上周回顾及未来两周走势分析

继前一周DDR2强劲反弹后，上周现货市场内存价格出现了明显的获利回吐走势。市场气氛转趋审慎，市场趋于平静，价格也逐渐下滑。由于外围市场的处于假期等原因，颗粒价格总体只是轻微下滑。其中Hynix1Gb DDR2 800颗粒价格跌至0.76美金附近，eTT 1Gb也轻微下滑到0.85美金附近。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格几乎全数跌至95元－105元之间的区间。 DDR400的价格上周就维持盘整走势，收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格维持1.12美金附近，32X16Mb则维持在0.80美金附近；而模组价格也同样出现盘整。 上周Flash价格呈现偏强的盘整走势， MicroSD和SD等卡类的价格则反弹后又轻微走软。市场人气活跃度有所下降，价格能否就此继续稳定趋坚仍然需要观察。

上两周回顾(2008.12.22-2008.12.28)

继前一周DDR2强劲反弹后，上周现货市场内存价格出现了明显的获利回吐走势。市场气氛转趋审慎，市场趋于平静，价格也逐渐下滑。由于外围市场的处于假期等原因，颗粒价格总体只是轻微下滑。其中Hynix1Gb DDR2 800颗粒价格跌至0.76美金附近，eTT 1Gb也轻微下滑到0.85美金附近。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格几乎全数跌至95元－105元之间的区间。

DDR400的价格上周就维持盘整走势，收市时Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格维持1.12美金附近，32X16Mb则维持在0.80美金附近；而模组价格也同样出现盘整。

上周Flash价格呈现偏强的盘整走势， MicroSD和SD等卡类的价格则反弹后又轻微走软。市场人气活跃度有所下降，价格能否就此继续稳定趋坚仍然需要观察。

未来两周走势分析预测(2008.12.29-2009.01.11)

DDR400：

上周DDR400的价格继续维持偏强的盘整走势，Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格维持在本次反弹的高点附近展开盘整，即1.12美金附近展开盘整，32MbX16的颗粒价格在 0.80美金附近盘整。市场的投机气氛明显减弱，但是卖家惜售心理仍严重。采用32MbX16颗粒的512MB模组和64MbX8颗粒的1GB DDR400兼容模组的价格继续维持高位。

临近农历新年市场DDR400需求明显受到升级需求接近尾声的影响而小幅萎缩，年底前供求关系仍会维持轻微供大于求的状态下，也就是DDR400市场处于恐怖的动态平衡中，市场任何一点多空消息都会打破这种平衡，但是不会根本上改变这种区间盘整的走势。

在未来两周的时间里，我们仍然维持DDR400的价格将会维持在一个区间内进行盘整的机会偏高之研判。

DDR400的批量销售的市场寿命接近尾声，未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的，另外机会也是难以把握。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”的研判，预计价格总体将会维持区间盘整的机会较高。

其中Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间0.80-1.15美金之间盘整的机会较大。DDR400的价格难以出现突破性地大幅上扬，未来价格总体将会维持在这个区间内盘整的机会偏大。

模组方面，512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主，64MbX8颗粒为辅，因此其价格就会维持低位；1GB的价格将会跟随64MbX8的变化，价格就相对偏高一点。

建议操作上将以坚持正常经营为主，区间内逢低可依适当吸纳，逢高则坚决减磅。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场的DDR2内存商家犹如坐了一次过山车，DDR2内存的价格在前一周末达到最高点后，上周一开市便开始一路下滑，其中金士顿2GB DDR2模组的价格就由最高点125元跌至最低点103元附近。

金士顿的2GB模组价格上周价格跌至102元附近，其它品牌的模组价格就全线下滑，主要品牌的价格基本均合金士顿的金士顿的价格相差无几，价格多处于95-105元之间。

上周现货市场的颗粒价格走势与内存总体同步走软，但是回调幅度差异就较大。其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格跌至0.77美金附近，但是eTT 1Gb颗粒的价格就相对稳定，只是轻微下跌至0.86美金附近盘整。只是由于假期、库存偏高和获利盘较多等原因成交就有限，市场的观望气氛浓厚。

未来两周仍然是欧美市场的传统的淡季，大陆市场则处于节前销售的传统旺季，但是以近几年的情况来看，这个旺季的效果似乎就已经不够明显。

长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，而减产不能从根本上解决问题。随着时间的推移，厂家将会逐渐加大减产幅度，未来购并的机会也不断增加，也就是价格反弹的机会在逐步增大，前面的反弹情况正是最好的说明了这一点。

包括三星在内的韩系厂家策略有所改变，其中Hynix开始减产20－30％，三星也倾向于适当减产并将价格适当提升至其成本区以上，避免出现记忆体和液晶面板的双线亏损情况的出现，这样进可攻、退可守。

目前来讲，近期的价格反弹完全归功于上游厂家的锁货“功劳”，这并不意味着供求关系已经从根本上改变。截至目前为止，我们仍没有看到三星的官方关于减产的明确态度，但是未来一个月将是观察的重点时段。观察的重点依次是三星的态度变化、海力士减产的实际幅度和台系厂家整合情况和减产幅度增加的效果。

我们维持在未来4个月以内出现巨变的机会较大的研判，也就是明年第二季度的中旬前后就会发生。

需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上可能并不是很重要。

结论：

本次的大幅反弹已经说明DDR2的探底走势已经完成，价格未来将会在DRAM厂家成本区附近展开盘整的机会较大，但何时能够展开反转行情仍然充满变数。目前制程下多数厂家的现金成本处于0.75-1.00美金之间。

未来两周：DDR2价格将维持区间盘整的机会较大，跌破前期最低点的机会不大，但是大幅上扬的机会也不大。

内存方面：内存的走势我们维持“中性”的研判，价格将会维持弱势区间盘整的机会较大。其中绝大多数品牌2GB DDR2 800在95－125之间盘整的机会较大。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”的研判，预计颗粒价格将会维持区间盘整走势。

鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就改持“中性”或“中偏多”观点。

Nand Flash：

上周Nand颗粒价格总体呈现轻微偏强的盘整走势，而卡类价格如MicroSD和SD的价格出现获利回吐的回调走势，总体而言，上涨仍属于超跌反弹性质，并非反转走势。

截至上周为止，海力士、美光、三星、东芝和Sandisk均加入到这一行列中来。我们维持预计在未来三个月以内，Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。

Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产和SSD需求的引爆，并最终达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是考虑到目前全部厂家均已经开始减产，而前期价格下跌的幅度已大，技术上出现超跌反弹也属于正常，但是中线在农历新年前暂时还是不会出现反转行情，维持区间盘整的可能性较大。
未来两周Nand Flash的供求关系理论上仍是处于恐怖的动态平衡之中，任何反弹都是短暂和难以预估的，但是这也并不意味着价格会一路下滑，由于目前的价格跌幅已深，未来价格将会缓跌逐步企稳并盘整，并时有小的反弹出现，只是机会难以把握。

Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是过去一年来的跌速过快而已，因此，在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度有过高期望。

但是客观地来讲，由于价格已经跌至接近厂家的上一代制程成本区附近，本轮的价格的下滑的长周期正在接近尾声，有理由相信未来三个月的时间内将会逐步回归常态。

但是需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产，未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上做出积极的调整。

结论：

我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 研判，具体不同容量的产品走势就会有所不同，但是不宜对其反弹报有过于乐观和不切实际的态度，价格维持区间盘整的机会较大。

长线我们维持“中性”观点。

未来农历新年前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。

建议：短线价格维持震荡盘整的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛转趋审慎，总体市场投机行为明显降温，内存价格明显下滑。多数商家对后市改持“审慎”的看法，市场炒家活动总体规模较前期明显上升。上周炒作指数下滑至70分水准（满分100分），市场关注度继续维持高位，但是轻微下滑，约在85水平以上，市场终端需求维持正常，市场成交量下滑至75分附近，目前市场仍处于轻微供小于求的状态。

上周Nand Flash颗粒价格总体维持偏强的盘整走势，我们对于未来两周的价格也总体改持中性。MicroSD和ＳＤ价格也改持中性。市场的关注度上升到80分水平，投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛受到价格上升的影响开始活跃，终端需求尚可，成交量维持在80分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是短期仍就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性的机会偏大。

下周内存价格走势预测
 

下周DRAM颗粒价格走势预测