上周回顾及下周分析

节后市场明显受到奇梦达可能破产的影响，外围市场颗粒价格上涨、大陆市场商家库存水位偏低、节后商家补货和投机需求的左右，导致价格出现明显地上升。其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格上升到1.15美金附近展开盘整，而512Mb颗粒的价格上涨幅度相对要大一些。eTT 1Gb则上涨到1.20美金附近，虽然上周末价格有所回调，但是幅度相对有限。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格先全数涨至145元附近，周末同样也出现一定程度的回调。 DDR400的价格上涨幅度惊人，64XMbX8颗粒的价格一路飙升至2.10美金附近，32MbX16颗粒的价格飙升至1.70美金附近。而模组价格也出现幅度相同的涨幅，1GB模组的价格涨到240多元，而采用32MbX16颗粒的512MB模组的价格则涨至105元附近。 受到上游厂家锁货和减产的影响，Nand Flash继续节前的上涨势头，上周Flash颗粒价格开始强力拉升； 而价格一般滞后反应的卡类也开始出现明显的反弹，其中MicroSD和SD等卡类的价格均出现不同程度的反弹。

上两周回顾(2009.02.01-2008.02.08)

节后市场明显受到奇梦达可能破产的影响，外围市场颗粒价格上涨、大陆市场商家库存水位偏低、节后商家补货和投机需求的左右，导致价格出现明显地上升。其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格上升到1.15美金附近展开盘整，而512Mb颗粒的价格上涨幅度相对要大一些。eTT 1Gb则上涨到1.20美金附近，虽然上周末价格有所回调，但是幅度相对有限。模组方面，2GB DDR2品牌模组的收市价格先全数涨至145元附近，周末同样也出现一定程度的回调。
DDR400的价格上涨幅度惊人，64XMbX8颗粒的价格一路飙升至2.10美金附近，32MbX16颗粒的价格飙升至1.70美金附近。而模组价格也出现幅度相同的涨幅，1GB模组的价格涨到240多元，而采用32MbX16颗粒的512MB模组的价格则涨至105元附近。
受到上游厂家锁货和减产的影响，Nand Flash继续节前的上涨势头，上周Flash颗粒价格开始强力拉升； 而价格一般滞后反应的卡类也开始出现明显的反弹，其中MicroSD和SD等卡类的价格均出现不同程度的反弹。

未来两周走势分析预测(2009.02.09-2009.02.22)

DDR400：

上周DDR400的价格强劲拉升，Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格涨到2.10美金，而32MbX16的颗粒价格就涨到1.70美金。由于价格上涨极快，市场的需求明显缩手、投机气氛明显减弱，但是上游商家仍然看好后市。

采用32MbX16颗粒的512MB模组涨至105元和采用64MbX8颗粒的1GB DDR400模组的价格升至240元，与颗粒价格的涨幅基本保持一致。

DDR400的涨价主要受到两个因素的影响。一个是减产因素，为了减少产能，DRAM厂家通常先行关闭8寸厂，而8寸厂又是生产DDR400的主力，这直接导致DDR400的产能减少。第二个就是奇梦达可能破产倒闭，而奇梦达又有大量的利基型产能。当然市场投机炒作也是原因之一。
目前市场的DDR400需求已经大不如去年，其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存，市场寿命接近终结。而16位的DDR400颗粒由于应用范围较广，未来的市场需求仍会维持相当一段时间，近期又受到奇梦达倒闭的影响，且外围市场投机炒作之风仍高，短期价格仍有攀升机会。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中偏多”的研判，但是风险已高不宜追高。
建议操作上建议正常经营。

DDR2：

形势分析：

上周现货市场的DDR2内存商家再次坐了一次“过山车”，DDR2内存的价格在上周初达到最高点后，后半周价格开始逐渐滑落，周末时跌至本次回调的最低低点。其中金士顿2GB DDR2模组的价格就由最高点152元开始回调，跌跌破140元整数关卡后，又跌至最低点接近135元。

上周初金士顿的2GB模组价格价格最高涨到152元附近，其它品牌的模组价格也全线上升至140元-155元之间。接近周末时，金士顿价格出现明显的回调，但是其它主要品牌的价格下调幅度相对不大。

周末现货市场的颗粒价格走势与内存总体同步走软，但是回调幅度相对内存就小。其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格跌至1.12 美金附近，eTT 1Gb颗粒的价格回调到1.18附近。

总体而言，由于近期价格上涨幅度较大，短线技术上有回调的要求，调整后盘整的时间应该不会超过三到四周，但是也不会小于7－１０天。未来两周仍然是欧美市场的传统的淡季，大陆市场则处于节后补货需求时期，因此维持轻微偏强盘整的机会较高。

长期来讲，目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道，但还只是刚刚进入这一轨道，尚有需要时间来决定一些工厂被被淘汰出局。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，而减产不能从根本上解决问题。

我们研判这一时间时间已经接近，第三季度前将会有转机，年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题。

价格的反转已经成定局，但是在没有任何厂家推出前，大幅飙升的机会暂时没有，目前的价格的反弹也只是回归理性，维持轻微偏强的盘整机会较大。

短期1Gb颗粒的价格将会在1.10－1.30美金之间的区域展开盘整。而2GB模组价格将会在135元－155元之间展开盘整。

下周的茂德110亿台币的海外债如何解决将是影响短期价格走势的一个关键点。我们应该密切关注2月10日－14日这几天的消息面。

需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个慢牛行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维持盘整走势的机会较大。

结论：

DDR2的行情春节前已经完成筑底，春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去，未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。

未来两周：

模组方面：DDR2价格将维持轻微偏强的区间盘整的机会较大，跌破130元的机会渺茫，价格将会逐步缓慢上升到接近前期区间顶部的区间，但是价格的上涨幅度非常有限，投机将非常难以获利。

内存的走势我们维持“轻微中偏强”的研判，其中绝大多数品牌2GB DDR2 800在135－150之间盘整的机会较大。

颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中偏强”的研判，预计颗粒价格将会维持轻微偏强的区间盘整走势。

鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就维持“中偏多”观点。

Nand Flash：

上周Nand Flash颗粒价格总体呈现强劲的上涨走势，而卡类价格如MicroSD和SD的价格也同步上扬。总体而言，价格的反转走势已经完全确立，短期价格将会维持稳定趋坚。
由于全部Nand Flash厂家减产已经达成共识，Nand Flash产品的价格未来将会维持平衡，短期再次大幅下滑的机会不大，未来两周的价格仍会继续维持强势，但是长线继续大幅上扬的机会也不大。

由于Flash的终端产品已经完全成为消费类产品，其价格走势的特点就是总体不断的下跌，终端产品的反弹机会有但幅度有限，因为相对而言模组厂家会在价格处于底部时，事先囤积一定量的库存，而竞争也导致Flash终端产品的价格上涨幅度相对于颗粒有要小一些。
但是需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产，未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上继续做出积极的调整。

结论：

我们对下两周的Nand Flash继续维持“中偏强” 研判，具体不同容量的产品反弹幅度就会有所不同。

长线我们维持“中性”观点。
建议：维持少量库存的情况下，正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周的DRAM市场气氛转趋审慎，获利回吐行动占据上风，价格快速下滑。总体市场投机行为仍轻微偏高，需求一般。多数商家对后市持“中性”的看法，市场炒家活动总体规模较前期减弱。上周炒作指数下滑至80分水准（满分100分），市场关注度继续维持高位，但是轻微下滑，约在80水平以上，市场终端需求维持正常，市场成交量下滑至75分附近，目前市场仍处于供大于求，并接近供求平衡的状态。

上周Nand Flash颗粒价格总体维持强劲上扬走势，我们对于未来两周的价格走势维持“中偏强”。MicroSD和ＳＤ价格走势也维持“中偏强”。市场的关注度上升到85分水平，投机活动在MicroSD市场有所升温。市场的气氛受到价格上升的影响开始活跃，受到补货需求影响，总体需求尚可，成交量维持在85分水准附近，预判未来两周里的价格就会维持中偏强性的机会偏大。
 

下周内存价格走势预测
 

 
下周DRAM颗粒价格走势预测