上周回顾及下周分析预测

DDR2的价格冲高回落后,上周走势总体呈现的高位盘整。KST 2GB价格围绕150元整数关卡附近展开盘整，周末价格轻微走强，价格重新站上150元关卡。技术上来讲，由于现货市场仓位的平均成本均在150元附近，短期价格大幅下跌的机会渺茫。Hynix 1Gb DDR2 800上周在接近1.20美金附近盘整；周末时，KST 2GB DDR2升至150元以上。 DDR400方面，512Mb颗粒价格就稳定在1.78美金附近盘整，模组的价格也基本保持不变。 上周Nand Flash颗粒价格呈现小幅下滑走势，幅度相对有限。总体而言，Nand Flash的价格近期继续维持在高位并展开盘整。这主要是由于现货市场库存不多和上游厂家控货共同产生的结果。由于供应端仍然控制“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，短线即使出现下跌幅度也相对有限，基本上仍维持在高位震荡。 MicroSD产品继续呈现盘整的走势，显示现货市场需求不佳和库存仍然需要消化的现实，同时也显示大陆市场仍然主导T卡的价格走势。

上两周回顾(2009.04.27-2009.05.03)

DDR2的价格冲高回落后,上周走势总体呈现的高位盘整。KST 2GB价格围绕150元整数关卡附近展开盘整，周末价格轻微走强，价格重新站上150元关卡。技术上来讲，由于现货市场仓位的平均成本均在150元附近，短期价格大幅下跌的机会渺茫。Hynix 1Gb DDR2 800上周在接近1.20美金附近盘整；周末时，KST 2GB DDR2升至150元以上。 DDR400方面，512Mb颗粒价格就稳定在1.78美金附近盘整，模组的价格也基本保持不变。
上周Nand Flash颗粒价格呈现小幅下滑走势，幅度相对有限。总体而言，Nand Flash的价格近期继续维持在高位并展开盘整。这主要是由于现货市场库存不多和上游厂家控货共同产生的结果。由于供应端仍然控制“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，短线即使出现下跌幅度也相对有限，基本上仍维持在高位震荡。
MicroSD产品继续呈现盘整的走势，显示现货市场需求不佳和库存仍然需要消化的现实，同时也显示大陆市场仍然主导T卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.05.04-2009.05.17)

DDR400：

由于现货市场的注意力主要集中在DDR2上，在没有明显的投机买盘出现和市场需求渐趋萎缩的情况下，价格就继续维持在高位盘整运行。Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格稳定于1.78美金附近；DDR400模组的价格继续大致与颗粒价格的基本保持联动关系，价格也是维持稳定。
一般而言，供求关系将最终决定价格的走向。现货市场的DDR400真实情况是，目前市场的DDR400需求已经大不如去年，其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存，市场批发寿命接近终结。
考虑到近期茂德即将停产和奇梦达已经停产的影响，现货市场的主要供应厂家仅剩海力士、三星和尔必达等厂家，相信情况再次失控的可能性不大。
我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域，而价格一旦跌破1.50美金后，价格就会进入低度安全区域；而一旦跌破1.20美金后，价格就进入中度安全区域；跌破1美金后就进入高度安全区域的系列研判。
由于需求萎缩和DRAM厂家转产DDR400，未来短期价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。考虑到茂德和奇梦达即将全面停产等因素，即使未来DDR400的价格下跌也将会呈现缓跌和可控的状态，急速大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持“中性”或“中偏软”的研判，目前风险仍处于偏高等级别，不宜追高。64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟，1.20美金以下是安全区域。
我们认为，考虑到茂德和奇梦达即将全面停产等因素，我们认为64MbX8颗粒其合理价格区间在1.20美金附近。
建议操作上，64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可，不宜大量囤积DDR400，因为它的大量销售将会有问题。

DDR2：

形势分析：

上周DDR2的价格总体上维持高位震荡走势，周末出现了轻微回升走势，市场情绪基本上基本上维持在“中性”或者“中偏多”研判，市场气氛基本上处于健康状态。
现货市场的价格稳定在150元附近盘整的主要原因有以下几个原因：
1） 上游DRAM厂家持续减产的效果开始显现和商家惜售心理。
2） 现货市场的低价库存水位持续消化。
3） 市场的库存成本不断垫高。
4） 赚钱效应下，商家心态开始趋稳，并且转趋乐观，持仓心理相对稳定。
上周KST 2GB DDR2 800的价格最高时曾在153元附近有成交，而Hynix 1Gb DDR2 800颗粒的最高就曾在1.20美金价位有成交；上周尾市价格出现了轻微回升，其中KST 2GB DDR2 800最高升至153元附近，Hynix 1Gb DDR2 800升至1.20美金附近。
我们一直强调二次成功探底后，长线来讲2GB DDR2 95元附近这个去年年底形成的底部已经是长线底部；但未来中线来讲130元都已经不易跌破了。
长期来讲，目前的DRAM市场虽然已经开始进入良性轨道，但还只是刚刚进入这一轨道，尚需要时间来逐步淘汰一些工厂。而价格回升的最大希望仍要看DRAM厂家的购并和倒闭的情况而定。我们仍旧维持减产不能从根本上解决问题这一研判，而三星近期的表态无疑再一次验证了这一观点的正确性。
消息面，台系DRAM厂商、尔必达和金士顿有意将在5月份将现货市场的1Gb颗粒的价格拉抬至1.50美金附近，按照现在的汇率换算成2GB模组的价格相当于182元，因此未来两周的DDR2价格走向将是极为关键的和值得大家密切注意的。
不利的方面，北美流感的暴发和扩散将会对世界经济产生负面影响，也必将对本来已经疲弱的世界消费需求带来不利影响。
目前的现货市场模组库存平均水位不到2周，颗粒平均库存水位不到3周。因此市场的中下游商家手中的库存水位，无论是模组还是颗粒的库存水位均接近健康水准，近期的价格反弹总体正常，反弹幅度也基本正常。但是需要注意的是，目前上游厂家的库存和生产能力仍明显大于需求。
我们维持研判市场趋于健康时间的点已经接近，第三季度前DRAM市场的供求关系将会有转机，但是产能过剩问题的仍需要到年底前才会彻底解决的研判。
价格的反转虽然已经成定局，但是在没有任何厂家退出前，大幅飙升的机会暂时没有，目前价格的反弹也只是回归理性，中长线维持轻微偏强的盘整机会较大。
短期1Gb DDR2 800颗粒的价格将会在1.10-1.30美金之间的区域展开盘整。而2GB模组价格将会在135元－160元之间展开盘整的机会较大。短线2GB模组的价格一旦跌破135元均是难得的短线低价进货机会，但是160元附近或以上均是获利了结的好时机。
    消息面的影响在未来将会逐步减弱，淡季的市场更多地受到基本面的左右，未来的现货市场价格将会进行长时间的区间盘整，等待上游厂家的整合结果。一旦出现阶段性的整并结果，价格也就自然会上升。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个“波段性”和“慢牛”性质的行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维持盘整走势的机会较大，运行区间暂时不变。
操作上我们只要秉持维持少量的库存下，逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。
结论：
DDR2的慢牛行情在春节前已经完成筑底，春节后的快速反弹预示着DRAM最坏的时候已经过去，未来长线的DDR2的价格走势将会进入慢牛阶段。

未来两周：

模组方面：短期DDR2价格将维持区间（135元－160元）盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破135元和涨过160元的。内存的中线走势我们继续维持“中性”或“中偏强”研判。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们也维持“中性”或“中偏强”的研判。预计1Gb颗粒价格将会维持在1.00－1.30美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.30美金。
操作上建议在5月底前区间内（模组135-160元，或者颗粒1.05-1.30美金）波段操作，但是总体上未来以逐步逢高减磅降低库存水位为主，价格连续大幅上扬的机会很小，但是短线也不宜完全空仓。
5月15日前这段时间将是影响未来DDR2的价格走向的关键期，大家应该密切关注。一般而言，如果到时2GB组价格未能有效突破160元、1Gb颗粒价格未能有效突破1.30美金，就必须斩仓出局。

Nand Flash：

上周的Nand Flash的价格轻微走软走势，说明现货市场的价格维持处于高位盘整走势，短期价格继续维持这种走势的机会较大。
由于前期的价格累积涨幅较大，且成交价格已经高于制造成本的情况下，4月底前合约价格被再次成功拉升的情况下， 5月份的走势较就显得比较比较关键。由于目前在Flash厂家仍然严控出货数量、现货市场库存水位不高和需求较差的情况下，短线厂家继续拉升价格的机会不大，维持高位震荡出货的机会偏大。
MicroSD市场继续呈现高位盘整走势，由于价格在高位区间盘整了一段时间，出现短线波段交易机会，市场活跃度开始回升，但实质终端需求却仍旧一般。价格大幅飙升后，未来价格的走向将主要取决于需求。在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，需求大幅转好的机会不大。
考虑到全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。尽管前期价格由于主要生产厂家的控货导致价格出现强劲上扬走势，但终端需求一般和近期累计涨幅已经偏大等因素，在价格冲高回调后，价格开始在高位盘整。目前价格区间建议不宜盲目追高和盲目看空，正常经营即可。
由于本次价格上升是上游减产控货而导致的价格上涨，我们结合以往Flash价格由于类似原因上涨情况来看，目前走势已经进入高位盘整出货阶段，所以价格暂时不会出现明显的下跌，以高位区间震荡为主。
未来几周价格也可能更多地是以高位盘整为主，因此未来三周内价格将面临一定的压力，当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对比较危险了。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经远高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来三周以内价格的向下寻求支撑或许将不可避免。

结论：

我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”的研判，但是风险已高。
长线我们就改持“中性”观点。
建议：由于价格已经处于危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格总体呈现高位震荡的走势，DRAM市场气氛转表现为“中性”或者“中偏多”，周末市场的投机气氛轻微有所加重。目前现货市场的DDR2价格暂时尚不具备大跌的可能性，但是如果5月上旬KST 2GB模组价格不能有效突破160元，1Gb颗粒价格不能有效突破1.30美金，到时DDR2的价格将面临考验。目前市场投机行为有所升高，库存水位有所上升，而需求低于往年同期，但是由于上游厂家持续减产，市场总体情况仍渐趋健康。上周炒作指数维持在75水准（满分100分），市场关注度继续维持在80水平附近，市场终端需求维持正常，市场成交量下降到75分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。但是目前的价格反弹已经逼近安全区域的上限（160元），即将进入160元以上的危险区域，在没有新的厂家退出的情况下风险开始加大。
上周Nand Flash颗粒价格总体维持高位区间震荡走势。我们对于未来两周的价格走势持“中性”的研判。MicroSD和SD价格走势维持“中性”研判。市场的关注度下维持在75分水平，投机活动在MicroSD市场有所降低。市场的气氛受到价格的波动而继续活跃，总体需求没有根本改善，成交量下降到75分水准附近，预判未来两周里的价格就会维持“中性”的机会偏大，但是风险就已经偏高。

 
下周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	140-160	区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	190-220	区间震荡

 
下周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.05-1.30	区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.60-1.80	区间震荡