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下周存储器走势分析

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2009-04-12
上周DDR2的价格呈现窄幅区间盘整走势,这主要是由于市场需求疲软和卖家惜售共同作用导致的,另外也和市场商家将注意力转移到价格出现飚升的Flash相关产品上有关系。目前现货市场的主要问题仍然是库存水位偏高。受到韩元升值影响,DDR400价格再次出现回升,但是需求仍在萎缩,临近周末时价格出现轻微下滑,但是回调幅度就相对有限。 其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格维持在接近1美金附近的价位展开盘整。模组方面,KST 2GB DDR2800品牌模组的价格就维持在128元附近展开盘整。受到韩元升值德影响,DDR400 512Mb颗粒价格反弹至1.78美金附近盘整,尾市有些偏软。 Nand Flash颗粒产品价格上周呈现强势上涨态势,上涨幅度明显。显示作为供应端Flash厂家仍然牢牢控制着市场定价的主动权,但由于实质需求一般,未来的上涨幅度仍有待于观察;MicroSD产品同样出现了上扬,市场投机需求明显增加,但是实质需求就不够强劲,尾市由于获利回吐而出现大幅回调。

上两周回顾(2009.04.06-2009.04.12)

上周DDR2的价格呈现窄幅区间盘整走势,这主要是由于市场需求疲软和卖家惜售共同作用导致的,另外也和市场商家将注意力转移到价格出现飚升的Flash相关产品上有关系。目前现货市场的主要问题仍然是库存水位偏高。受到韩元升值影响,DDR400价格再次出现回升,但是需求仍在萎缩,临近周末时价格出现轻微下滑,但是回调幅度就相对有限。

其中Hynix 1Gb DDR2 800颗粒价格维持在接近1美金附近的价位展开盘整。模组方面,KST 2GB DDR2800品牌模组的价格就维持在128元附近展开盘整。受到韩元升值德影响,DDR400 512Mb颗粒价格反弹至1.78美金附近盘整,尾市有些偏软。

Nand Flash颗粒产品价格上周呈现强势上涨态势,上涨幅度明显。显示作为供应端Flash厂家仍然牢牢控制着市场定价的主动权,但由于实质需求一般,未来的上涨幅度仍有待于观察;MicroSD产品同样出现了上扬,市场投机需求明显增加,但是实质需求就不够强劲,尾市由于获利回吐而出现大幅回调。

未来两周走势分析预测(2009.04.13-2009.04.26)

DDR400:

上周尽管韩元的升值导致了周初价格出现反弹,但是由于没有明显的买盘出现和DDR400的投机需求仍显萎缩,尾市价格出现走软。Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格收市收于1.76美金附近;DDR400模组的价格继续大致与颗粒价格的基本保持联动关系。
一般而言,供求关系将最终决定价格的走向。现货市场的DDR400真实情况是,目前市场的DDR400需求已经大不如去年,其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存,市场批发寿命接近终结。
考虑到近期茂德即将停产和奇梦达已经停产的影响,现货市场的主要供应厂家仅剩海力士和三星,相信情况再次失控的可能性不大。
我们维持512Mb DDR400的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域的研判,而价格一旦跌破1.50美金后,价格就会进入低度安全区域;而一旦跌破1.20美金后,价格就进入中度安全区域;跌破1美金后就进入高度安全区域的研判。
由于需求萎缩和DRAM厂家转产DDR400,未来短期价格仍有回调余地,但是跌速就会相对较慢。但考虑到茂德即将全面停产等因素,未来DDR400的价格即使下跌也将会呈现缓跌局面和可控状态,急速大幅下滑的机会并不大,短期跌破1美金的机会压不大。

结论:

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判,目前风险仍处于偏高等级别,不宜追高,64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟,1.20美金以下是安全区域。
我们认为,考虑到茂德即将全面停产等因素,我们认为64MbX8颗粒其合理价格区间在1.20美金附近。
建议操作上,64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可,不宜大量囤积DDR400,因为它的大量销售将会有问题。

DDR2:
形势分析:

由于Flash价格出现飙升导致上周市场的注意力出现转移,上周DRAM现货市场较为平静,DDR2价格表现为盘整态势。其中KST 2GB DDR2 800的价格在128元附近展开盘整,而Hynix 1Gb DDR2的价格就在0.99美金附近展开盘整。
我们一直强调二次成功探底后,长线来讲2GB DDR2 95元附近这个去年年底形成的底部已经是长线底部;但目前未来中线来讲120元都已经不易跌破了。
长期来讲,目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道,但还只是刚刚进入这一轨道,尚有需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定,我们仍旧维持减产不能从根本上解决问题。
2月底前,现货市场不坚定的投机模组库存接近消化殆尽,这预示着第一阶段结束。目前市场进入第二阶段,即清理低价颗粒库存的阶段,这个阶段预计需要2-3个月,也就是说,预计最迟在6月底就会结束这个过程。
消息面,三星和Hynix的官价继续维持在1.10美金以上,显示未来的价格将会有机会缓慢攀升到这个价位附近。
我们维持研判市场趋于健康时间的点已经接近,第三季度前将会有转机,年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题的研判。
价格的反转虽然已经成定局,但是在没有任何厂家退出前,大幅飙升的机会暂时没有,目前价格的反弹也只是回归理性,中长线维持轻微偏强的盘整机会较大。
短期1Gb DDR2 800颗粒的价格将会在0.95-1.10美金之间的区域展开偏强盘整。而2GB模组价格将会在125元-145元之间展开盘整的机会较大。2GB模组的价格一旦跌破125元均是难得的低价进货机会。
    消息面的影响在未来将会逐步减弱,淡季的市场更多地受到基本面的左右,未来的现货市场价格将会在底部进行长时间的缓慢盘升走势,等待上游厂家的整合结果。
    需要强调的是,时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素,其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲,今年的行情将会是一个“慢牛”行情,不会一蹴而就的,预计未来两周的价格将会继续维偏强持盘整走势的机会较大,但是运行区间的上、下边沿都将上升。
操作上我们只要秉持在维持一定量的库存下,逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。

结论:

DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底,春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去,未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。

未来两周:

模组方面:短期DDR2价格将维持区间(125元-145元)偏强盘整走势的机会较大,一般而言不会跌破120元和涨过140元的。
内存的中线走势我们继续维持“中性”或“中偏强”研判,短期绝大多数品牌2GB DDR2 800在120-145之间盘整的机会较大。
颗粒方面:对于下两周的颗粒价格走势,我们将维持“中性”或“中偏强”的研判,预计1Gb颗粒价格将会维持在0.95-1.05美金之间区间盘整的机会较大;短期1Gb DDR2的价格没有机会涨过1.20美金。
操作上建议在维持一定量库存的情况下,逢低吸纳和逢高适当减磅,但是需要提醒的是短线一旦价格上涨就不要追高,因为价格连续大幅上扬的机会很小。
鉴于厂家减产和停产行动的持续,长线就维持“中偏多”观点。

Nand Flash:

上周的Nand Flash的价格持续飙升,厂家严控出货数量,市场库存有限的情况下,卖家惜售心理严重,而买家投机心理也十分严重。
尽管目前的实质需求总体一般,需求的增长也相对有限,但是在生产厂家的严格控货下,价格依然被强力拉升,显示Flash市场的价格仍然被供应端生产厂家的牢牢控制。
MicroSD市场也继续强劲攀升,尽管临近周末由于获利回吐有所回调,但是全周涨幅依然惊人。上周的卡类价格总体跟随颗粒价格出现强劲上扬走势,市场明显活跃,但是实质终端需求却仍旧一般。
由于全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识,Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡,尽管短期价格由于控活导致价格再次出现强劲上扬走势,但是考虑到终端需求一般和近期累计涨幅已经偏大等因素,建议不宜盲目追高。
价格大幅飙升后,未来价格的走向将主要取决于需求。在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下,需求大幅转好的机会不大。
由于本次价格上升是控活导致的价格上涨,我们结合以往Flash价格由于类似原因上涨情况来看,一般价格上升周期都在四周左右。也就是说未来两周左右的时间内价格仍然处于上升周期的后半段,但是幅度将会逐步减缓,之后将会进入高位盘整出货阶段,因为拉高后最终就是要出货,否则就没有意义了!
未来几周价格可能更多地是以高位盘整为主,因此未来两到四周的一段时间内价格将面临一定的压力,当然也不会出现类似去年的崩盘走势。但是一旦进入这个时候就相对比骄傲危险了。
长线而言,由于Flash的颗粒价格已经远高于变动成本区之上,价格继续上扬的机会和空间未来都不大,风险则日益加大,价格的下滑不可避免。

结论:

我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或者“中偏强”研判,但是风险已高。
长线我们就改持“中性”观点。
建议:由于价格已经处于危险区域,维持少量库存的情况下,正常经营即可!

上周市场情况汇总:

上周DDR2价格出现稳定的盘整走势,DRAM市场气氛转趋“中性”或“中偏多”,获利回吐行动有所减轻。经过上周的价格盘整对于获利盘的消化相对有利,未来价格继续下跌的机会和空间均不大,但是投机库存实际依然偏大,只是剩余的库存锁定的较好而已。市场投机行为仍稍显明显,需求低于往年同期,但是市场总体情况仍渐趋健康。上周炒作指数维持在75水准(满分100分),市场关注度继续维持在75水平附近,市场终端需求维持正常,市场成交量维持60分附近,目前市场仍处于供大于求约10%,是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体维持强劲上涨走势。我们对于未来两周的价格走势持“中性”或“中偏强”的研判。MicroSD和SD价格走势维持“中性”或“中偏强”研判。市场的关注度上升到90分水平,投机活动在MicroSD市场大幅升温。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃,受到补货需求影响,总体需求略微好转,成交量维持在85分水准附近,预判未来两周里的价格就会维持“中性”或“中偏强”的机会偏大,但是风险就已经偏高。


 
下周内存价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间RMB

预测走势

主要品牌

2GB DDR2 800 8C

120-140

偏强的区间盘整

Hynix兼容条

1GB DDR400 8C

170-195

偏软的区间盘整


下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌

型 号

价格区间

预测走势

HynixeTT

1Gb DDR2 800

USD0.95-1.05

偏强的区间盘整

Hynix

512Mb DDR400

USD1.60-1.80

偏软的区间盘整