上周回顾及未来两周走势分析

上两周回顾(2008.12.08-2008.12.14)

上周市场总体继续疲软，但是压力似乎有所减轻,市场需求维持正常并好于上月。上周DDR2的供过于求的情况持续，价格轻微下跌。其中Hynix1Gb DDR2 800原装颗粒价格已经跌破0.60美金，eTT 1Gb则跌到0.57美金附近。模组方面，2GB DDR2品牌模组的价格就全数跌至86元－96元之间的区间。

DDR400的价格就维持窄幅盘整,收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格在1.02美金附近展开盘整，32X16Mb则跌至0.67美金附近。而模组价格下跌后总体也维持盘整走势。

上周价格呈现涨跌互现，但是Nand Flash市场总体仍继续维持轻微供大于求的现状,价格是否企稳仍有待观察。MicroSD和SD的价格也同步继续维持下跌走势，接近周末时价格有所反弹,但是力度就有限。

未来两周走势分析预测(2008.12.15-2008.12.28)

DDR400：

上周Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格下跌后开始围绕1.03美金展开盘整，但由于32MbX16的颗粒价格轻微下滑,所以采用这种颗粒的512MB模组的价格反而有所便宜。Hynix 1GB DDR400兼容模组的价格也在上涨后又下滑至123元附近盘整。

临近农历新年，市场DDR400需求明显受到升级需求接近尾声的影响而小幅萎缩，因此在年底前供求关系仍会维持轻微供大于求的状态下，也就是恐怖的动态平衡中。在DDR2价格仍在崩跌、没有完全企稳及DRR400供应相对没有问题的情况下，在未来两周的时间里，我们有理由相信DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整或是缓慢下跌的机会偏高。

DDR400的批量销售的市场寿命接近尾声，未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的，另外机会也是难以把握。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判，预计价格总体将会维持偏软的区间盘整。
其中Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间0.80-1.10美金之间盘整的机会较大。DDR400的价格难以出现突破性地大幅上扬，未来价格总体将会维持在这个区间内盘整的机会偏大。
模组方面，512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主，64MbX8颗粒为辅，因此其价格就会维持低位；1GB的价格将会跟随64MbX8的变化，价格就相对偏高一点。
建议操作上将以坚持正常经营为主，逢低可依适当吸纳，逢高则坚决减磅。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场继续维持平静，需求虽一般但好于11月份。月初的压力有所减缓，但是需求未见明显改善，上游厂商仍降价求售喝套现，只是跌势趋缓。一些商家仍就等待反转的机会，多数商家已经对年前反弹不抱希望了。尽管周末的金士顿有所反弹，但是这是源于市场商家补货导致的，并不是。
受到韩元对美金大幅贬值的支持，上周现货市场上的韩系颗粒的价格继续走软，其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格跌破0.60美金。受到韩系厂家低价出货的压力，台系商家也只能继续低价套现,eTT 1Gb颗粒的价格已经跌至0.57美金附近。
上周三星原装模组的价格继续下滑，其DDR2模组的价格继续便宜过金士顿，三星2GB DDR2 800模组价格跌至13美金附近，而金士顿的价格也跌到不到14美金的位置，这显示OEM和现货市场市场的情况仍严峻。
三星原装模组的价格维持低位的残酷现实，一方面显示出其借住韩元贬值的优势,不达目的决不罢休的决心，而另一方面也反映了市场严重供大于求的现实。实际上价格跌至目前的价位已经出乎包括三星在内所有人的预料，因此未来的事态发展将会是敏感和多变的。
截至上周为止，DRAM厂家套现行为有所减弱但仍严重，减产效果至今仍不理想，后期的走势仍充满变数。台湾DRAM厂家决定明年第一季度展开新的一轮减产计划，预计届时台系厂家的减产幅度累计将会达到50%左右。这将对未来的供求关系产生正面影响，但是具体效果如何仍要看明年第一季度的OEM市场和现货市场的需求增减情况而定。
由于DDR3开始陆续上市，DDR2的淘汰程序相信在农历新年后就会启动，但是由于DDR2的价格偏低等原因，预计明年年底前DDR3的销量最快将会达到市场份额的20-30％。因此DDR2的历史寿命将在明年的下半年开始进入淘汰期。
    除三星以外的厂家的减产行动前后已经有两个多月，在现货价格长期低于部分厂商的现金成本的情况下，我们认为个别厂商将难以生存到明年第一季度末或第二季度末。我们认为，今年12月份和明年1月份将会是部分厂家再次扩大减产幅度或者甚至停产检修的最可能的两个月份,目前我们已经陆续看到了这个结果,日前台系厂家已经率先宣布明年第一季度继续扩大减产幅度。
三星近期宣布降低明年的资本支出，并再次预计明年的价格仍有下档空间，但就没有明确讲是否将会减产。三星前期则预估第四季旺季不旺，DRAM价格仍会再跌24％至26％，明年可能会再跌30％，市场需求要等到明年下半年才会看到复苏迹象，明年度三星资本支出恐将较今年减少2至3成。
   由于目前的颗粒价格已经跌至包括三星在内的全部厂家的现金成本区以下，因此我们认为理论上在未来的两周里价格继续下滑空间有但就已经不大，但价格是否反弹就与此无关，而与时间的关联度较大。但是现实却是，由于接近年底未来两周反转的可能性仍然不高，年底反而有出货套现的压力。
只有一种可能会导致价格大幅回升，那就是三星突然宣布减产或是个别厂商倒闭或完全停产，目前暂时还看不到有这两个可能性出现，但是这种机会仍在持续增大。
长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，而减产不能从根本上解决问题。随着价格跌破全部厂家的现金成本区，厂家已经开始加大减产幅度，未来购并的机会正不断增加，也就是价格反弹的机会在逐步增大。
我们维持在未来5个月以内出现巨变的机会较大的研判，也就是最迟明年第二季度的中旬前后就会发生。

结论：

由于接近月底，OEM需求停滞，DRAM厂家的套现压力可能会再现，厂家只能向像现货市场抛货套现，价格的下跌似乎不可避免。
未来两周：价格继续快速下滑的机会又有所加大，月底后价格将会逐步止跌并开始向趋稳方向走，但是短线大幅反弹的可能性仍不大。
内存方面：内存的走势我们维持“中性”或“中偏空”的研判，价格将会维持弱势区间盘整的机会较大。其中多数品牌2GB DDR2 800在85－95之间盘整的机会较大。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”或“中偏空”的研判，预计颗粒价格将会维持区间弱势盘整走势。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就改持“中性”或“中偏多”观点。大的反转行情一切要看DRAM厂家的的减产、并购和倒闭的情况而定，但是一般比较突然。
需要说明的是，随着未来金士顿２GB DDR2 800品牌模组跌破90元后，下跌的动能将会开始逐步减弱。

Nand Flash：

上周价格呈现涨跌互现，但是 Nand Flash市场总体仍继续维持轻微供大于求的现状。高阶颗粒的价格仍然偏软，低阶的价格就趋稳，未来价格总体是否企稳就仍要观察。MicroSD和SD的价格结束连续的下滑走势，在临近周末时有所反弹，但是幅度就有限，未来是否能够企稳仍不确定。
受制于Nand Flash的庞大产能和需求渐趋稳定成熟的现实，总体上年底前继续维持既有的偏软盘整走势没有根本改变。由于价格的连续下跌，市场商家普遍悲观的情况下，市场商家和投机买盘手中的库存水位较低，这种情况将比较容易导致的局部供小于求局面出现，而不容易出现价格的大幅度下滑，因此未来由此造成局部时段的超跌反弹走势将会时不常地出现，但是这不会从更本上改变目前的供求关系。
由美国次贷风波引发的全球金融海啸越演越烈，其负面影响一时也难以消除，可以预见的是全球市场需求的疲软态势在年底前不会有改变。
没有革命性的产品的诞生和产能过大是造成目前Nand Flash偏软走势积重难返的两个根本原因。这需要业界理性来加以解决，但是这需要时间和时机，同时也是一件水到渠成的事情。Nand Flash庞大产能仍然寄希望于SSD的需求引爆来消化。
可喜的是目前除海力士、美光宣布减产外，三星也加入到这一行列中来。我们预计在未来四个月以内，Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。
Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产和SSD需求的引爆，并最终达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是由于已经陆续有三家厂家开始减产，并考虑到前期价格下跌的幅度已大，技术上出现超跌反弹也属于正常，但是中线在农历新年前暂时还是不会出现反转行情。
未来两周Nand Flash的价格理论上仍是处于供大于求，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，未来价格将会缓跌逐步企稳并盘整，并时有小的反弹出现，只是机会难以把握。
Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是过去一年来的跌速过快而已，因此，在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。
但是客观地来讲，由于价格已经跌至接近厂家的上一代制程成本区附近，本轮的价格的下滑的长周期正在接近尾声，有理由相信未来四个月的时间内将会逐步回归常态。
但是需要注意的是新的制程已经陆续开始量产，未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上做出积极的调整。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 或“中偏空”研判，具体不同容量的产品就会体现出低阶价格趋稳、高阶偏软的特点。
长线就改持“中性”或“中偏多”观点。
未来农历新年年底前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开，成本也将再次下降。
建议：短线价格维持盘整或震荡下跌的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛较为诡秘，总体市场投机行为开始轻微上升，多数商家对后市改持“偏空”看法，但是部分商家则维持“中性”或“中偏多”看法，市场炒家活动总体规模轻微上升，但仍低于平均水平。上周炒作指数轻微上升至6５分水准（满分100分），由于颗粒和模组价格下滑速度减缓，市场关注度继续维持高位，约在80水平以上，市场终端需求维持正常，市场成交量维持70分附近，目前市场仍处于轻微供大于求的状态。市场商家均以收款为主，对于销量并不感兴趣。
上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏软，我们对于未来两周的价格也总体维持中偏空性走势。MicroSD和ＳＤ价格也轻微反弹。市场的关注度维持70分水平，投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛继续低迷，终端需求尚可，成交量维持在75分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是短期仍就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏空的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

 
下周DRAM颗粒价格走势预测