上周回顾及下周走势分析

上周DDR2的价格总体继续震荡上扬走势。只是接近周末时，由于三星的一段讲话才引起了市场的恐慌，导致价格快速下滑，在恐慌盘抛压的带动下，KST 2GB价格快速下滑至150元整数关卡附近展开盘整。技术上来讲，由于短期价格的累积涨幅过大，获利盘较多，获利回吐的出现也属于正常。上周KST 2GB DDR2模组的价格曾最高升到160元附近，Hynix 1Gb DDR2 800上周最高涨至1.27美金附近；周末时，KST 2GB DDR2跌至150元附近，Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.20美金附近。 而DDR400 512Mb颗粒价格就稳定在1.78美金附近盘整，模组的价格也基本不变。 上周Nand Flash颗粒价格呈现回调后的企稳反弹走势，上涨幅度相对有限。这主要是由于现货市场库存不多和上游厂家控货产生的结果。由于供应端仍然控制“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来的走势仍有一定变数，值得我们密切关注并。MicroSD产品继续呈现盘整的走势，显示现货市场需求不佳和库存仍然需要消化的现实，同时也显示大陆市场仍然主导T卡的价格走势。

上两周回顾(2009.04.20-2009.04.26)

上周DDR2的价格总体继续震荡上扬走势。只是接近周末时，由于三星的一段讲话才引起了市场的恐慌，导致价格快速下滑，在恐慌盘抛压的带动下，KST 2GB价格快速下滑至150元整数关卡附近展开盘整。技术上来讲，由于短期价格的累积涨幅过大，获利盘较多，获利回吐的出现也属于正常。上周KST 2GB DDR2模组的价格曾最高升到160元附近，Hynix 1Gb DDR2 800上周最高涨至1.27美金附近；周末时，KST 2GB DDR2跌至150元附近，Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.20美金附近。 而DDR400 512Mb颗粒价格就稳定在1.78美金附近盘整，模组的价格也基本不变。
上周Nand Flash颗粒价格呈现回调后的企稳反弹走势，上涨幅度相对有限。这主要是由于现货市场库存不多和上游厂家控货产生的结果。由于供应端仍然控制“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来的走势仍有一定变数，值得我们密切关注并。MicroSD产品继续呈现盘整的走势，显示现货市场需求不佳和库存仍然需要消化的现实，同时也显示大陆市场仍然主导T卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.04.27-2009.05.10)

DDR400：

由于市场的注意力主要集中在DDR2上，在没有明显的买盘出现和DDR400的需求渐趋萎缩的情况下，价格就维持在高位盘整运行。Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格稳定于1.78美金附近；DDR400模组的价格继续大致与颗粒价格的基本保持联动关系，价格也是维持稳定。
一般而言，供求关系将最终决定价格的走向。现货市场的DDR400真实情况是，目前市场的DDR400需求已经大不如去年，其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存，市场批发寿命接近终结。
考虑到近期茂德即将停产和奇梦达已经停产的影响，现货市场的主要供应厂家仅剩海力士、三星和尔必达，相信情况再次失控的可能性不大。
我们维持512Mb DDR400的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域，而价格一旦跌破1.50美金后，价格就会进入低度安全区域；而一旦跌破1.20美金后，价格就进入中度安全区域；跌破1美金后就进入高度安全区域系列的研判。
由于需求萎缩和DRAM厂家转产DDR400，未来短期价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。考虑到茂德即将全面停产等因素，未来DDR400的价格即使下跌也将会呈现缓跌和可控的状态，急速大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判，目前风险仍处于偏高等级别，不宜追高。64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟，1.20美金以下是安全区域。
我们认为，考虑到茂德即将全面停产等因素，我们认为64MbX8颗粒其合理价格区间在1.20美金附近。
建议操作上，64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可，不宜大量囤积DDR400，因为它的大量销售将会有问题。

DDR2：

形势分析：

上周DDR2的价格总体上继续维持上扬走势，尽管周末出现了明显回调走势，但是先前市场悲观情绪得到已经极大的扭转，同时市场过热的情绪也得到一定程度的纠正，从这个意义上来讲价格的回调较为健康。
上周五时，三星泼了海力士、力晶、尔必达等一盆冷水，认为今年 DRAM 价格还会再跌45%，似乎预告了 DRAM价格的战火复燃。其结果就是直接导致了现货市场出现了明显的获利了结抛压，此前的乐观情绪明显受挫。技术上来讲，由于需求不足和短线获利盘获利丰厚，周末DDR2价格出现回调也实属正常和合理。
其中KST 2GB DDR2 800的价格最高时曾在160元附近有成交，而Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的最高就曾在1.27美金价位有成交；上周尾市价格出现了明显回调，其中KST 2GB DDR2 800最低跌至150元，Hynix 1Gb DDR2 800跌至1.20美金附近。
我们一直强调二次成功探底后，长线来讲2GB DDR2 95元附近这个去年年底形成的底部已经是长线底部；但未来中线来讲130元都已经不易跌破了。
长期来讲，目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道，但还只是刚刚进入这一轨道，尚需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定，我们仍旧维持减产不能从根本上解决问题这一研判。而三星上周的表态无疑再一次验证了这一观点的正确性。
消息面，台系厂商、尔必达和金士顿有意将在5月份将现货市场的1Gb颗粒的价格拉抬至1.50美金附近，按照现在的汇率换算成2GB模组的价格相当于182元。但是三星唱起了反调，认为今年DRAM价格仍要跌45%。反差非常非常之强烈。
目前的现货市场模组库存水位不到2周，颗粒库存不到3周。因此市场的中下游的无论是模组还是颗粒的库存水位均接近健康水准，近期的价格反弹总体正常，反弹幅度也基本正常。但是需要注意的是，目前上游厂家的库存和生产能力仍明显大于需求。
我们维持研判市场趋于健康时间的点已经接近，第三季度前将会有转机，年底前将会彻底解决目前的产能过剩问题的研判。
价格的反转虽然已经成定局，但是在没有任何厂家退出前，大幅飙升的机会暂时没有，目前价格的反弹也只是回归理性，中长线维持轻微偏强的盘整机会较大。
短期1Gb DDR2 800颗粒的价格将会在1.10-1.30美金之间的区域展开盘整。而2GB模组价格将会在135元－160元之间展开盘整的机会较大。短线2GB模组的价格一旦跌破135元均是难得的短线低价进货机会，但是160元附近或以上均是获利了结的好时机。
    消息面的影响在未来将会逐步减弱，淡季的市场更多地受到基本面的左右，未来的现货市场价格将会在底部进行长时间的缓慢盘升走势，等待上游厂家的整合结果。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个“波段”和“慢牛”行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维持盘整走势的机会较大，运行区间暂时不变。
操作上我们只要秉持在维持一定量的库存下，逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。

结论：

DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底，春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去，未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。
未来两周：
模组方面：短期DDR2价格将维持区间（135元－160元）盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破135元和涨过160元的。内存的中线走势我们继续维持“中性”或“中偏强”研判。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们将改持“中性”的研判。预计1Gb颗粒价格将会维持在1.00－1.30美金之间区间偏强盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.30美金。
操作上建议在5月底前区间内（模组135-160元，或者颗粒1.05-1.30美金）波段操作，但是总体上未来以逐步逢高减磅降低库存为主，价格连续大幅上扬的机会很小，但是短线也不宜完全空仓。
短期三星会就上周言论作出进一步解释，这个将会决定未来价格反弹的幅度和何时结束。
鉴于厂家减产和停产行动的持续，长线就维持“中偏多”观点。

Nand Flash：

上周的Nand Flash的价格表现为企稳反弹走势，这是本次大幅反弹并轻微回调后出现的又一次轻微反弹，显示市场的价格走势已经进入高位盘整阶段。
目前的价格短线累积涨幅较大，且成交价格已经高于制造成本的情况下，4月底前合约价格被再次拉升的情况下， 5月份的走势较就显得比较比较关键。由于目前在Flash厂家仍然严控出货数量、现货市场库存水位不高和需求较差的情况下，厂家要维持高位震荡开始出货，我们就预计短线继续维持盘整的机会较高。
MicroSD市场继续呈现高位盘整走势，由于价格企稳并开始高位区间盘整，出现短线波段交易机会，市场活跃度开始回升，但实质终端需求却仍旧一般。价格大幅飙升后，未来价格的走向将主要取决于需求。在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，需求大幅转好的机会不大。
由于全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡，尽管前期价格由于厂家的控货导致价格出现强劲上扬走势，但终端需求一般和近期累计涨幅已经偏大等因素，最终导致了价格的回调并开始盘整。目前价格区间建议不宜盲目追高和盲目看空，正常经营即可。
由于本次价格上升是上游控货而导致的价格上涨，我们结合以往Flash价格由于类似原因上涨情况来看，目前走势已经进入高位盘整出货阶段，因为拉高后最终就是要出货，否则就没有意义了！所以价格暂时不会出现明显的下跌，以区间震荡为主。
未来几周价格可能更多地是以高位盘整为主，因此未来两到四周的一段时间内价格将面临一定的压力，当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对比较危险了。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经远高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来四周以内价格的下滑不可避免。

结论：

我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或者“中偏强”的研判，但是风险已高。
长线我们就改持“中性”观点。
建议：由于价格已经处于危险区域，维持少量库存的情况下，正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格总体继续维持震荡上行的走势，DRAM市场气氛转表现为“中偏多”，周末获利回吐行动有所加重。但是经过上周的价格回调对于获利盘的消化非常有利，未来价格继续回调的机会和空间均不大，但是投机库存实际依然偏大，上周的回调对于消化150元附近的获利盘有积极的意义，而其余长线投机库存锁定的仍较好。市场投机行为有所升高，需求低于往年同期，但是由于上游厂家持续减产，市场总体情况仍渐趋健康。上周炒作指数上升到75水准（满分100分），市场关注度继续上升到80水平附近，市场终端需求维持正常，市场成交量上升到80分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。但是目前的价格反弹已经逼近安全区域的上限（160元），即将进入危险区域160元以上，在没有新的厂家退出的情况下风险开始加大。
上周Nand Flash颗粒价格总体企稳回升走势。我们对于未来两周的价格走势持“中性”的研判。MicroSD和SD价格走势维持“中性”研判。市场的关注度下降到80分水平，投机活动在MicroSD市场有所降低。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃，总体需求没有根本改善，成交量下降到80分水准附近，预判未来两周里的价格就会维持“中性”的机会偏大，但是风险就已经偏高。

 
下周内存价格走势预测
 

 
下周DRAM颗粒价格走势预测