上周回顾及未来两周分析
上两周回顾(2009.02.16-2009.02.22)
上周现货市场回归基本面,供求关系渐趋正常,恐慌过后DDR2的价格也渐趋平稳并有所回升。但是脱离实际需求的DDR400,在价格飙升后持续下滑。受到现货市场DDR2价格下滑的影响,下旬DDR2合约价格也以持平开出。
其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格由1美金回跌至0.80美金附近,周末小幅回升至0.90美金附近。模组方面,2GB DDR2品牌模组的收市价格全数跌至120元以下后,周末价格也同步出现回升。
DDR400出现与颗粒幅度相同的跌幅,1GB模组的价格跌到200元附近,而采用32MbX16颗粒的512MB模组的价格则跌至80元附近。
上周Nand Flash结束了上涨势头,颗粒价格出现了轻微回调,但是幅度相对有限。而卡类价格也轻微回调,临近周末价格相对持稳。
未来两周走势分析预测(2009.02.23-2009.03.08)
DDR400:
经过强力拉升的DDR400,由于需求萎缩,在上周价格出现明显回调。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格跌到1.70美金附近,而32MbX16的颗粒价格就跌到1.40美金附近。
采用32MbX16颗粒的512MB模组同步跌至80元和采用64MbX8颗粒的1GB DDR400模组的价格升至200元附近,与颗粒价格的跌幅基本保持一致。
一般而言,供求关系将最终决定价格的走向。而现货市场的DDR400现实情况是,目前市场的DDR400需求已经大不如去年,其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存,市场寿命接近终结。而16位的DDR400颗粒由于应用范围较广,未来的市场需求仍会维持相当一段时间。
当64MbX8价格涨过1.80美金时,外围市场投机炒作之风无疑起到了关键作用,短期价格仍有回调余地。
结论:
于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判,目前风险仍偏高不宜追高。
建议操作上建议正常经营。
DDR2:
形势分析:
上周 初现货市场的DDR2内存价格继续下滑,周末时市场出现一定程度投机炒作,价格出现小幅反弹。其中金士顿2GB DDR2模组的价格由最低时的114元最高反弹到124元,其它主要品牌的价格也出现相应的反弹。
周末时现货市场的颗粒价格走势与内存总体同步走强,其中Hynix 1Gb DDR2 800的价格反弹至0.90 美金附近。
由于DDR2前期价格回调幅度过大,短线技术上有反弹的要求,因此周末出现反弹符合正常的走势规律。需要说明的是这次的调整的时间总体应该不会超过三到四周,目前已经将近3周,因此未来一周多(也就是3月第一周末前)将会是敏感期。
长期来讲,目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道,但还只是刚刚进入这一轨道,尚需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定,减产不能从根本上解决问题。
我们研判这一时间已经接近,第三季度前将会有转机,年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题。
价格的反转虽然已经成定局,但是在没有任何厂家退出前,大幅飙升的机会暂时没有,目前的价格的反弹也只是回归理性,中线维持轻微偏强的盘整机会较大。
短期1Gb颗粒的价格将会在0.90美金附近的区域展开盘整。而2GB模组价格将会在110元-130元之间展开盘整的机会较大。
下周的24号茂德110亿台币的海外债如何解决将是影响短期价格走势的一个关键点。由于目前茂德的实际产能不大,因此我们认为实质的影响不大,影响更多地在心理层面。
需要强调的是,时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素,其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲,今年的行情将会是一个慢牛行情,不会一蹴而就的,预计未来两周的价格将会继续维持盘整走势的机会较大。
结论:
DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底,春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去,未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。
未来两周:
模组方面:DDR2价格将维持区间(110元-130元)盘整走势的机会较大,一般而言不会跌破110元和涨过130元的。
内存的走势中线走势我们继续维持“中性”或者“轻微中偏强”的研判,前者的可能性偏大。短期绝大多数品牌2GB DDR2 800在110-130之间盘整的机会较大。
颗粒方面:对于下两周的颗粒价格走势,我们将维持“中性”或者“轻微中偏强” 的研判,预计1Gb颗粒价格将会维持在0.85-0.95美金之间区间盘整的机会较大。
鉴于厂家减产和停产行动的持续,长线就维持“中偏多”观点。
Nand Flash:
上周前半周Nand Flash颗粒价格总体出现向下的调整走势,而卡类价格如MicroSD和SD的价格也同步下滑;但是临近周末价格总体全线趋稳,显示市场的价格和供货仍然受到供应端的控制。今年需求仍维持良好,但是增长就相对有限。
由于全部Nand Flash厂家减产已经达成共识,Nand Flash产品的价格未来将会维持平衡,短期再次大幅下滑的机会不大,但是考虑到累计涨幅已经较大,未来两周的价格将会以盘整为主。由于全球市场的需求不佳,我们维持长线继续大幅上扬的机会不大的研判。
由于Flash的终端产品已经完全成为消费类产品,其价格走势的特点就是总体不断的下跌,一般而言终端产品的反弹机会有但幅度有限,因为相对而言模组厂家会在价格处于底部时,事先囤积一定量的库存,而竞争也导致Flash终端产品的价格上涨幅度相对于颗粒有要小一些。
需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产,未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上继续做出积极的调整,但是鉴于Hynix的减产幅度较大,未来Flash的价格将难以出现类似去年那样的连续下跌。
在价格大幅飙升后,未来的价格的走向将主要取决于需求,在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下,需求大幅转好的机会不大,因此价格大幅上扬也是一把双刃剑。
结论:
我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”研判。
长线我们维持“中性”观点。
建议:由于价格已经处于危险区域,维持少量库存的情况下,正常经营即可!
上周市场情况汇总:
上周由于DDR2价格的回升,DRAM市场气氛转趋轻微乐观,获利回吐行动接近结束,价格逐步走强。总体市场投机行为仍轻微偏高,需求低于往年同期。多数商家对后市持“中性”或“中偏空”的看法,市场炒家活动总体规模较前期减弱。上周炒作指数下滑至75分水准(满分100分),市场关注度继续维持高位,但是轻微下滑,约在80水平以上,市场终端需求维持正常,市场成交量下滑至60分附近,目前市场仍处于供大于求,并接近供求平衡的状态。
上周Nand Flash颗粒价格总体维持偏软走势,周末的价格全面趋稳。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”。MicroSD和SD价格走势也维持“中性”。市场的关注度维持在85分水平,投机活动在MicroSD市场偏高。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃,受到补货需求影响,总体需求尚可,成交量维持在85分水准附近,预判未来两周里的价格就会维持中性的机会偏大。
下周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
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主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
110-130 |
区间盘整 |
|
Hynix兼容条 |
1GB DDR400 |
190-210 |
区间盘整 |
下周DRAM颗粒价格走势预测
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品 牌 |
型 号 |
价格区间 |
预测走势 |
|
Hynix、eTT |
1Gb DDR2 800 |
USD0.85-0.95 |
区间盘整 |
|
Hynix |
512Mb DDR400 |
USD1.60-1.85 |
区间盘整 |






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