未来两周价格走势分析预测
上两周回顾(2008.11.03-2008.11.10)
上周市场需求维持疲软,DRAM供过于求的情况有所改善。由于价格处于厂家的现金成本区附近,部分厂家的惜售心态明显,市场气氛诡秘。上周现货市场的DDR2产品的价格继续维持轻微偏软的盘整走势。由于采用新制程的产品上市,DDR2的颗粒价格轻微走软,Hynix 1Gb DDR2 800颗粒在0.98美金附近展开盘整;而白板装颗粒的价格轻微下滑至1美金附近。模组方面的价格总体就维持偏软的盘整走势。
由于厂家8寸厂陆续停产和市场投机炒作的作用,上周DDR400的价格维持高位震荡,Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格升至1.25美金附近,模组价格也维持高位盘整。
Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状,上周价格走势继续维持总体偏软。虽然情况有所改善但是未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格维持偏软盘整走势。
未来两周走势分析预测(2008.11.10-2008.11.23)
DDR400:
由于在大陆市场存在大量的采用DDR400内存的低搭载量的电脑,导致今年以来的DDR400的升级需求不断,因此我们预计年底前预计DDR400的需求将会维持这种旺盛的需求格局,但是春节后这种升级需求将会大为减少。
在Hynix等一些厂家关闭主要用于生产DDR400的8寸厂后,直接导致并形成了前几周的DDR400价格的反弹走势。尽管我们认为反弹已经结束,但是由于市场的投机需求和补仓需求使然,导致价格波动较为剧烈,显示出供求平衡的关系较为脆弱,并更多地受到供应量的影响。
上周现货市场Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格就震荡拉升到1.25美金附近; 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就上升到80元附近盘整。而采用32X16颗粒生产的512MB内存的价格就维持不变,大约在62元附近。
考虑到由于8寸厂均已经退出,所剩不多,未来DDR400的产能已经实际减少,因此基本上我们认为就64MbX8 未来中短期再次跌破0.80美金的机会不大了,但是涨到1.80美金的可能性也不大。这主要基于两个原因,一个是标准8位的DDR400需求已经不大,还在不断萎缩中,而供应的略微增加都将会造成供过于求;另一个原因是32MbX16颗粒的价格相对便宜,市场部分需求将会选择相对便宜的采用这种颗粒的512MB模组。在目前的价格位置上,如果价格继续大幅上升,那么炒作的成分无疑将占很大部分。
由于DRAM厂家的产能过大,现货市场主流产品DDR2严重供大于求,短期DDR400的价格出现的小幅反弹并未代表需求好转或是供应改善。
目前的价格已经接近厂家成本区,但是DDR2价格没有完全企稳的情况下,在未来两周的时间里,我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行盘整或是缓慢下跌。
DDR400的市场寿命接近尾声,未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的,另外机会也是难以把握。
结论:
DDR400的价格难以继续大幅上扬,未来价格总体将会维持区间内盘整或是轻微走软走势的机会偏大。
我们对于未来两周的DDR400的走势我们继续维持“中性”的研判,预计价格总体将会维持区间盘整,未来两周Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间1.00-1.35之间盘整的机会较大。
模组方面,512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主,64MbX8为辅,因此价格就会维持低位;1GB的价格将会跟随64MbX8的变化,价格就相对偏高。
建议操作上将以坚持波段操作手法,逢低适当吸纳,逢高减磅。
DDR2:
形势分析:
上周现货市场继续维持平静,前一周市场出现的投机炒作又导致有一批商家被套。这反映出市场商家仍希望借助价格反弹来一把把亏损的钱弥补回来的焦急心理,也说明市场商家传统的投机心理还是较重。
上周大陆市场各个品牌的模组的价格基本维持盘整走势,其中KST 2GB DDR2 800就维持在139-140元附近盘整,其它品牌多在135元附近展开盘整。
我们注意到三星原装模组的价格继续维持低位的现实,其DDR2模组的价格价格便宜过金士顿,以三星2GB的18.50美金为例就要比19.7美金的KST便宜许多。三星原装模组的价格维持低位盘整,导致大陆现货市场模组品牌老大的金士顿的价格也只能在低位盘整。大陆市场几乎所有一、二线的品牌的内存的价格均处于5元左右的狭窄空间内,二、三线品牌的生存空间继续受到压缩。
由于采用新的制程和减少芯片面积的产品开始大量产出,eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格轻微下滑1美金附近,而Hynix 1Gb DDR2 800的价格就继续维持在0.97-1.00美金区间内存继续盘整,多数DRAM厂商的的惜售心态继续显现。
消息面,力晶和茂德可能提前暂开岁修,也就是停产检修。这也是两家厂家为了避免现金持续净流出而迫不得已采取的一项措施。但是其它台系厂家的日子也没有好过到那里去。相比较而言,韩系厂商由于制程领先,日子相对好一些,尤其是三星,其目前依然维持积极的市场策略。如果目前的情况继续下去,未来台系一些厂家可能真的要面临生死抉择了。
上周我们谈到,除三星以外的厂家的减产行动前后已经有接近两个月,在现货价格长期低于部分厂商的现金成本的情况下,个别厂商将难以生存到明年第一季度末或第二季度末。因此我们认为,这两个月将会是厂家再次扩大减产幅度的最可能的月份,尤其年底前如果价格还是徘徊在底部,那么将会有厂家大幅减产,甚至停产检修。目前看来个别厂商的停产可能提前发生的机会大增。
三星预估第四季旺季不旺,DRAM价格仍会再跌24%至26%,明年可能会再跌30%,市场需求要等到明年下半年才会看到复苏迹象,明年度三星资本支出恐将较今年减少2至3成。
由于除了三星以外的DRAM厂家几乎全数处于亏损状态下,而目前的颗粒价格已经在多数厂家的现金成本区附近,因此在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间有但就已经不大,也就是说,即使跌也是缓跌;随时出现超跌反弹的机会则越来越大。
就时间而言,目前也尚不具备反转这种可能性。只有一种可能会导致价格大幅回升,那就是三星突然宣布减产或是个别厂商倒闭或完全停产,目前暂时虽然还看不到存在这两个可能性,但是机会正在增大。
长期来讲,价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。目前来讲,随着价格跌至接近现金成本区,未来出现继续加大减产幅度或是购并的机会正不断增加,也就是价格反弹的机会在逐步增大.
我们研判尤维持在未来5个月以内出现巨变的机会较大的研判,也就是明年第二季度的中旬前。
结论:
未来两周:
内存方面:内存的走势我们维持“中性”的研判,价格将会维持区间盘整的机会较大。其中多数品牌2GB DDR2 800在130-160之间盘整的机会较大。
颗粒方面:对于下两周的颗粒价格走势,我们将维持“中性”或“中偏多”的研判,预计颗粒价格将会维持低位区间盘整走势。
长线就改持“中性”或“中偏多”观点。大的反转行情一切要看DRAM厂家的的减产或并购的情况而定,一般比较突然。
Nand Flash:由于市场仍处于供大于求的环境中,Nand Flash的价格总体在上周继续维持偏软走势。
受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实,总体上年底前继续维持既有的偏软盘整走势基本情况没有根本改变。由于价格的连续下跌,市场商家普遍悲观的情况下,市场商家和投机买盘手中的库存水位急剧下降,这种情况将会导致的局部供小于求局面出现,并经常由此造成局部时段的出现超跌反弹走势出现,但是这不会从更本上改变目前的供求关系。
由美国次贷风波引发的全球金融海啸越演越烈,其负面影响一时也难以消除,可以预见的是全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。
没有革命性的产品的诞生和产能过大,这两个因素正是目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决,但是这需要时间和时机,同时也是一件水到渠成的事情。
可喜的是目前除海力士、美光宣布减产外,三星也加入到这一行列中来。我们预计在未来二个月到四个月以内,Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。
我们认为Nand Flash未来的中线反弹,还是要寄希望于上游厂家的减产的研判,并达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看,供求关系未来两周难以出现实质性的好转,但是由于已经陆续有三家厂家开始减产,并考虑到前期价格下跌的幅度已大,技术上出现超跌反弹也属于正常,但是短期暂时还是不会出现反转。
未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求,任何反弹都是短暂和难以预估的,但是这也并不意味着价格会一路下滑,由于目前的价格跌幅已深,未来价格将会逐步企稳并盘整或是缓跌,并时有小的反弹出现,只是机会难以把握。
Nand Flash产品已经完全成为消费类产品,其价格走势的特点就是总体不断的下跌,反弹的机会有但幅度有限,只是过去一年来的跌速过快而已,因此,在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。
但是客观地来讲,由于价格已经跌至接近厂家的成本区附近,本轮的价格的下滑的长周期正在接近尾声,有理由相信未来二到四个月的时间内将会逐步回归常态。
结论:
我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 或“中偏空”研判。长线就改持“中性”或“中偏多”观点。
未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳,Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险,因为新的一轮的制程提升已经再次展开,成本也将再次下降。
建议:短线价格维持盘整或震荡下跌的机会较大,波段操作,维持正常经营即可!
上周市场情况汇总:
上周的DRAM市场气氛转趋平静,总体市场投机行为归于平均水准以下,多数商家对后市维持“中性”看法,少部分商家则维持“中偏多”看法,市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数下降到60分以下水准(满分100分),由于前一周模组价格轻微反弹和一些厂家减产的信息,市场关注度维持高位,约在75水平以上,市场终端需求维持正常,市场成交量下降到60分附近,目前市场仍处于轻微供大于求的状态。
上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软,总体维持中偏空性走势,MicroSD价格也轻微下滑。市场的关注度维持70分水平,投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛转趋低迷,终端需求尚可,成交量维持在75分水准附近,未来走势将主要取决于供应的变化,但是就不乐观,预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。
下周内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
125-150 |
区间震荡 |
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Hynix兼容条 |
1GB DDR400 |
150-170 |
区间盘整 |
下周DRAM颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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Hynix、eTT |
1Gb DDR2 800 |
USD0.90-1.05 |
区间盘整 |
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Hynix |
512Mb DDR400 |
USD1.00-1.30 |
区间盘整 |






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