上周回顾及下周走势分析

由于需求疲软和市场库存较高等原因，上周DDR2的价格总体继续维持弱势区间盘整走势,价格继续在既有区间内展开窄幅盘整。其中模组方面，KST 2GB价格在152元附近展开盘整；而颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800上周则在1.18美金附近展开盘整。 由于市场平静和上游厂家继续维持既有的控货策略，导致价格在高位盘整了一个多月的时间，导致实际现货市场库存水位不高,上周Nand Flash颗粒价格总体继续弱势区间盘整走势。我们注意到供应端仍然控制“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来的市场需求好坏将会对价格的走向起到越来越重要的作用。 上周MicroSD产品总体呈现区间震荡走势，低阶型号的价格出现了明显地超跌反弹。现货市场需求不佳、库存仍然需要消化和投机需求仍高。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此目前大陆市场仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.06.01-2009.06.07)

由于需求疲软和市场库存较高等原因，上周DDR2的价格总体继续维持弱势区间盘整走势,价格继续在既有区间内展开窄幅盘整。其中模组方面，KST 2GB价格在152元附近展开盘整；而颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800上周则在1.18美金附近展开盘整。
由于市场平静和上游厂家继续维持既有的控货策略，导致价格在高位盘整了一个多月的时间，导致实际现货市场库存水位不高,上周Nand Flash颗粒价格总体继续弱势区间盘整走势。我们注意到供应端仍然控制“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来的市场需求好坏将会对价格的走向起到越来越重要的作用。
上周MicroSD产品总体呈现区间震荡走势，低阶型号的价格出现了明显地超跌反弹。现货市场需求不佳、库存仍然需要消化和投机需求仍高。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此目前大陆市场仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.06.08-2009.06.21)

DDR400：

在现货市场DDR400需求渐趋萎缩，而又没有明显的投机买盘出现的情况下，价格继续维持缓慢走软势头。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格小幅跌至1.58美金附近盘整；DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系，品牌内存的价格也全面轻微走软。
一般而言，供求关系将最终决定价格的走向，4月份开始现货市场的DDR400需求大幅萎缩，DDR400需求已经大不如去年，其中64MbX8的标准颗粒只能用于电脑内存。由于4月份开始销量急剧萎缩，其市场批发寿命已经接近终结，我们预计这一时间点很大可能在本月底前提前到来。
我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域，而价格一旦跌破1.50美金后，价格就会进入低度安全区域；而一旦跌破1.20美金后，价格就进入高度安全区域的研判。
由于需求萎缩，未来短期价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌也将会呈现缓跌和可控的状态，急速大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中偏软”或“中性”的研判。目前风险仍处于偏高等级别，不宜追高。64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟，1.20美金以下才是安全区域。
建议操作上，64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可，不宜投机和囤积DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现。

DDR2：
形势分析：

上周DDR2的价格呈现窄幅区间盘整走势，盘中KST 2GB在152元附近展开盘整，虽然盘中一度升至154元，但是由于需求疲软和商家观望气氛浓厚等原因,导致价格未能持续突破,收市时价格下滑到152元附近。周末市场商家对后市看法微妙而矛盾。
多数商家对于后市维持“中性”看法，市场气氛总体维持“中性”。由于市场需求不佳和投机轻微过度的情况没有任何改变，我们维持上周市场的总体情况仍处于“亚健康”状态。
上周内存价格出继续窄幅区间内盘整走势，其中KST 2GB DDR2 800在150-154元区间盘整；而Hynix 1Gb DDR2 800等颗粒的价格在1.17-1.20美金之间盘整。 我们注意到尽管价格在目前的区间（1.14-1.20美金）内已经盘整了接近一个半月。现货市场上的投机库存锁定较好，多数没有出现明显的抛货套现举动，这一方面说明虽然库存平均价位偏高，并且商家惜售心态严重，普遍对后市有良好预期；另一方面也说明，上游厂家有一定的默契，暂时也没有急于杀跌价格出货的。
长期来讲，我们仍旧维持减产不能从根本上解决供大于求这一问题的研判。全球经济危机尚未触底、H1N1流感暴发和扩散无疑都对世界经济产生负面影响，也会对本来已经疲弱的世界消费需求带来不利影响。
我们继续维持以下这些研判：市场供求关系趋于健康时间的点已经接近，但在没有新的的厂家退出的情况下，DDR2产能过剩问题的仍需要到年底前才会彻底解决。虽然价格反转已经展开，但在没有新的厂家退出前，目前价位情况下价格再次大幅飙升的机会暂时没有。目前价格只是回归到了合理价格区域，并在此区间内盘整，等待上游出现新的积极变化。
由于市场这段时间需求不佳，导致现货市场模组库存消化过慢，但是目前的反弹幅度仍处于正常范围内。市场内存和颗粒的平均水位就仍维持在2-3周并没有下降。考虑到目前处于淡季，短期价格继续反弹的空间有限。随着盘整时间的增加和库存水位的缓慢下滑，市场累计的风险得以在一定程度上释放，我们认为再通过一段时间调整，市场总体情况将会逐步趋于健康。
消息面，力晶在6月17日到期的ECB将对其形成偿还压力，这个是我们要密切关注的。此前力晶宣称6月底前不会在现货市场出货，但以上周的情况来看似乎对在6月份现货市场的供应影响不大，但是后续还有待于继续观察。
DDR3的需求方面，现货市场的DDR3需求依然不佳，这主要是由于相关配件的价格依然偏高，而DDR2配套产品的价格走低等原因共同造成的。目前仅在北京、华东和华南等经济发达地区卖得还有所起色，暂时不会对DDR2的需求形成分流效应。我们预计最快要等到年底前Intel的CPU和主板新架构及10月份微软的windows 7上市DDR3的需求才会有明显增长。
由于近期品牌电脑总体上需求不佳，截止上周为止OEM市场需求依然没有明显的改善。虽然我们也注意到小的OEM厂商的库存水位已经下降到2周以内，并且上周也出现欧美部分小的OEM厂家通过现货市场收购三星原装模组得现象，导致三星原装模组的价格因此出现了上升。但是我们对未来的OEM市场的需求能否持续改善目前仍不敢下肯定的结论。
如果未来一周三星原装模组的价格继续上升，并且有效突破金士顿的价格，到时我们才会考虑将中短期的市场走势评级由“中性”改为“中偏多”，目前短期就仍然维持现有研判不变。
1Gb DDR2 800颗粒的价格将会在1.10-1.25美金之间的区域继续展开盘整；而模组方面，2GB的价格将会在138元－155元之间展开盘整的机会较大。短线而言，2GB模组的价格一旦跌到140元附近均是难得的短线低价进货机会，而155元以上均是获利了结的好时机。
    消息面的影响在未来将会逐步减弱，淡季的市场更多地受到供求关系这个基本面所左右，未来的现货市场价格短期将会维持区间盘整，等待上游厂家新的整合结果。一旦出现阶段性的整并结果，价格也就自然会上升。
目前我们需要重点关注的是6月中旬将要到期的力晶ECB的处理结果和下周公布的上旬合约价的走势变化。由于5月下旬合约价出现明显的滞涨，而现货市场需求又不佳的情况下，6月份合约价格的走势将会让大家观察OEM市场需求的好坏的一个重要指标。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM价格最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个“波段性”和“慢牛”性质的行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维持目前这种区间盘整走势的机会较大。
操作上我们只要秉持在维持合理库存的情况下，逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。
六月份DDR2价格出现变化机会较大，值得我们密切关注。我们暂时维持区间盘整机会较大的研判,一切仍要看需求而定。需要强调的是DDR2的价格大幅下跌的机会为零，也就是再次跌破1美金的机会渺茫；但是大涨的机会也几乎没有。

结论：
未来两周：

模组方面：短期维持“中性”或“中偏软”研判，DDR2内存价格将维持区间（138元－155元）盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破138元和涨过155元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们也维持“中性”或者“中偏软”的研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.10－1.25美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.25美金。
目前局势不明朗的情况下，我们建议暂时维持观望，库存应该维持合理库存，金士顿2GB DDR2价格一旦跌破140元附近即可适当提升仓位。
但是对于DDR2的中长线走势我们继续维持“中性”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash的价格总体继续维持区间盘整走势，但是具到不同型号就涨跌互现。上游生产厂家依然严格控货，但终端需求却不佳，尤其是投机需求不敢入场的情况下，预计短期价格继续维持这种盘整走势的机会较大。
Nand Flash的价格经过前一段时间的强力拉升后，Flash价格在目前的高位区间盘整了一个月多月，虽然目前的价格已经出现缓慢下滑态势，但是总体而言由于目前Flash厂家虽然依然严控出货数量，现货市场颗粒的库存水位尽管相对不高的情况下，累计的下滑幅度并不大。由于目前的需求较差的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家未来的产能大小来决定。
未来一段时间的走势将会继续维持目前的偏软的盘整格局的机会偏大，即下跌压力加大，除非有预料之外的强劲需求出现，但是也不会大幅下跌。市场对年底前的旺季仍有所寄托，因此短线大幅下跌的机会不大。
MicroSD市场上周价格总体呈现盘整走势，其中低阶型号反弹幅度较大。显示出市场需求不佳的情况下，较为活跃的投机需求仍是影响价格短期波动的主要因素。由于山寨手机需求的下降，未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。前期的价格的上扬和持稳均是Flash生产厂家减产，尤其是控制出货导致的，非需求因素导致。近期东芝决定增产的消息将会对Flash的价格走势造成一定负面影响，只是目前的增产幅度尚未清楚。
由于本次价格上升是上游减产和控货导致的，一般都会有一个月左右的时间价格维持在高位盘整以达到出货的目的，这次也没有例外。在高位盘整一个月后，近期开始价格有走软趋势也符合以往这规律，但是由于厂家的节制，走势不会像去年那样出现不可控的局面。
考虑到全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。未来一段时间,Nand Flash的价格将会向下寻求支撑,价格存在小幅下跌的机会。但是目前情况下不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
6月份后走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,即向下突破的机会加大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来两周以内价格很大可能将会继续向下寻求支撑，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏软”的研判。
建议：由于价格已经处于危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格呈现弱势窄幅盘整走势。DRAM市场气氛开始趋于“中性”或者“中偏空”，投机气氛明显萎缩。尽管上游厂家仍持续减产，考虑到目前市场投机行为有所升高、库存水位有所上升和需求低于往年同期的现实，因此我们维持研判市场的情况处于“亚健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格暂时大跌或者大涨的可能性均不高。上周炒作指数维持在75水准（满分100分），市场关注度维持在75分水平附近，市场终端需求维持一般淡季水准，市场成交量维持在70分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现盘整走势。我们对于未来两周的价格走维持“中性”或者“中偏软”的研判。对于MicroSD和SD价格走势，我们维持“中性”或“中偏软”研判。市场的关注度维持在75分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。市场的气氛受到低阶型号价格的反弹而有所活跃，总体需求没有根本改善，成交量维持70分水准附近，预判未来两周里的价格就会维持“中性”或“中偏软”的机会偏大，风险评估为“中等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	140-155	区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	175-195	轻微下跌或弱势盘整

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.10-1.25	区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.40-1.60	轻微下跌或弱势盘整