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上周回顾及未来两周的分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2008-11-16
上周市场需求维持疲软,尽管时序只是到了中旬,但是DRAM供过于求的情况有所恶化,月底压力却似乎提前显现,商家降价求售心态明显。价格继续维持偏软走势。1Gb颗粒价格有效击穿1美金关卡后,继续下探至0.90美金附近价位。2GB品牌模组的价格就全数跌至120-130区间。 上周初DDR400的价格高位震荡后,由于市场投机炒作者开始获利回吐,后半周价格开始逐步下滑。收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格跌至1.20美金附近,而采用64MbX8的模组价格也同步下滑。 Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状,上周价格继续维持总体偏软走势。虽然情况有所改善但是未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格继续维持偏软走势。

上两周回顾(2008.11.10-2008.11.16)

上周市场需求维持疲软,尽管时序只是到了中旬,但是DRAM供过于求的情况有所恶化,月底压力却似乎提前显现,商家降价求售心态明显。价格继续维持偏软走势。1Gb颗粒价格有效击穿1美金关卡后,继续下探至0.90美金附近价位。2GB品牌模组的价格就全数跌至120-130区间。
上周初DDR400的价格高位震荡后,由于市场投机炒作者开始获利回吐,后半周价格开始逐步下滑。收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格跌至1.20美金附近,而采用64MbX8的模组价格也同步下滑。
Nand Flash市场总体继续维持供大于求的现状,上周价格继续维持总体偏软走势。虽然情况有所改善但是未来走势还是不能乐观以对。MicroSD的价格继续维持偏软走势。

未来两周走势分析预测(2008.11.17-2008.12.07)

DDR400:

由于在大陆市场存在大量的搭载低容量DDR400内存的电脑,导致今年以来的DDR400的升级需求不断,因此我们预计年底前DDR400的需求将会维持这种旺盛的需求格局,但是春节后这种升级需求将会大为减少。
上周现货市场反弹后Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格开始走软; 512MB DDR400 Hynix兼容模组价格就下滑至75元附近盘整;而采用32X16颗粒生产的512MB内存的价格也轻微下滑,大约在58元附近展开盘整。
由于8寸厂大量退出,所剩不多,未来DDR400的实际产能已经减少,因此基本上我们认为就64MbX8 未来中短期再次跌破0.80美金的机会不大了,但是涨到市场传闻的1.50-1.80美金的可能性也不大。这主要基于两个原因,一个是标准8位的DDR400需求已经不大,并且还在不断萎缩中,而供应的略微增加都将会造成供过于求;另一个原因是32MbX16颗粒的价格相对便宜,市场大部分的需求将会采用和选择这种相对便宜的颗粒生产的512MB模组。在目前的价格位置上,如果价格继续大幅上升,那么炒作的成分无疑将占很大部分。
DDR2价格没有完全企稳和DDR400的价格有利可图的情况下,在未来两周的时间里,我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行盘整或是缓慢下跌。
DDR400的销售市场寿命接近尾声,未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的,另外机会也是难以把握。

结论:

DDR400的价格难以出现突破性地大幅上扬,未来价格总体将会维持区间内盘整或是轻微走软走势的机会偏大。
我们对于未来两周的DDR400的走势我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判,预计价格总体将会维持偏软的区间盘整,未来两周Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间1.00-1.25之间盘整的机会较大。
模组方面,512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主,64MbX8为辅,因此价格就会维持低位;1GB的价格将会跟随64MbX8的变化,价格就相对偏高。
建议操作上将以坚持波段操作手法,逢低适当吸纳,逢高减磅,正常经营为主。

DDR2:

形势分析:
上周现货市场继续维持平静,部分商家仍就等待反转的机会,但是多数商家已经不抱希望了。
上周大陆市场各个品牌的模组的价格呈现小幅下跌走势,其中KST 2GB DDR2 800就下跌至130-131元区间内窄幅盘整;而其它品牌下跌后,2GB多在125元附近展开盘整。
上周三星原装模组的价格继续下滑,其DDR2模组的价格继续便宜过金士顿,三星2GB DDR2 800模组价格跌至17.60美金,而金士顿的价格为18.3美金。
三星原装模组的价格维持低位的残酷现实,一方面显示其不达目的决不罢休的执着,而另一方面也说明市场严重供大于求。这一现象直接导致在大陆现货市场品牌模组老大的金士顿的价格也只能跟随降价。而大陆市场几乎所有一、二线的品牌的内存的价格均处于5元左右的狭窄空间内,而除金士顿以外的其它一、二、三线品牌的生存空间均受到压缩。
由于采用新的制程5Xnm和缩小芯片面积的6Xnm新工艺制程的产品开始大量产出,上周eTT 1Gb DDR2 800颗粒价格下滑0.88-0.90美金之间,而Hynix 1Gb DDR2 800的价格也下滑到0.90美金附近盘整。上周上游的出货力度似乎有所加强,价格下跌的幅度也是近期少有的。
消息面,在现货价格持续低于现金成本价的情况下,台系DRAM厂家茂德和力晶的现金水位快速下降,一般业者预计两家在没有外援资金注入的情况下,最多还可以挺1-3个月;在有可以预见额度的现金注入的情况下,最多还可以挺1-2个季度。因此,台湾当局正在评估事态发展的影响和解决方案,救与不救相信不会拖很久就会有答案的。
    前几期我们谈到,除三星以外的厂家的减产行动前后已经有两个月,在现货价格长期低于部分厂商的现金成本的情况下,个别厂商将难以生存到明年第一季度末或第二季度末。因此我们认为,这两个月将会是部分厂家再次扩大减产幅度的最可能的月份。尤其是近期价格持续滑落,将会导致有厂家大幅减产,甚至停产检修,目前看来个别厂商的提前停产的机会大增。目前力晶就已经公布月底停产检修一周,一般预计不久茂德也会有类似的决定。
三星前期预估第四季旺季不旺,DRAM价格仍会再跌24%至26%,明年可能会再跌30%,市场需求要等到明年下半年才会看到复苏迹象,明年度三星资本支出恐将较今年减少2至3成。
   由于除了三星以外的DRAM厂家几乎全数处于亏损状态下,而目前的颗粒价格已经在多数厂家的现金成本区以下,尽管我们认为在未来的两周里价格继续下滑的机会和空间有但就已经不大,但是目前看来抛货套现的行为将会是唯一打破这种判断的动力,上周不幸已经被我们看到了,未来还是有这种可能性的。
就时间而言,目前也尚不具备反转这种可能性。只有一种可能会导致价格大幅回升,那就是三星突然宣布减产或是个别厂商倒闭或完全停产,目前暂时虽然还看不到这两个可能性,但是这种机会正在持续增大。
长期来讲,价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的减产或是购并的情况而定。目前来讲,随着价格跌至接近现金成本区,未来出现继续加大减产幅度或是购并的机会正不断增加,也就是价格反弹的机会在逐步增大.
我们维持在未来5个月以内出现巨变的机会较大的研判,也就是明年第二季度的中旬前。

结论:

未来两周:
内存方面:内存的走势我们维持“中性”或“中偏空”的研判,价格将会维持弱势区间盘整的机会较大。其中多数品牌2GB DDR2 800在115-130之间盘整的机会较大。
颗粒方面:对于下两周的颗粒价格走势,我们将维持“中性”或“中偏空”的研判,预计颗粒价格将会维持低位弱势区间盘整走势。
鉴于厂家减产和停产行动的持续,长线就改持“中性”或“中偏多”观点。大的反转行情一切要看DRAM厂家的的减产或并购的情况而定,一般比较突然。

Nand Flash:

由于市场仍处于供大于求的环境中,Nand Flash的价格总体在上周继续维持偏软走势。Nand Flash消息面较为平静,市场部分商家的注意力都转移到DRAM厂家即将倒闭的传闻上。
颗粒方面,低阶颗粒的价格总体就维持盘整走势,而中高阶颗粒的价格仍维持偏软走势。MicroSD的价格就继续缓慢下滑,市场气氛沉闷。
受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实,总体上年底前继续维持既有的偏软盘整走势基本情况没有根本改变。由于价格的连续下跌,市场商家普遍悲观的情况下,市场商家和投机买盘手中的库存水位较低,这种情况将比较容易导致的局部供小于求局面出现,而不容易出现价格的大幅度下滑,因此未来由此造成局部时段的超跌反弹走势将会时不常地出现,但是这不会从更本上改变目前的供求关系。
由美国次贷风波引发的全球金融海啸越演越烈,其负面影响一时也难以消除,可以预见的是全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。
没有革命性的产品的诞生和产能过大是造成目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决,但是这需要时间和时机,同时也是一件水到渠成的事情。
可喜的是目前除海力士、美光宣布减产外,三星也加入到这一行列中来。我们预计在未来二个月到四个月以内,Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。
我们认为Nand Flash未来的中线反弹,还是要寄希望于上游厂家的减产,并最终达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看,供求关系未来两周难以出现实质性的好转,但是由于已经陆续有三家厂家开始减产,并考虑到前期价格下跌的幅度已大,技术上出现超跌反弹也属于正常,但是短期暂时还是不会出现反转行情。
未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求,任何反弹都是短暂和难以预估的,但是这也并不意味着价格会一路下滑,由于目前的价格跌幅已深,未来价格将会缓跌逐步企稳并盘整,并时有小的反弹出现,只是机会难以把握。
Nand Flash产品已经完全成为消费类产品,其价格走势的特点就是总体不断的下跌,反弹的机会有但幅度有限,只是过去一年来的跌速过快而已,因此,在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。
但是客观地来讲,由于价格已经跌至接近厂家的成本区附近,本轮的价格的下滑的长周期正在接近尾声,有理由相信未来二到四个月的时间内将会逐步回归常态。

结论:

我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 或“中偏空”研判,具体不同容量的产品就会体现出低阶价格趋稳、高阶偏软的特点。长线就改持“中性”或“中偏多”观点。
未来年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳,Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险,因为新的一轮的制程提升已经再次展开,成本也将再次下降。
建议:短线价格维持盘整或震荡下跌的机会较大,波段操作,维持正常经营即可!

上周市场情况汇总:

上周的DRAM市场气氛转趋平静,总体市场投机行为归于平均水准以下,多数商家对后市改持“偏空”看法,少部分商家则维持“中性”或“中偏多”看法,市场炒家活动总体规模仍处于低水平。上周炒作指数维持在60分以下水准(满分100分),由于颗粒价格的再次快速下滑,市场关注得以继续度维持高位,约在80水平以上,市场终端需求维持正常,市场成交量维持自60-70分,目前市场仍处于轻微供大于求的状态。市场商家均以收款为主,对于销量并不感兴趣。
上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软,我们对于未来两周的加个也总体维持中偏空性走势。MicroSD价格也轻微下滑。市场的关注度维持70分水平,投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛继续低迷,终端需求尚可,成交量维持在75分水准附近,未来走势将主要取决于供应的变化,但是短期仍就不乐观,预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间RMB

预测走势

主要品牌

2GB DDR2 800 8C

115130

偏软区间盘整

Hynix兼容条

1GB DDR400 8C

130-145

偏软区间盘整

 
下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

HynixeTT

1Gb DDR2 800

USD0.80-0.95

偏软区间盘整

Hynix

512Mb DDR400

USD1.00-1.25

偏软区间盘整