下周存储器分析预测
上两周回顾(2009.03.31-2009.04.05)
上周DDR2的价格呈现小幅下跌走势，这主要是由于市场需求疲软和前期投机需求出现严重的获利回吐的影响。目前现货市场的主要问题仍然是库存水位偏高。DDR400颗粒飙升后，由于需求萎缩价格持续缓慢下滑，但是回调幅度就相对有限。
其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格跌至0.95美金附近。模组方面，KST 2GB DDR2品牌模组的价格跌至120元附近。DDR400 512Mb颗粒价格缓步跌至1.60美金附近。
Nand Flash颗粒产品价格上周呈现强势上涨态势，上涨幅度明显。显示作为供应端Flash厂家仍然牢牢控制着市场定价的主动权，但由于实质需求一般，未来的上涨幅度仍有待于观察；MicroSD产品同样出现了上扬，市场投机需求明显增加，但是实质需求就不够强劲。
未来两周走势分析预测(2009.04.06-2009.04.19)
DDR400：
上周DDR400的投机需求仍显萎缩，价格出现继续轻微回调。由于没有明显的买盘出现，拉高后高位出货地意图未能得到较好地实现。Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格跌到1.60美金附近。DDR400模组的价格跌幅大致与颗粒价格的跌幅基本保持一致。
一般而言，供求关系将最终决定价格的最终走向。现货市场的DDR400真实情况是，目前市场的DDR400需求已经大不如去年，其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存，市场批发寿命接近终结。
考虑到近期茂德和奇梦达即将停产的影响，现货市场的主要供应厂家仅剩海力士和三星，相信情况再次失控的可能性不大。
我们维持512Mb DDR400 的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域，而价格一旦跌破1.50美金后，价格就会进入低度安全区域，而一旦跌破1.20美金后，价格就进入中度安全区域，跌破1美金后就进入高度安全区域的研判，投资价值也将会浮现。由于需求萎缩和DRAM厂家转产DDR400，未来短期价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。
考虑到茂德即将全面停产等因素，未来DDR400的价格即使下跌也将会呈现缓跌局面，急速下滑的机会也不大。
结论：
对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判，目前风险仍处于偏高等级别，不宜追高，64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟，1.20美金以下是安全区域。
我们认为，考虑到茂德即将全面停产等因素，我们认为64MbX8颗粒其合理价格区间在1.20美金附近。
建议操作上，64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可，不宜大量囤积DDR400，因为它的大量销售将会有问题。
DDR2：
形势分析：
上周现货市场出现了较为明显的获利回吐行为，颗粒和模组价格全面下跌。其中KST 2GB DDR2 800的价格就下跌至120元附近展开盘整，而Hynix 1Gb DDR2的价格就跌至0.95美金。
我们一直强调二次成功探底后，长线来讲2GB DDR2 95元附近这个去年年底形成的底部已经是长线底部；但目前中线来讲110元都已经不易跌破了。
长期来讲，目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道，但还只是刚刚进入这一轨道，尚有需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，我们仍旧维持减产不能从根本上解决问题。
2月底前，现货市场的投机模组库存接近消化殆尽，这预示着第一阶段结束。目前市场进入第二阶段，即清理低价颗粒库存的阶段，这个阶段预计需要2-3个月，也就是说，预计最迟在5月底或者6月初就会结束这个过程。
而力晶老板的信心喊话无意中却改变了和延长了这次调整的时间，直接造成了市场上的投机库存出现上升，其中模组库存水位大幅上升到2-3周，而颗粒库存水位仍维持在2个月附近。
我们维持研判市场趋于健康时间的点已经接近，第三季度前将会有转机，年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题的研判。
价格的反转虽然已经成定局，但是在没有任何厂家退出前，大幅飙升的机会暂时没有，目前的价格的反弹也只是回归理性，中长线维持轻微偏强的盘整机会较大。
短期1Gb DDR2颗粒的价格将会在0.90-1.10美金之间的区域展开盘整。而2GB模组价格将会在120元－145元之间展开盘整的机会较大。2GB模组的价格一旦跌破120元均是低价进货的难得的机会。
消息面的影响在未来将会逐步减弱，淡季的市场更多地受到基本面的左右，未来的现货市场价格将会在底部进行长时间的盘整，等待上游厂家的整合结果。
需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个“慢牛”行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维偏强持盘整走势的机会较大，但是运行区间的上、下边沿都将上升。
操作上我们只要秉持在维持一定量的库存下，逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。
结论：
DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底，春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去，未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。
未来两周：
模组方面：DDR2价格将维持区间（120元－145元）偏强盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破115元和涨过145元的。
内存的中线走势我们继续维持“中性”或“中偏强”研判，短期绝大多数品牌2GB DDR2 800在115－140之间盘整的机会较大。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”或“中偏强”的研判，预计1Gb颗粒价格将会维持在0.90－1.05美金之间区间盘整的机会较大；短期1Gb DDR2的价格没有机会涨过1.20美金。
操作上建议在维持一定量库存的情况下，逢低吸纳和逢高适当减磅，但是需要提醒的是短线一旦价格上涨就不要追高，因为价格连续大幅上扬的机会很小。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就维持“中偏多”观点。
Nand Flash：
节后一直持续高位盘整的Nand Flash的价格，自前一周开始出现上扬后，上一周价格继续小幅上扬。但是目前的实质需求总体就一般，需求的增长也相对有限。价格再次上扬再次显示出目前的Nand Flash市场的价格仍然受到供应端生产厂家的控制。
今年的T卡市场投机需求浓厚，需求也表现为忽高忽低。上周的卡类价格总体跟随颗粒价格出现小幅上扬走势，市场明显活跃，但是实质终端需求也仍旧一般。
由于全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡，尽管短期价格再次出现小幅上扬走势，但是考虑到终端需求一般等因素，我们维持长线大幅上扬的机会不大的研判，不宜盲目追高。
需要注意的是采用新制程的产品已经陆续开始量产，未来的供求关系仍需要厂家在产能和产品上继续做出积极的调整，但是鉴于Hynix的减产幅度较大，未来Flash的价格将难以出现类似去年那样的连续下跌。
在价格大幅飙升后，由于需求仍然不佳，而未来价格的走向将主要取决于需求，在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，需求大幅转好的机会不大，未来价格可能更多地是以高位盘整为主，因此价格未来一段时间将面临一定的压力，只是在相关厂家较好的控制下，价格才不至于出现下滑，当然也不会出现类似去年的崩盘走势。
利好因素包括Hynix的大幅减产、IM的制程转换不顺问题和三星的对出货价格的严格控制，当然也包括苹果的订单，尽管这并不像市场传说的那样是价格上涨的主要原因。
中线而言，由于Flash的颗粒价格已经站到变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，价格的下滑不可避免，但是幅度有待于观察。
结论：
两周的Nand Flash继续维持“中性”或者“中偏强”研判，但是风险已高。
长线我们就持“中偏软”观点。
建议：由于价格已经处于危险区域，维持少量库存的情况下，正常经营即可！
上周市场情况汇总：
由于上周DDR2价格出现下滑，DRAM市场气氛转趋中性，获利回吐行动较为严重。经过上周价格的快速回调，未来价格继续下跌的机会和空间均不大。市场投机行为上一周总体明显回升，需求低于往年同期，但是市场总体情况仍渐趋健康。由于前一周价格的上扬，市场炒家活动总体规模较前期进一步有明显加强；但是价格的下跌和T卡价格的上扬，又导致DDR2投机活动下滑和活力回吐的加重。上周炒作指数轻微上升到75水准（满分100分），市场关注度继续维持在75水平附近，市场终端需求维持正常，市场成交量维持60分附近，目前市场仍处于供大于求约10%-20%，并接近供求平衡的状态。
上周Nand Flash颗粒价格总体维持偏强走势。我们对于未来两周的价格走势持“中性”或“中偏强”的研判。MicroSD和SD价格走势维持“中性”或“中偏强”研判。市场的关注度维持在85分水平，投机活动在MicroSD市场有所升温。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃，受到补货需求影响，总体需求略微好转，成交量维持在85分水准附近，预判未来两周里的价格就会维持“中性”或“中偏软”的机会偏大。
下周内存价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
115-135 |
偏强的区间盘整 |
|
Hynix兼容条 |
1GB DDR400 |
170-195 |
偏软的区间盘整 |
下周DRAM颗粒价格走势预测
|
品 牌 |
型 号 |
价格区间RMB |
预测走势 |
|
主要品牌 |
2GB DDR2 800 |
115-135 |
偏强的区间盘整 |
|
Hynix兼容条 |
1GB DDR400 |
170-195 |
偏软的区间盘整 |
关闭返回