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上周回顾及未来两周分析预测

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2009-02-15
上周现货市场的需求明显不如去年的同期,这直接造成市场库存的现货消化过慢,在商家获利回吐压力的带动下,市场的DDR2和DDR400的价格出现全面回调。 其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格由1.15美金回跌至1美金附近,1Gb eTT颗粒的价格就跌至0.98美金附近。模组方面,2GB DDR2品牌模组的收市价格全数跌至135元以下,其中金士顿2Gb DDR2的价格就跌破130元,最低跌至100元附近。 由于前期上涨幅度惊人,现货市场DDR400明显曲高人寡。上周伴随着DDR2的下跌,DDR400 64XMbX8颗粒的价格也出现下跌,但是幅度就相对有限。DDR400 32MbX16的颗粒价格也同出现下跌。模组价格也出现幅度相同的跌幅,1GB模组的价格跌到230多元,而采用32MbX16颗粒的512MB模组的价格则跌至100元附近。 受到上游厂家锁货和减产的影响,上周Nand Flash继续节前的上涨势头,邻近周末时价格上涨的势头得到一定程度的遏制。一般滞后反应的卡类也呈现周初明显的上涨,周末价格也有所下滑的态势,同样MicroSD和SD等卡类的价格均出现类似的走势。

上两周回顾(2009.02.09-2009.02.15)


上周现货市场的需求明显不如去年的同期,这直接造成市场库存的现货消化过慢,在商家获利回吐压力的带动下,市场的DDR2和DDR400的价格出现全面回调。

其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格由1.15美金回跌至1美金附近,1Gb eTT颗粒的价格就跌至0.98美金附近。模组方面,2GB DDR2品牌模组的收市价格全数跌至135元以下,其中金士顿2Gb DDR2的价格就跌破130元,最低跌至100元附近。

由于前期上涨幅度惊人,现货市场DDR400明显曲高人寡。上周伴随着DDR2的下跌,DDR400 64XMbX8颗粒的价格也出现下跌,但是幅度就相对有限。DDR400 32MbX16的颗粒价格也同出现下跌。模组价格也出现幅度相同的跌幅,1GB模组的价格跌到230多元,而采用32MbX16颗粒的512MB模组的价格则跌至100元附近。

受到上游厂家锁货和减产的影响,上周Nand Flash继续节前的上涨势头,邻近周末时价格上涨的势头得到一定程度的遏制。一般滞后反应的卡类也呈现周初明显的上涨,周末价格也有所下滑的态势,同样MicroSD和SD等卡类的价格均出现类似的走势。


未来两周走势分析预测(2009.02.16-2009.03.01)

DDR400:

经过强力拉升的DDR400,由于需求萎缩,在上周价格出现轻微回调。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格跌到2美金附近,而32MbX16的颗粒价格就跌到1.60美金附近。

采用32MbX16颗粒的512MB模组同步跌至95元和采用64MbX8颗粒的1GB DDR400模组的价格升至230元附近,与颗粒价格的跌幅基本保持一致。

DDR400的涨价上涨无疑是有些过了头,既然过了头回调也就不可避免。一般而言,供求关系将最终决定价格的走向。而现货市场的DDR400现实情况是,目前市场的DDR400需求已经大不如去年,其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存,市场寿命接近终结。而16位的DDR400颗粒由于应用范围较广,未来的市场需求仍会维持相当一段时间。

当64MbX8价格涨过1.80美金时,外围市场投机炒作之风无疑起到了关键作用,短期价格仍有回调余地。

结论:

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判,目前风险偏高不宜追高。

建议操作上建议正常经营。

DDR2:

形势分析:

上周现货市场的DDR2内存价格继续下滑,周末时市场出现一定程度的恐慌,下跌速度有所加快。其中金士顿2GB DDR2模组的价格经过周初的短暂弱势盘整后,周末时顿最低挫至126元附近。其它主要品牌的价格也出现相应下跌。

周末时现货市场的颗粒价格走势与内存总体同步走软,其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格跌至1 美金附近,eTT 1Gb颗粒的价格最低跌到0.98附近。

上一期我们谈到,由于DDR2前期价格上涨幅度较大,短线技术上有回调的要求,调整的时间应该不会超过三到四周,但是也不会小于7-10天。未来两周仍然是欧美市场的传统的淡季,大陆市场则处于节后补货需求时期,因此维持轻微偏强盘整的机会较高。

目前的调整已经过了有12天,技术上已经超过最低调整天数,理论上调整也就接近短期的波段底部,也就是说短期的价格在120元有强支撑,跌破的机会不大。

长期来讲,目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道,但还只是刚刚进入这一轨道,尚有需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定,但减产不能从根本上解决问题。

我们研判这一时间已经接近,第三季度前将会有转机,年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题。

价格的反转虽然已经成定局,但是在没有任何厂家退出前,大幅飙升的机会暂时没有,目前的价格的反弹也只是回归理性,中线维持轻微偏强的盘整机会较大。

短期1Gb颗粒的价格将会在1.00美金附近的区域展开盘整。而2GB模组价格将会在120元-140元之间展开盘整的机会较大。

下周的茂德110亿台币的海外债如何解决将是影响短期价格走势的一个关键点。由于目前茂德的实际产能不大,因此我们认为实质的影响不大,影响更多地在心理层面。

需要强调的是,时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素,其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲,今年的行情将会是一个慢牛行情,不会一蹴而就的,预计未来两周的价格将会继续维持盘整走势的机会较大。

结论:

DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底,春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去,未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。

未来两周:

模组方面:DDR2价格将维持轻微偏强的区间(120元-140元)盘整的机会较大,一般而言不会跌破120元的。

内存的走势中线走势我们继续维持“中偏强”的研判,短期绝大多数品牌2GB DDR2 800在120-140之间盘整的机会较大。

颗粒方面:对于下两周的颗粒价格走势,我们将维持“中性”的研判,预计1Gb颗粒价格将会维持在0.95-1.10美金区间盘整的机会较大。

鉴于厂家减产和停产行动的持续,长线就维持“中偏多”观点。

Nand Flash:

上周前半周Nand Flash颗粒价格总体呈现强劲的上涨走势,而卡类价格如MicroSD和SD的价格也同步上扬。但是临近周末价格总体全线回调,出现这次上涨后的第一次较为明显的回调,显示市场的需求已经难以继续支持价格以这样大的幅度持续拉升。

由于全部Nand Flash厂家减产已经达成共识,Nand Flash产品的价格未来将会维持平衡,短期再次大幅下滑的机会不大,但是考虑到累计涨幅已经较大,未来两周的价格将会以盘整为主。由于全球市场的需求不佳,我们维持长线继续大幅上扬的机会不大的研判。

由于Flash的终端产品已经完全成为消费类产品,其价格走势的特点就是总体不断的下跌,一般而言终端产品的反弹机会有但幅度有限,因为相对而言模组厂家会在价格处于底部时,事先囤积一定量的库存,而竞争也导致Flash终端产品的价格上涨幅度相对于颗粒有要小一些。

需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产,未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上继续做出积极的调整,但是鉴于Hynix的减产幅度较大,未来Flash的价格将难以出现类似去年那样的连续下跌。

在价格大幅飙升后,未来的价格的走向将主要取决于需求,在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下,需求大幅转好的机会不大,因此价格大幅上扬也是一把双刃剑。

结论:

我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏多”的机会偏大。

长线我们维持“中性”观点。

建议:由于价格已经处于危险区域,维持少量库存的情况下,正常经营即可!

上周市场情况汇总:

上周的DRAM市场气氛转趋轻微悲观,获利回吐行动继续占据上风,价格快速下滑。总体市场投机行为仍轻微偏高,需求低于往年同期。多数商家对后市持“中性”或“中偏空”的看法,市场炒家活动总体规模较前期减弱。上周炒作指数下滑至75分水准(满分100分),市场关注度继续维持高位,但是轻微下滑,约在80水平以上,市场终端需求维持正常,市场成交量下滑至60分附近,目前市场仍处于供大于求,并接近供求平衡的状态。

上周Nand Flash颗粒价格总体维持强劲上扬走势,周末的价格全面回调。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”。MicroSD和SD价格走势也维持“中性”。市场的关注度维持在85分水平,投机活动在MicroSD市场偏高。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃,受到补货需求影响,总体需求尚可,成交量维持在85分水准附近,预判未来两周里的价格就会维持中性的机会偏大。


 
下周内存价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间RMB

预测走势

主要品牌

2GB DDR2 800 8C

120-140

区间盘整

Hynix兼容条

1GB DDR400 8C

205-230

区间盘整


下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

HynixeTT

1Gb DDR2 800

USD0.95-1.10

区间盘整

Hynix

512Mb DDR400

USD1.90-2.10

区间盘整