在1.00美金附近盘整，多数DRAM厂商的的惜售心态开始显现。

消息面显示，欧美国家有可能对目前的DRAM和Flash厂家的低价倾销展开调查。一般而言一旦生产厂家被征收惩罚性关税后，大陆市场将会成为被到货的最主要市场。

    另一方面，除三星以外的厂家的减产行动前后已经有接近两个月，在现货价格长期低于部分厂商的现金成本的情况下，个别厂商将难以生存到明年第一季度末。因此我们认为，未来两个月将会是厂家再次扩大减产幅度的最可能的月份，尤其年底前如果价格还是徘徊在底部，那么将会有厂家大幅减产，甚至停产检修。

三星预估第四季旺季不旺，DRAM价格仍会再跌24％至26％，明年可能会再跌30％，市场需求要等到明年下半年才会看到复苏迹象，明年度三星资本支出恐将较今年减少2至3成。

   由于除了三星以外的DRAM厂家几乎全数处于亏损状态下，而目前的颗粒价格已经在多数厂家的现金成本区附近，因此在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间有但就已经不大，也就是说，即使跌也是缓跌；随时出现超跌反弹的机会则越来越大，但是短期可能反弹但是不会出现反转。就时间而言，目前也尚不具备反转这种可能性。只有一种可能会导致价格大幅回升，那就是三星突然宣布减产或是有厂商倒闭，目前暂时还看不到这两个可能性。

长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。目前来讲，随着价格跌至接近现金成本区，未来出现继续加大减产幅度或是购并的机会正不断增加，也就是价格反弹的机会在增大，我们研判尤维持在未来6个月以内出现巨变的机会较大的研判，也就是明年第二季度的中旬前。

结论：

未来两周：

内存方面：内存的走势我们持“中性”的研判，价格将会维持区间盘整的机会较大。其中多数品牌2GB DDR2 800在130－160之间盘整的机会较大。

长线就改持“中性”或“中偏多”观点。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”或“中偏多”的研判，预计颗粒价格将会维持低位区间盘整走势。

价格短期出现大幅上扬的机会渺茫，但是不排除小幅反弹的可能性，后市短期区间盘整走势的机会偏大，操作上以正常经营为准。

一切要看DRAM厂家的的减产或并购的情况而定。

Nand Flash：

由于市场仍处于供大于求的环境，Nand Flash的价格超跌反弹走势在上周未能继续，具体产品的价格走势总体表现为弱势震荡格局。

受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实，总体上年底前继续维持既有的偏软盘整走势没有根本改变。但是由于价格的连续下跌，市场商家普遍悲观的情况下，市场商家和投机买盘手中的库存水位急剧下降，这种情况将会导致的局部供小于求局面出现，并经常由此造成局部时段的出现超跌反弹走势出现。

由美国次贷风波引发的全球金融海啸越演越烈，其负面影响一时也难以消除，可以预见的是全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。

没有革命性的产品的诞生和产能过大，这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。

可喜的是目前除海力士、美光宣布减产外，三星也加入到这一行列中来。我们预计在未来二个月到四个月以内，Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。

我们维持Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产，并达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于已经陆续有三家厂家开始减产，并考虑到前期价格下跌的幅度已大，技术上出现超跌反弹也属于正常，但是短期暂时还是不会出现反转。

未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，未来价格将会逐步企稳并盘整或是缓跌，并时有小的反弹出现，只是机会难以把握。

Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是过去一年来的跌速过快而已，因此，在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。

但是客观地来讲，由于价格已经跌至接近厂家的成本区附近，本轮的价格的下滑的长周期正在接近尾声，有理由相信未来二到四个月的时间内将会逐步回归常态。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 或“中偏空”研判。长线就改持“中性”或“中偏多”观点。

未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开，成本也将再次下降。
建议：短线价格维持盘整或震荡下跌的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛转趋活跃，总体市场投机行为上升为平均水准，多数商家对后市改持“中性”看法，少部分商家则维持“中偏空”看法，市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数上升为70分以下水准（满分100分），由于模组价格轻微反弹，市场关注度上升到85分水平，市场终端需求维持正常，市场成交量上升到75分附近，目前市场仍处于轻微供大于求的状态。

上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软，总体维持中偏空性走势，MicroSD价格也轻微下滑。市场的关注度维持70分水平，投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛转趋低迷，终端需求尚可，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	135－155	区间震荡
Hynix兼容条	512MB DDR400 8C	65-80	区间盘整或轻微走软

 
下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD0.95-1.15	区间盘整或轻微上升
Hynix	512Mb DDR400	USD1.00-1.30	区间盘整或轻微下降走势