下周存储器走势分析

上周DDR2的价格呈现震荡上扬走势，这主要是由于现货市场库存下降、商家回补库存及上游厂家积极拉升价格导致的，价格的快速上扬也使市场商家将注意力由Flash产品转移到DRAM产品上。由于短期价格的累积涨幅过大，周末现货市场出现了较为明显的获利回吐，KST 2GB　DDR2模组价格最低跌至141元附近，Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.15美金附近。DDR400 512Mb颗粒价格就稳定在1.78美金附近盘整，价格变化不大。 Nand Flash颗粒价格上周呈现明显的冲高回落走势，调整幅度相对明显，这主要是由于实质需求和场内获利回吐共同导致的。临近周末时跌幅收窄，价格趋于企稳。由于供应端仍然控制定价权，而现货市场的库存有限，未来的走势仍要密切关注并有一定变数。MicroSD产品继续呈现先回调后盘整的走势，市场的投机炒作较为活跃，尾市跌幅同样收窄。外围市场的价格跟随大陆市场波动，显示大陆市场仍然主导T卡的价格走势。

上两周回顾(2009.04.13-2009.04.19)

上周DDR2的价格呈现震荡上扬走势，这主要是由于现货市场库存下降、商家回补库存及上游厂家积极拉升价格导致的，价格的快速上扬也使市场商家将注意力由Flash产品转移到DRAM产品上。由于短期价格的累积涨幅过大，周末现货市场出现了较为明显的获利回吐，KST 2GB　DDR2模组价格最低跌至141元附近，Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.15美金附近。DDR400 512Mb颗粒价格就稳定在1.78美金附近盘整，价格变化不大。
Nand Flash颗粒价格上周呈现明显的冲高回落走势，调整幅度相对明显，这主要是由于实质需求和场内获利回吐共同导致的。临近周末时跌幅收窄，价格趋于企稳。由于供应端仍然控制定价权，而现货市场的库存有限，未来的走势仍要密切关注并有一定变数。MicroSD产品继续呈现先回调后盘整的走势，市场的投机炒作较为活跃，尾市跌幅同样收窄。外围市场的价格跟随大陆市场波动，显示大陆市场仍然主导T卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.04.20-2009.05.03)

DDR400：

上周尽管韩元的升值导致的价格出现反弹已经被消化，由于没有明显的买盘出现和DDR400的投机需求渐趋萎缩，价格在反弹高位盘整运行。Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格收市时轻微上升收于1.78美金附近；DDR400模组的价格继续大致与颗粒价格的基本保持联动关系，价格也是轻微上扬。
一般而言，供求关系将最终决定价格的走向。现货市场的DDR400真实情况是，目前市场的DDR400需求已经大不如去年，其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存，市场批发寿命接近终结。
考虑到近期茂德即将停产和奇梦达已经停产的影响，现货市场的主要供应厂家仅剩海力士、三星和尔必达，相信情况再次失控的可能性不大。
我们维持512Mb DDR400的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域，而价格一旦跌破1.50美金后，价格就会进入低度安全区域；而一旦跌破1.20美金后，价格就进入中度安全区域；跌破1美金后就进入高度安全区域系列的研判。
由于需求萎缩和DRAM厂家转产DDR400，未来短期价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。考虑到茂德即将全面停产等因素，未来DDR400的价格即使下跌也将会呈现缓跌和可控的状态，急速大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。
结论：
对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判，目前风险仍处于偏高等级别，不宜追高，64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟，1.20美金以下是安全区域。
我们认为，考虑到茂德即将全面停产等因素，我们认为64MbX8颗粒其合理价格区间在1.20美金附近。
建议操作上，64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可，不宜大量囤积DDR400，因为它的大量销售将会有问题。
DDR2：
形势分析：
由于上周Flash价格均呈现回调盘整走势，而DDR2的价格则在周初出现了明显的上升，导致上周市场的注意力周初出现向DRAM转移的迹象。接近周末时，由于现货市场需求不足和短线获利盘获利丰厚，周末DDR2价格出现了冲高回落走势，尾市价格表现为区间窄幅震荡走势，并逐步趋坚。
其中KST 2GB DDR2 800的价格最高时曾在148元附近有成交，而Hynix 1Gb DDR2的最高价格就曾在1.18美金有成交；上周尾市价格出现了回调，其中KST 2GB DDR2 800最低跌至141元，Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.15美金附近。
我们一直强调二次成功探底后，长线来讲2GB DDR2 95元附近这个去年年底形成的底部已经是长线底部；但未来中线来讲125元都已经不易跌破了。
长期来讲，目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道，但还只是刚刚进入这一轨道，尚需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，我们仍旧维持减产不能从根本上解决问题这一研判。
消息面，南亚的官价调高到1.05美金附近，显示未来短期的现货市场1Gb价格再次跌破1.05美金的机会不大。
2月底前后，现货市场不坚定的投机模组库存接近消化殆尽，这预示着第一阶段结束。目前市场进入第二阶段，即清理低价颗粒库存的阶段，这个阶段预计需要1-2个月，也就是说，现在这个阶段可能会由6月底提前到6月中旬前后。
我们维持研判市场趋于健康时间的点已经接近，第三季度前将会有转机，年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题的研判。
价格的反转虽然已经成定局，但是在没有任何厂家退出前，大幅飙升的机会暂时没有，目前价格的反弹也只是回归理性，中长线维持轻微偏强的盘整机会较大。
短期1Gb DDR2 800颗粒的价格将会在1.05-1.30美金之间的区域展开偏强盘整。而2GB模组价格将会在135元－160元之间展开盘整的机会较大。2GB模组的价格一旦跌破135元均是难得的短线低价进货机会。
    消息面的影响在未来将会逐步减弱，淡季的市场更多地受到基本面的左右，未来的现货市场价格将会在底部进行长时间的缓慢盘升走势，等待上游厂家的整合结果。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个“慢牛”行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维偏强持盘整走势的机会较大，但是运行区间的上、下边沿都将上升。
短线三星的态度将会是决定DDR2价格能否大幅上升的关键，需要密切关注。
操作上我们只要秉持在维持一定量的库存下，逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。
结论：
DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底，春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去，未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。
未来两周：
模组方面：短期DDR2价格将维持区间（135元－160元）偏强盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破135元和涨过160元的。内存的中线走势我们继续维持“中性”或“中偏强”研判。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将维持“中性”或“中偏强”的研判，预计1Gb颗粒价格将会维持在1.00－1.30美金之间区间偏强盘整的机会较大；短期1Gb DDR2的价格没有机会涨过1.30美金。
操作上建议在维持一定量库存的情况下，逢低吸纳和逢高适当减磅，但是需要提醒的是短线一旦价格上涨就不要追高，因为价格连续大幅上扬的机会很小。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就维持“中偏多”观点。
Nand Flash：
上周的Nand Flash的价格出现了明显的下调走势，临近周末价格有所企稳。目前在Flash厂家仍然严控出货数量、现货市场库存水位不高和需求较差的情况下，未来中线的走势变数相对就比较大，但是短线维持盘整的机会较高。
目前的价格短线累积涨幅较大，且成交价格已经高于制造成本的情况下，4月底前合约价格被再次拉升的机会较高的情况下， 5月份的走势较就显得比较比较关键。
MicroSD市场继续呈现获利回吐走势，周末开始有所企稳。市场活跃度有所下降，实质终端需求却仍旧一般。
由于全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡，尽管前期价格由于厂家的控货导致价格出现强劲上扬走势，但终端需求一般和近期累计涨幅已经偏大等因素，最终导致了价格的回调，目前价格区间建议不宜盲目追高，但是也不要盲目看空，正常经营即可。
价格大幅飙升后，未来价格的走向将主要取决于需求。在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，需求大幅转好的机会不大。
由于本次价格上升是上游控货而导致的价格上涨，我们结合以往Flash价格由于类似原因上涨情况来看，一般价格上升周期都在四周左右。也就是说未来一周左右的时间内价格仍然处于上升周期的最后半段，但是幅度将会逐步减缓，之后将会进入高位盘整出货阶段，因为拉高后最终就是要出货，否则就没有意义了！所以价格暂时不会出现明显的下跌。
未来几周价格可能更多地是以高位盘整为主，因此未来两到四周的一段时间内价格将面临一定的压力，当然也不会出现类似去年的崩盘走势。但是一旦进入这个时候就相对比较危险了。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经远高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，价格的下滑不可避免。
结论：
我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或者“中偏强”的研判，但是风险已高。
长线我们就改持“中性”观点。
建议：由于价格已经处于危险区域，维持少量库存的情况下，正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格总体继续维持震荡上行的走势，DRAM市场气氛转表现为“中性”或“中偏多”，获利回吐行动有所加重。但是经过上周的价格盘整对于获利盘的消化非常有利，未来价格继续回调的机会和空间均不大，但是投机库存实际依然偏大，上周的回调对于消化135元附近的获利盘有积极的意义，而其余长线投机库存锁定的仍较好。市场投机行为持续降低，需求低于往年同期，但是由于上游厂家持续减产，市场总体情况仍渐趋健康。上周炒作指数维持在75水准（满分100分），市场关注度继续维持在75水平附近，市场终端需求维持正常，市场成交量上升到70分附近，目前市场仍处于供大于求约8%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体冲高回落走势。我们对于未来两周的价格走势持“中性”的研判。MicroSD和SD价格走势维持“中性”研判。市场的关注度下降到80分水平，投机活动在MicroSD市场有所降低。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃，总体需求没有根本改善，成交量下降到80分水准附近，预判未来两周里的价格就会维持“中性”的机会偏大，但是风险就已经偏高。

 

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	135-160	轻微上升走势
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	185-220	区间盘整

 
下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.05-1.30	轻微上升走势
Hynix	512Mb DDR400	USD1.60-1.80	区间盘整