上周回顾及下周走势分析

由于需求疲软、市场库存较高和供大于求等原因，经过了接近两个半月的盘整后,上周DDR2的价格出现了小幅下跌,并一举跌破了前期支撑位。模组方面，KST 2GB价格跌至145元附近展开盘整；颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800上周则跌至1.15美金附近展开盘整。DDR400继续维持下滑势头没有任何改变的迹象。 上周Nand Flash颗粒价格总体继续弱势区间盘整走势。我们注意到供应端仍然掌握着“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来的市场需求好坏将会对价格的走向起到越来越重要的作用。 上周MicroSD产品总体呈现超跌反弹走势，尾市反弹结束并出现轻微下滑。现货市场需求不佳、库存仍然需要消化和投机需求仍高是目前T卡的市场现状。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此目前大陆市场仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.06.08-2009.06.14)
由于需求疲软、市场库存较高和供大于求等原因，经过了接近两个半月的盘整后,上周DDR2的价格出现了小幅下跌,并一举跌破了前期支撑位。模组方面，KST 2GB价格跌至145元附近展开盘整；颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800上周则跌至1.15美金附近展开盘整。DDR400继续维持下滑势头没有任何改变的迹象。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续弱势区间盘整走势。我们注意到供应端仍然掌握着“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来的市场需求好坏将会对价格的走向起到越来越重要的作用。
上周MicroSD产品总体呈现超跌反弹走势，尾市反弹结束并出现轻微下滑。现货市场需求不佳、库存仍然需要消化和投机需求仍高是目前T卡的市场现状。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此目前大陆市场仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。
未来两周走势分析预测(2009.06.14-2009.06.27)
DDR400：
在现货市场DDR400需求渐趋萎缩，又没有明显的投机买盘出现的情况下，上周其价格出现快速下滑走势。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格小幅跌至1.52美金附近盘整；DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系，品牌内存的价格也全面轻微走软。
一般而言，供求关系将最终决定价格的走向。4月份开始，现货市场的DDR400需求大幅萎缩，DDR400需求已经大不如去年，尤其是64MbX8的标准颗粒又只能用于电脑内存。4月份开始其销量急剧萎缩，这预示着其市场批发寿命已经接近终结，我们预计7月份开始，现货市场DDR400产品将会彻底结束批发时代，进入零售时代。
我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50-1.80美金区间是危险区域，而价格一旦跌破1.50美金后，价格就会进入低度安全区域；而一旦跌破1.20美金后，价格就进入高度安全区域。
由于需求萎缩，未来短期价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌也将会呈现缓跌和可控的状态，急速大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。
结论：
对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中偏软”或“中性”的研判。目前风险仍处于偏高等级别，不宜追高。64MbX8颗粒的价格跌破1.50美金后再开始关注不迟，1.20美金以下才是安全区域。
建议操作上，64MbX8 颗粒在1.50美金以上维持正常经营即可，不宜投机和囤积DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现。
DDR2：
形势分析：
上周DDR2的价格呈现小幅下跌走势，盘中KST 2GB跌至145元附近。虽然金士顿的代理价格仍高于现货市场价格，但是由于考虑到外围市场的颗粒价格、二线品牌的价格下跌幅度，以及需求疲软和商家观望气氛浓厚等因素,后市金士顿的价格补跌的机会很大，只是幅度还有待于观察。
多数商家对于后市改持“中偏软”看法，市场气氛总体也呈现“中偏软”。由于市场需求不佳和投机轻微过度的情况没有任何改变，我们维持上周市场的总体情况仍处于“亚健康”状态。
上周内存价格出现小幅下跌走势，其中KST 2GB DDR2 800在145-152元区间内逐步下滑；而Hynix 1Gb DDR2 800等颗粒的价格在1.04-1.17美金的区间快速下滑。
长期来讲，我们仍旧维持年初至今的判断，即减产不能从根本上解决供大于求这一问题的研判。全球经济危机尚未触底、H1N1流感暴发和扩散无疑都对世界经济产生负面影响，也会对本来已经疲弱的世界消费需求带来不利影响。
我们也一直继续维持以下这些研判：市场供求关系趋于健康时间的点已经接近，但在没有新的DRAM厂家退出的情况下，DDR2产能过剩问题的仍需要到年底前才会彻底解决。虽然价格反转已经展开，但在没有新的厂家退出前，目前价位情况下价格再次大幅飙升的机会暂时没有。目前价格只是回归到了合理价格区域，并在此区间内盘整，等待上游出现新的积极变化。
由于这段时间的需求不佳，导致现货市场模组库存消化过慢。上周力晶在现货市场的出货行为是价格的快速下滑的“导火索”。目前市场内存和颗粒的平均水位就仍维持在2-3周，尤其是外围颗粒市场的库存水位偏高，模组水位相对就低于前者。考虑到目前仍处于淡季，短期价格出现回调将有利于市场已有库存的快速消化，尤其对于加快也已停滞的DRAM厂家的整合十分有利。
随着盘整时间的增加和库存水位的缓慢下滑，市场累计的风险正在一定程度上释放，我们认为再通过一段时间调整，市场总体情况将会逐步趋于健康。但是预计调整的时间在2周左右，也就是说很大程度会调整到6月底前后。
消息面，力晶在6月17日到期的ECB将对其形成偿还压力，这个是我们要密切关注的。上周力晶出货行为也打破了其月底前不出货的说法，未来如果其由于资金压力不排除有继续在现货市场出货的可能性。那么1Gb颗粒价格也就不排除有跌破1美金的机会，2GB模组的价格不排除跌破130元的可能性。
DDR3的需求方面，现货市场的DDR3需求依然不佳，这主要是由于DDR3相关配套配件的价格依然偏高，而DDR2配套产品的价格快速走低等原因共同造成的。目前仅在北京、华东和华南等经济发达地区卖得还有所起色，暂时不会对DDR2的需求形成分流效应。我们预计最快要等到年底前Intel有关的新的CPU和主板架构出台以及10月份微软的windows 7上市后，DDR3的需求才会有明显增长。
由于近期终端需求不佳，包括惠普、戴尔和联想等在内的主要OEM厂家销售不佳，截止上周为止的电脑市场需求仍没有明显的改善。虽然我们也注意到小的OEM厂商的库存水位已经下降到2周以内，并且在前一周开始出现部分小的欧美OEM厂家通过现货市场收购三星原装模组得现象，并直接导致了三星原装模组的价格的上升。但是考虑到现货市场的价格快速下滑，将会对6月下旬的合约市场价格构成压力，我们对未来的OEM市场的需求能否持续改善目前还是不敢下肯定的结论。
1Gb DDR2 800颗粒的价格将会在1.00-1.15美金之间的区域继续展开弱势盘整；而模组方面，2GB的价格将会在130元－150元之间展开弱势盘整的机会较大。短线而言，2GB模组的价格一旦跌到135元附近均是难得的短线低价进货机会，而150元以上均是获利了结的好时机。
    消息面的影响在未来将会逐步减弱，淡季的市场更多地受到供求关系这个基本面所左右，未来的现货市场价格短期将会继续维持弱势区间盘整，等待上游厂家新的整合结果。一旦出现阶段性的整并结果，价格也就自然会上升。
目前我们需要重点关注的是6月中旬将要到期的力晶ECB的处理结果和下周公布的上旬合约价的走势变化。由于5月上旬合约价出现明显的滞涨，而现货市场价格又出现了明显下跌的情况下，6月份下旬的合约价格走势将是真实反映合约市场需求的好坏的一个重要指标，而此前的合约市场价格总体上是补涨行情，不具备重考价值。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM价格最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。换句话来讲，今年的行情将会是一个“波段性”和“慢牛”性质的行情，不会一蹴而就的，预计未来两周的价格将会继续维持目前这种区间盘整走势的机会较大，只是目前的价格处于波段行情的波谷筑底阶段，当筑底结束后就会有机会有机会展开反弹走势。
操作上我们只要秉持在维持合理库存的情况下，区间内逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。
上一期我们谈到六月份DDR2价格出现变化机会较大，结果上周终于出现了我们研判已久的下跌走势。需要强调的是短期DDR2的价格持续大幅下跌的机会为零，理论上短期再次有效跌破1美金的机会不大；但立即大幅反弹的机会也几乎没有。如果7月份需求依旧不佳，我们并不排除跌破1美金的可能性。

结论：
未来两周：
模组方面：短期维持“中性”或“中偏软”研判，DDR2内存价格将维持区间（130元－150元）弱势盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破130元和涨过150元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们也维持“中性”或者“中偏软”的研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.00－1.15美金之间弱势区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.15美金。
目前局势不明朗的情况下，我们建议暂时维持观望，库存应该维持合理库存，金士顿2GB DDR2价格一旦跌破135元附近即可适当提升仓位。
但是对于DDR2的中长线走势我们继续维持“中性”研判。
Nand Flash：
上周的Nand Flash的价格总体继续维持高位区间盘整走势，但是具到不同型号就涨跌互现。上游生产厂家依然严格控货，但终端需求却不佳，尤其是投机需求不敢入场和上游厂家对下半年需求有所期待的情况下，预计短期价格继续维持这种弱势盘整走势的机会较大。
Nand Flashh价格在目前的高位区间盘整了两个月，虽然目前的价格总体出现小幅下滑，但是价格基本上仍处于高位震荡的区间内。总体而言由于目前Flash厂家虽然依然严控出货数量，现货市场颗粒的库存水位相对不高的情况下，累计的下滑幅度并不大。由于目前的需求较差的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家未来的产能大小来决定，需求的变化不会太大。
未来一段时间的走势将会继续维持目前的偏软的盘整格局的机会偏大，即下跌压力加大，除非有预料之外的强劲需求出现，但是也不会大幅下跌。上游厂家对年底前的旺季仍有所寄托，因此短线大幅下跌的机会不大。
MicroSD市场上周价格总体呈现超跌反弹走势，其中低阶型号反弹幅度较大。显示出市场需求不佳的情况下，较为活跃的投机需求仍是影响价格短期波动的主要因素。但是考虑到山寨手机需求的下降，未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力，目前的反弹或许只是库存下降和投机炒作的结果。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。这段时间价格能够维持在区间内盘整两个月，一方面是Flash生产厂家减产，另一方面厂家是控制出货导致的，非需求因素导致。
由于本次价格上升是上游减产和控货导致的，一般都会有一个月左右的时间价格维持在高位盘整以达到出货的目的，这次也没有例外。在高位盘整一个月后，近一个月恰进价格有走软趋势也符合以往这规律，但是由于厂家的节制，走势到目前为止还没有不会像去年那样出现不可控的局面，下跌幅度不大。
考虑到全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。如果需求未能在第三季度得到有效改善，未来一段时间,Nand Flash的价格将可能会向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会正在增加。但是目前情况下不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
6月底和7月初走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,即向下突破的机会加大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来两周以内价格很大可能将会继续向下寻求支撑，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。
结论：
由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏软”的研判。
建议：由于价格已经处于危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！
上周市场情况汇总：
上周DDR2价格呈现小幅下滑走势，DRAM市场气氛开始趋于“中偏空”，投机气氛明显萎缩。由于力晶的出货导致市场的投机库存开始出逃和价格下滑，我们继续维持研判市场的状况处于“亚健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格暂时大跌或者大涨的可能性均不高。上周炒作指数维持在75水准（满分100分），由于价格的小幅下跌，市场关注度上升到85分水平附近，市场终端需求维持一般淡季水准，市场成交量维持在70分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现区间盘整走势。我们对于未来两周的价格走维持“中性”或者“中偏软”的研判。对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”或“中偏软”研判。市场的关注度维持在75分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到价格的反弹而有所活跃，总体需求没有根本改善，成交量维持70分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”或“中偏软”的机会偏大，风险评估为“中等”。

下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测