未来两周市场价格走势分析

上周现货市场在美元贬值、Hynix减产消息的刺激影响下，在上游商顺势家锁货和下游商家追涨补货的共同作用下，出现了强劲地超跌反弹，市场需求明显转好，但是后续的力度仍有待观察。其中Hynix1Gb DDR2 800颗粒价格上涨到0.78美金附近，eTT 1Gb业涨到0.80美金附近。模组方面，2GB DDR2品牌模组的价格就全数涨至95元－115元之间的区间。 DDR400的价格就受到DDR2强劲反弹的影响，收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格在1.08美金附近，32X16Mb则涨至0.75美金附近；而模组价格也同样出现了幅度相当的上涨。 上周Flash受到生产厂家减产消息的刺激，价格呈现偏强的盘整走势， MicroSD和SD等卡类的价格也同步走强，市场人气明显活跃。

上两周回顾(2008.12.15-2008.12.21)

上周现货市场在美元贬值、Hynix减产消息的刺激影响下，在上游商顺势家锁货和下游商家追涨补货的共同作用下，出现了强劲地超跌反弹，市场需求明显转好，但是后续的力度仍有待观察。其中Hynix1Gb DDR2 800颗粒价格上涨到0.78美金附近，eTT 1Gb业涨到0.80美金附近。模组方面，2GB DDR2品牌模组的价格就全数涨至95元－115元之间的区间。
DDR400的价格就受到DDR2强劲反弹的影响，收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格在1.08美金附近，32X16Mb则涨至0.75美金附近；而模组价格也同样出现了幅度相当的上涨。
上周Flash受到生产厂家减产消息的刺激，价格呈现偏强的盘整走势， MicroSD和SD等卡类的价格也同步走强，市场人气明显活跃。

未来两周走势分析预测(2008.12.22-2009.01.04)

DDR400：

上周DDR400的价格明显受到DDR2的强劲反弹走势影响，Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格上涨到1.08美金附近展开盘整，32MbX16的颗粒价格也上升到 0.75美金附近，市场的投机气氛浓厚，卖家惜售心理严重。采用32MbX16颗粒的512MB模组和64MbX8颗粒的1GB DDR400兼容模组的价格也同时应声上扬。
前期我们谈到，临近农历新年市场DDR400需求明显受到升级需求接近尾声的影响而小幅萎缩，因此在年底前供求关系仍会维持轻微供大于求的状态下，也就是DDR400市场处于恐怖的动态平衡中。但是市场任何一点多空消息都会打破这种平衡，上周DDR400的价格走势就是明显受到DDR2价格上涨的影响。
尽管如此，我们仍然认为在未来两周的时间里，DDR400的价格也将会维持在一个区间内进行弱势盘整或是缓慢下跌的机会偏高。
DDR400的批量销售的市场寿命接近尾声，未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的，另外机会也是难以把握。
结论：
对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”的研判，预计价格总体将会维持区间盘整的机会较高。
其中Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间0.80-1.10美金之间盘整的机会较大。DDR400的价格难以出现突破性地大幅上扬，未来价格总体将会维持在这个区间内盘整的机会偏大。
模组方面，512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主，64MbX8颗粒为辅，因此其价格就会维持低位；1GB的价格将会跟随64MbX8的变化，价格就相对偏高一点。
建议操作上将以坚持正常经营为主，逢低可依适当吸纳，逢高则坚决减磅。
DDR2：
形势分析：
上周现货市场先后受到韩元对美金升值、Hynix减产二到三成和商家回补库存等利好的消息的影响，价格出现明显的超跌反弹，上涨幅度高达20%。
上周现货市场上的韩系颗粒和台系颗粒的价格均大幅反弹软，其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格反弹到接近0.80美金的价位。而eTT 1Gb颗粒的价格更反弹到0.82美金附近，但是高位的成交就有限。金士顿的2GB模组价格在周日的交易中被炒家推高到120元附近。
包括三星在内的韩系厂家策略有所改变，其中Hynix开始减产20－30％，三星也倾向于适当减产并将价格适当提升至其成本区以上，避免出现记忆体和液晶面板的双线亏损情况的出现。
由于年底前，欧美长假期接踵而来导致需求停滞，而OEM厂家也将因为盘点而暂停采购，现货市场的购买力的实际支撑力仍将面临严峻考验。我们研判在这种情况下，仅靠大陆市场的需求来支持价格的大幅上扬将难以为继，换句话讲价格难以继续大幅飙升。
长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，而减产不能从根本上解决问题。随着时间的推移，厂家已经开始加大减产幅度，未来购并的机会正不断增加，也就是价格反弹的机会在逐步增大，上周的情况正是最好的说明。
我们维持在未来4个月以内出现巨变的机会较大的研判，也就是最迟明年第二季度的中旬前后就会发生。
结论：
由于接近月底，OEM需求停滞，DRAM厂家的套现压力可能会再现，价格难以继续大幅上扬，但是本次的大幅反弹已经说明DDR2的探底走势已经完成，价格未来将会在成本区附近展开盘整的机会较大。
未来两周：价格将盘整的机会较大，由于上周的大幅反弹，短线大幅继续反弹的可能性降低。
内存方面：内存的走势我们维持“中性”的研判，价格将会维持弱势区间盘整的机会较大。其中多数品牌2GB DDR2 800在100－125之间盘整的机会较大。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”的研判，预计颗粒价格将会维持区间盘整走势。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就改持“中性”或“中偏多”观点。
Nand Flash：
上周Nand颗粒价格总体呈现小幅上扬的走势，而卡类价格如MicroSD和SD的价格也出现超跌反弹的走势，总体而言，上涨仍属于超跌反弹性质，并非反转走势。
截至上周为止，除海力士、美光和三星以外，东芝和Sandisk也加入到这一行列中来。我们维持预计在未来三个月以内，Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。
Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产和SSD需求的引爆，并最终达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是考虑到目前全部厂家均已经开始减产，而前期价格下跌的幅度已大，技术上出现超跌反弹也属于正常，但是中线在农历新年前暂时还是不会出现反转行情，维持底部盘整的可能性较大。
未来两周Nand Flash的供求关系理论上仍是处于恐怖的动态平衡之中，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，未来价格将会缓跌逐步企稳并盘整，并时有小的反弹出现，只是机会难以把握。
Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是过去一年来的跌速过快而已，因此，在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。
但是客观地来讲，由于价格已经跌至接近厂家的上一代制程成本区附近，本轮的价格的下滑的长周期正在接近尾声，有理由相信未来三个月的时间内将会逐步回归常态。
但是需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产，未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上做出积极的调整。
结论：
我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 研判，具体不同容量的产品走势就会有所不同，但是不宜对其反弹报有过于乐观和不切实际的态度。
长线我们维持“中性”观点。
未来农历新年前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够出现大的反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开，成本也将再次下降。
建议：短线价格维持震荡盘整的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛较为活跃，总体市场投机行为明显升温，价格明显上扬。多数商家对后市改持“偏多”看法，市场炒作活动总体规模也明显上升。上周炒作指数轻微上升至85分水准（满分100分），外围炒家开始入市，市场关注度继续维持高位，约在95水平以上，市场终端需求维持正常，市场成交量维持85分附近，目前市场仍处于严重的供小于求的状态之下。
上周Nand Flash颗粒价格总体走势偏强，我们对于未来两周的价格也总体改持中性。MicroSD和ＳＤ等卡类价格也改持中性。市场的关注度上升到80分水平，投机活动在MicroSD市场有所抬升。市场的气氛受到价格上升的影响开始活跃，终端需求尚可，成交量维持在80分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是短期仍就不敢盲目乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性或中偏强的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

下周DRAM颗粒价格走势预测