未来两周价格分析预测
上两周回顾(2008.01.04-2008.01.18)
受到三星调高出货价格的影响，现货市场的颗粒和模组价格全线上扬。其中DDR2 1Gb颗粒价格小幅盘升；而模组价格就出现明显补涨，幅度大于颗粒的上涨幅度。其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格升到0.90美金附近盘整，eTT 1Gb也上扬至1.03美金附近展开盘整。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格全数涨至115元－125元之间的区间震荡。
DDR400的价格上周继续维持偏强盘整走势，Hynix 64MbX8 DDR400的颗粒的价格逐步上扬到1.16美金附近盘整，32X16Mb则上扬到0.88美金附近。而模组价格也同样走强。
受到上游厂家锁货的影响，上周Flash价格呈现强劲上扬走势， MicroSD和SD等卡类的价格继续反弹。市场商家态度转趋积极，价格就已经接近这次反弹的顶部区域。
未来两周走势分析预测(2008.01.12-2009.01.25)
DDR400：
受到DDR2价格上升和台湾市场需求转强的影响，上周DDR400的价格逐步走强。Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格升至1.17美金附近展开盘整，32MbX16的颗粒价格在 0.88美金附近盘整。
临近农历新年，市场DDR400需求明显受到升级需求接近尾声的影响而小幅萎缩，年底前供求关系仍会维持轻微供大于求的状态下，也就是DDR400市场处于恐怖的动态平衡中，市场任何一点多空消息都会打破这种平衡，但是不会根本上改变这种区间盘整的走势。
而上周的DDR2的价格上扬导致市场的投机DDR400的需求升温，价格出现了缓慢攀升的走势，对此我们认为这是短期效应。在未来两周的时间里，我们仍然维持DDR400的价格将会维持在一个区间内进行盘整的机会偏高之研判。
DDR400的批量销售的市场寿命接近尾声，未来出现任何反弹都将是暂时的和短暂的，另外机会也是难以把握。
结论：
对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏多”的研判，预计价格总体将会维持偏强区间盘整的机会较高。
其中Hynix DDR400 64MbX8的价格在区间1.10-1.25美金之间盘整的机会较大。DDR400的价格难以出现突破性地大幅上扬，短期价格总体将会维持在这个区间内盘整的机会偏大。
模组方面，512MB模组将会继续以32MbX16的颗粒为主，64MbX8颗粒为辅，因此其价格就会维持低位；1GB的价格将会跟随64MbX8的变化，价格就相对偏高一点。
建议操作上将以坚持正常经营为主，区间内逢低可依适当吸纳，逢高则坚决减磅。
DDR2：
形势分析：
上周现货市场的DDR2内存价格全线走强，虽然临近周末时价格有所回调，但是DRAM市场似乎开始重回良性健康之路，市场的信心得到恢复。
金士顿的2GB模组价格最高涨到123元附近，但是周五收市时价格就在市场获利回吐盘的带动最低跌至115元附近。随后在周六、周日的交易中价格逐步企稳并缓慢抬升。
其它品牌的模组价格就全线上扬，主要品牌的价格基本和金士顿的价格相差无几，价格多处于116-120元之间。
上周现货市场的颗粒价格与内存总体同步走强。其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格涨至0.90美金附近；但是eTT 1Gb颗粒的价格涨至1.03美金附近盘整。周末时，由于库存偏高和获利盘较多等原因成交就有限，价格出现轻微向下调整，但是总体市场的气氛较为健康。
未来两周仍然是欧美市场的传统的淡季，大陆市场则处于节前商家收款阶段，冲劲大为减弱。以近几年的情况来看，节前旺季的效果已经不够明显。因此我们认为短期需求难以出现实质的好转，价格的持续上扬仍要看供应端。
长期来讲，价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，而减产不能从根本上解决问题。随着时间的推移，厂家将会逐渐加大减产幅度，未来购并或是个别厂家退出的机会也不断增加，也就是价格反转的机会在逐步增大，目前的反弹就是前奏。
由于考虑到台湾当局很大可能会金援台系厂家，而三星的战略目标已经初步实现，短期又难以逼退台系厂家，而现货价格也跌破其成本价格的情况下，三星的市场策略1月份开始发生了明显变化，拉升价格的意图明显。Hynix将于一月开始减产20－30％，三星也倾向于适当减产并将价格适当提升至其成本区以上，于是近期的价格反弹也就顺理成章了，只是正处于年前和欧美淡季，幅度相对就有限，价格将会缓慢提升。
我们维持在未来4个月以内出现巨变的机会较大的研判，也就是明年第二季度的中旬前后就会发生。需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上可能并不是很重要。
结论：
本次的大幅反弹已经说明DDR2的筑底走势已经完成，何时能够展开反转行情仍然充满变数。目前制程下多数厂家的现金成本处于0.75-1.00美金之间，而变动成本则处于1.30-1.80美金之间。
未来两周：DDR2价格将维持缓慢震荡上行的机会较大，大幅上扬的机会不大。
内存方面：内存的走势我们改持“中偏多”或“中性“的研判，价格将会维持偏强的区间盘整的机会较大。其中绝大多数品牌2GB DDR2 800在120－135之间盘整的机会较大。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”或“中偏多”的研判，预计颗粒价格将会维持区间盘整走势。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就改持“中性”或“中偏多”观点。
Nand Flash：
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现小幅上升的强劲走势，卡类价格如MicroSD和SD的价格也出现上涨走势。目前的Nand Flash价格的上升已经构成中级反弹，也就是反转行情，只是持续的时间仍有待观察。
由于海力士、美光、三星、东芝和Sandisk均加入到这一行列中来，我们认为未来Nand Flash的价格将会企稳并恢复常态，但是后市继续大幅上扬的机会和空间开始减小。
Nand flash一月上旬合约价呈现SLC跌、MLC涨局面；其中NAND Flash 主流颗粒MLC 16Gb合约价大涨近20％，均价2.31美元，其它包括MLC 8Gb以及4Gb也都处于调涨态势。Samsung、Toshiba二家厂商目前主要以42nm生产16Gb颗粒，依其roadmap来看34nm产出至少须待下半年后方能进入量产，对上半年产出影响有限。
如今，下游通路Nand库存普遍偏低，在回补库存需求支持下，短线Flash价格可望持续涨升，预估此波价格涨升可望延续至农历年后。但是春节后，如果需求未能有效提升的话，近期Flash厂家由于锁货形成的多余库存将会是一个危险的炸弹。
Nand Flash未来的供求平衡，还是要寄希望于上游厂家的减产和SSD需求的引爆，并最终达到供求关系平衡。但是就目前的全球经济形势来看，真实的供求关系未来两周难以出现实质性的好转，但是考虑到目前全部厂家均已经开始减产，并已经锁货，技术上出现中线反转也属于正常，在农历新年前后的一段时间内暂时还是不会有什么大的风险，维持偏强的区间盘整的可能性较大。但是再往后就要看需求和供应的实际情况了。
未来两周Nand Flash理论上仍是处于价格的拉升阶段，由于短期的价格回升幅度已经较大，未来价格将会逐步企稳并盘整，节后短期价格也将维持偏强走势的机会偏大，但是其后的一段时间内能否继续走强就还有待观察。
Nand Flash产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，反弹的机会有但机会难以把握，并且持续时间也不确定。只是过去一年来的跌速过快导致此次的价格反弹幅度较大而已，因此，在目前的恶劣的大环境下不应对未来的反弹的高度和持续时间有过高期望。
结论：
我们对下两周的Nand Flash维持“中性”或“中偏强” 研判，具体不同容量的产品走势就会有所不同，但是不宜对其反弹报有过于乐观和不切实际的态度。
长线我们维持“中性”观点。
未来农历新年前Nand Flash的价格将会逐步持稳，Nand Flash的最坏时期已经接近结束，反弹已经展开，短期春节前后的风险不大。
建议：短线价格维持偏强震荡盘整的机会较大，波段操作，维持正常经营即可！
上周市场情况汇总：
上周的DRAM市场气氛转趋中性或中偏多，总体市场投机行为处于中偏上水准，内存和颗粒价格震荡上升。多数商家对后市改持“审慎乐观”的看法，市场炒家活动总体规模处于偏高的位置。上周炒作指数上升到80分水准（满分100分），市场关注度继续维持高位，但是轻微下滑，约在80水平以上，市场终端需求维持正常，市场成交量维持在75分附近，目前市场仍处于轻微供小于求的状态。
上周Nand Flash颗粒价格总体维持偏强的盘整走势，我们对于未来两周的价格也改持”中偏多“。MicroSD和ＳＤ价格也改持中偏多。市场的关注度维持80分水平，投机活动在MicroSD市场处于高位。市场的气氛受到价格上升的影响开始活跃，终端需求尚可，成交量维持在80分水准附近，未来走势将主要取决于供应的变化，预判未来两周里的价格就会维持中偏强性的机会偏大。
下周内存价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
115-130 |
偏强区间盘整 |
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Hynix兼容条 |
1GB DDR400 |
140-150 |
偏强区间盘整 |
下周DRAM颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
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Hynix、eTT |
1Gb DDR2 800 |
USD0.90-1.00 |
偏强区间盘整 |
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Hynix |
512Mb DDR400 |
USD1.10-1.25 |
偏强区间盘整 |
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