上周回顾及未来两周分析

受到大陆和外围市场的假期影响，DDR2价格总体处于窄幅盘整，市场平静，商家观望气氛浓厚。Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格继续在0.78美金附近盘整，eTT 1Gb也维持在0.85美金附近，但是成交有限。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格维持在95元－105元之间的区间盘整。 DDR400的价格上周继续维持盘整走势，Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格维持1.12美金附近盘整，32X16Mb则维持在0.80美金附近；而模组价格也同样继续盘整。 受到上游厂家的锁货影响，上周Flash价格呈现小幅上扬的走势， 而MicroSD和SD等卡类的价格也继续反弹。市场商家多持观望或审慎态度，未来这种价格上升的走势能否持续和持续多久仍然需要观察。

上两周回顾(2008.12.29-2008.01.04)

受到大陆和外围市场的假期影响，DDR2价格总体处于窄幅盘整，市场平静，商家观望气氛浓厚。Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格继续在0.78美金附近盘整，eTT 1Gb也维持在0.85美金附近，但是成交有限。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格维持在95元－105元之间的区间盘整。
DDR400的价格上周继续维持盘整走势，Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格维持1.12美金附近盘整，32X16Mb则维持在0.80美金附近；而模组价格也同样继续盘整。
受到上游厂家的锁货影响，上周Flash价格呈现小幅上扬的走势， 而MicroSD和SD等卡类的价格也继续反弹。市场商家多持观望或审慎态度，未来这种价格上升的走势能否持续和持续多久仍然需要观察。

未来两周走势分析预测(2009.01.05-2009.01.25)

DDR400：

上周DDR400的价格继续维持盘整走势，Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格继续维持在本次反弹的高点附近展开盘整，即1.12美金附近展开盘整，32MbX16的颗粒价格在 0.80美金附近盘整。市场的投机气氛不高，但是上游卖家惜售心理仍严重。采用32MbX16颗粒的512MB模组和64MbX8颗粒的1GB DDR400兼容模组的价格继续维持高位。
临近农历新年，市场DDR400需求明显受到升级需求接近尾声的影响而小幅萎缩，年底前供求关系仍会维持轻微供大于求的状态下，也就是DDR400市场处于恐怖的动态平衡中，市场任何一点多空消息都会打破这种平衡，但是不会根本上改变这种区间盘整的走势。
在未来两周的时间里，我们仍然维持DDR400的价格将会维持在一个区间内进行盘整的机会偏高之研判。
DDR400的批量销售的市场寿命接近尾声，未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的，另外机会也是难以把握。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”的研判，预计价格总体将会维持区间盘整的机会较高。
具体而言，其中Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间0.85-1.15美金之间盘整的机会较大。DDR400的价格短期难以出现突破性地大幅上扬，未来价格总体将会维持在这个区间内盘整的机会偏大。
模组方面，512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主，64MbX8颗粒为辅，因此其价格就会维持低位；1GB的价格将会跟随64MbX8的变化，价格就相对偏高一点。
建议操作上将以坚持正常经营为主，区间内逢低可依适当吸纳，逢高则适当减磅。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场的DDR2内存价格逐步止跌回稳，DDR2内存的价格未能跌破前期低点，预示着前期的低点很可能已经是中线的底部。以金士顿2GB DDR2模组的价格为例，其前期的最低点95元-100元附近可能就是其中线的阶段性底部。
金士顿2GB模组的价格上周最低跌至99元附近，其它品牌的模组价格就全线下滑到100元附近。但是后半周在外围市场休假、没有新货入场和获利了结盘减少的情况下，金士顿价格呈现触底轻微反弹的走势，价格逐步反弹到105元附近。
由于上周外围市场多处于假期中，市场的观望气氛浓厚。上周现货市场的颗粒交易基本处于停滞状态，价格则维持盘整。其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格在0.75美金附近盘坚，eTT 1Gb颗粒的价格则继续在0.85美金附近整固。
未来两周仍然是欧美市场的传统的淡季，大陆市场则处于节前销售的传统旺季，但是以近几年的情况来看，这个旺季的效果似乎就已经不明显。
由于在第一季度需求将持续下滑，DRAM厂家的减产的效果将会打一些折扣，反应减产效果的价格反弹可能还要再等上一段时间。但是总体而言随着时间的推移，厂家将会逐渐加大减产幅度，未来购并的机会也不断增加，也就是价格反弹的机会在逐步增大，前面的反弹情况正是最好的说明了这一点。
包括三星在内的韩系DRAM生产厂家的策略有所改变，其中Hynix于1月份开始减产20－30％，三星也倾向于适当减产并将价格适当提升至其成本区以上，避免出现记忆体和液晶面板的双线亏损情况的出现，这样进可攻、退可守。
目前来讲，近期的价格反弹完全归功于上游厂家的锁货“功劳”，这并不意味着供求关系已经从根本上改变。截至目前为止，我们仍没有看到三星的官方关于减产的明确态度，但是未来一个月将是观察的重点时段。观察的重点依次是三星的态度变化、海力士减产的实际幅度、台系厂家整合情况和减产幅度增加的效果。
第一季度发生大幅反转的机会仍然不大，但是我们依然维持在未来4个月以内出现巨变的机会较大的研判，也就是明年第二季度的中旬前后就会发生。
需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上可能并不是很具有技术上的参考性。
结论：
前一周的大幅反弹说明DDR2的探底走势已经完成，而上周的触底轻微反弹或许预示着筑底进入收尾震荡阶段。价格未来将会在DRAM厂家成本区附近展开盘整的机会较大，但何时能够展开反转行情仍然充满变数。目前制程下多数厂家的现金成本处于0.75-1.00美金之间。
未来两周：DDR2价格将维持区间盘整的机会较大，跌破前期最低点的机会不大，但是大幅上扬的机会也不大。
内存方面：对于内存的走势我们维持“中性”的研判，价格将会维持弱势区间盘整的机会较大。其中绝大多数品牌2GB DDR2 800在100－125元之间盘整的机会较大。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”的研判，预计颗粒价格将会维持区间盘整走势。
操作上，建议逢低适当吸纳，在维持保持一度库存的情况下逢高适当减仓。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就改持“中性”或“中偏多”观点。

Nand Flash：

在三星锁货的带动下，上周Nand颗粒价格总体继续小幅上扬的走势，而卡类价格如MicroSD和SD的价格也重回上扬走势，总体而言，上涨仍属于短期的锁货行为导致的，供求失衡的状况只是暂时得到缓解，但是未能得到根本解决。
截至上周为止，海力士、美光、三星、东芝和Sandisk均加入到这一行列中来。我们维持预计在未来三个月以内，Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态。
Nand Flash未来的中线反弹，还是要寄希望于上游厂家的减产和SSD需求的引爆，并最终达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是考虑到目前全部厂家均已经开始减产，而前期价格下跌的幅度已大，技术上出现超跌反弹也属于正常，但是中线在农历新年前暂时还是不会出现反转行情，目前的反弹仍属于锁货导致的短期和暂时性的走势。
尽管厂家已经陆续减产，但是预计今年的需求也将同步下滑。而造成今年需求成长幅度大减的原因，主要与NAND Flash主要应用的手机、数码相机等市场需求下滑有关。其中手机部分，包挂Nokia、三星、LG等大厂对于景气看法均偏向保守，由于消费景气的衰退，手机周期换机时间延长，2009年的手机出货量恐较2008年衰退5%左右。
数码相机的部分，Canon与索尼也都调降明年出货展望，其中Canon从原2,500万台下修至2,350万台，SONY也由2,600万台下修为2,400万台。由于数码相机使用记忆卡也是消耗NAND Flash的大宗，一旦数位相机市场出货量不如预期，也会影响NAND Flash市况。
至于被市场寄望成为NAND Flash新一代杀手级产品的固态硬碟（SSD）方面，由于价格仍偏高与可靠度仍有待强化等因素，短期内仍将以工业市场应用为主，占低价电脑的比重将小于10%，对Nand Flash的消耗贡献仍低。
未来两周Nand Flash的供求关系理论上仍是处于恐怖的动态平衡之中，任何反弹都是短暂和难以预估的，由于目前的反弹并非由于供求关系而是供应端锁货造成的，因此机会难以把握，风险也难以评估。我们可以肯定的是Nand Flash的供大于求不可能在短期就加以解决。
Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但幅度有限，只是过去一年来的跌速过快而已，因此，在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度和持续的时间有过高期望。
但是客观地来讲，由于价格已经跌至接近厂家的上一代制程成本区附近，本次反弹将是使价格回归理性，我们有理由相信未来三个月的时间内将会Nnad Flash的供求关系将逐步回归常态。
但是需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产，未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上做出积极的调整。
结论：
我们对下两周的Nand Flash维持“中性” 研判，具体不同容量的产品走势就会有所不同，但是不宜对其反弹报有过于乐观和不切实际的态度。
长线我们维持“中性”观点。
未来农历新年前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束。但是何时能够出现大的反弹仍然充满偶然性和风险，因为新的一轮的制程提升已经再次展开，成本也将再次下降。
建议：短线价格维持震荡盘整的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛转趋中性，总体市场投机行为趋于正常范围内，内存价格触底轻微反弹。多数商家对后市持“审慎乐观”的看法，市场炒家活动总体规模较前期上升。上周炒作指数维持在75分水准（满分100分），市场关注度继续维持高位，约在80水平以上，市场终端需求维持正常，市场成交量下滑至75分附近，目前市场仍处于轻微供大于求或供求平衡状态中。
上周Nand Flash颗粒价格总体维持偏强的盘整走势，我们对于未来两周的价格也总体改持中性。MicroSD和ＳＤ价格也改持中性。市场的关注度上升到80分水平，投机活动在MicroSD市场趋于理性。市场的气氛受到价格上升的影响开始活跃，终端需求尚可，成交量维持在80分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，但是短期仍就不乐观，预判未来两周里的价格就会维持中性的机会偏大。

 
下周内存价格走势预测
 

 
下周DRAM颗粒价格走势预测