上周回顾及未来两周存储器走势分析

由于需求疲软和供大于求等原因，上周DDR2价格总体继续维势盘整走势。品牌内存2GB DDR2的价格均在132-143元之间的区间内盘整,但是价格总体较前一周轻微上扬。颗粒方面，白板1Gb DDR2 800轻微上扬至1.07-1.10美金区间附近展开盘整。DDR400下滑势头有所减弱,但是依然没有完全止跌的迹象。 上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持区间盘整走势。上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来市场价格的走向将会越来越多地取决于产能的大小,价格短期难以出现年初那样的涨势或者像去年那样的跌势。 上周MicroSD产品总体呈现小幅反弹走势。现货市场库存不多、上游控货和投机炒作活动的共同影响，导致了近期的价格反弹。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，需要强调的是目前大陆市场的好坏仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.06.29-2009.07.05)

由于需求疲软和供大于求等原因，上周DDR2价格总体继续维势盘整走势。品牌内存2GB DDR2的价格均在132-143元之间的区间内盘整,但是价格总体较前一周轻微上扬。颗粒方面，白板1Gb DDR2 800轻微上扬至1.07-1.10美金区间附近展开盘整。DDR400下滑势头有所减弱,但是依然没有完全止跌的迹象。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持区间盘整走势。上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来市场价格的走向将会越来越多地取决于产能的大小,价格短期难以出现年初那样的涨势或者像去年那样的跌势。
上周MicroSD产品总体呈现小幅反弹走势。现货市场库存不多、上游控货和投机炒作活动的共同影响，导致了近期的价格反弹。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，需要强调的是目前大陆市场的好坏仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.07.05-2009.07.19)

DDR400：

在现货市场DDR400需求渐趋萎缩，又没有明显的投机买盘出现的情况下，上周其价格继续偏软走势。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格跌至1.41美金附近盘整,但是白板的颗粒价格就跌至1.31美金的位置；DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系，品牌内存的价格也全面轻微走软。
4月份开始其销量急剧萎缩，这预示着其市场批发寿命已经接近终结，我们维持认为7月份开始，现货市场DDR400产品将会彻底结束批发时代，进入零售时代。
我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间是危险区域，目前价格已跌破1.50美金进入低度安全区域；而一旦跌破1.20美金后，价格就进入高度安全区域。
由于需求持续萎缩，未来短期DDR400价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌也将会呈现缓跌和可控的状态，大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中偏软”或“中性”的研判。目前风险仍处于中等级别，不宜追高。我们维持1.20美金附近才是安全区域的研判。
建议操作上，维持正常经营即可。目前的1.20至1.50美金之间区域也是中度危险区域，不宜投机和囤积DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现。1.20美金以下再关注不迟

DDR2：

形势分析：

受到DDR3价格小幅上扬和金士顿调高DDR2产品的价格的影响,上周所有品牌的DDR2内存价格均出现轻微上扬走势,但是幅度有限,价格基本上处于轻微偏强的区间盘整之中。
金士顿2GB内存成交价格上升到141元-143元之间。颗粒方面也出现轻微上扬态势，Hynix 1Gb DDR2 800等颗粒的价格上升到1.15美金附近展开盘整,白板颗粒的价格就上升到1.07美金附近。
多数商家对于后市持“中性”看法，市场气氛总体也呈现“中性”。虽然投机需求有所改善，但市场需求不佳的情况没有任何改变，我们认为上周市场的总体情况接近“健康”状态。
长期来讲，我们仍旧维持年初的判断，即减产不能从根本上解决供大于求这一难题。尽管市场供求关系趋于健康时间的点已经接近，但在没有新的DRAM厂家退出的情况下，DDR2产能过剩问题的仍需要到年底才会彻底解决。也就是说，DDR2产品的价格在今年不会出现供不应求的情况。所有这些判断主要基于目前的标准8位DRAM产品,尤其是DDR2和DDR400均仍处于供大于求的局面。
如果未来能够再有一到两家DRAM厂家退出标准DRAM市场，DRAM的价格无疑将会出现再次大幅上扬；否则大幅上扬的机会不大，除非出现三星强力拉升。
现货市场的DDR2需求仍然不佳，导致现货市场模组库存消化过慢。而力晶再次开始在现货市场出货的行为为市场带来一定压力，并使市场商家有所忧虑，而前期金士顿模组的代理价格跌破150元就是反应之一。考虑到目前市场内存和颗粒的平均水位下降到2周左右，外围颗粒市场的库存水位也轻微下降的实际情况，伴随着传统旺季地即将临近，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高。
随着盘整时间的增加、库存水位的缓慢下滑和旺季的来临，市场累计的风险正在一定程度上释放，我们认为这段时间的调整，市场总体情况已经逐步趋于健康。这波调整的时间已经在7月初结束，未来一段时间的价格将会轻微偏强盘整走势的机会较大。
下周的关注重点是7月份上旬的DDR2合约价格走势，因为上旬的合约价变化将是真实反映合约市场需求的好坏的一个重要指标，特别是6月份下旬合约价持平的情况下，这次合约价的变化尤其关键。如果合约价格不理想的话，未来就要以降低库存为主。
上周三星原装模组的价格继续坚挺和高过金士顿的价格，这预示着OEM市场的供求关系继续有所改善。但是目前我们对未来的OEM市场的需求能否持续改善目前仍不敢下肯定的结论。
预计短线1Gb DDR2 800颗粒的价格仍会在1.05-1.20美金之间的区域继续偏强盘整；而模组方面，2GB的价格将会在130元－150元之间展开强势盘整的机会较大。短线而言，2GB模组的价格一旦跌破140元就是难得的短线低价进货机会，而145元以上就是逢高获利了结的好时机。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM价格最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。预计未来两周的价格将会继续维持目前这种区间盘整走势的机会较大，目前的价格处于波段行情的反弹阶段，筑底已经在上一周结束。
操作上我们只要秉持维持合理库存的情况下，区间内逢低吸纳和逢高减磅的原则即可。需要强调的是短期DDR2的价格持续大幅下跌和大幅上扬的机会为零，区间震荡的机会较大。
另外，如果金士顿的价格在7月份继续维持目前的价位，那么就代表金士顿可能并不看好下半年的需求，并利用自己信息领先和品牌优势率先抛货，未来8月份的旺季需求也很大可能难有乐观表现，这个值得我们大家密切关注。

结论：

未来两周：

模组方面：短期改持“中性”或“中偏强”研判，DDR2内存价格将维持区间（130元－145元）弱势盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破130元和涨过150元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们也维持“中性”或者“中偏强”的研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.05－1.20美金之间轻微偏强区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.20美金。
尽管目前局势不明朗的情况下，但是由于未来的传统旺季即将来临，我们建议适当提升库存水位，但是一旦价格上扬就逐步减仓。
但是对于DDR2的长线走势我们继续维持“中性”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash的价格总体继续维持弱势区间盘整走势，但是具体到不同型号就涨少跌多，但是幅度有限。尽管终端需求却不佳，尤其是在投机需求不敢入场和上游厂家扩充产能相对节制并对下半年需求有所期待得情况下，预计在旺季没有到来前，短期价格继续维持这种弱势盘整走势的机会较大。
Nand Flash价格在目前的高位区间盘整了三个月多了，虽然目前的价格总体出现了小幅下滑态势，但是价格基本上仍处于高位震荡的区间内。由于目前Flash厂家虽然依然严控出货数量，现货市场颗粒的库存水位相对不高的情况下，累计的下滑幅度并不大。目前的需求较差的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家未来的产能大小来决定，预计未来需求的变化不会太大。
未来一段时间将会继续维持目前的弱势盘整格局的机会偏大，即下跌压力逐步加大，除非有预料之外的强劲需求出现，但是也不会大幅下跌。上游厂家对年底前的旺季需求仍有所期盼，并且厂家在扩充产能上较为节制，价格到目前为止还没有不会像去年那样出现不可控的局面。我们维持短线大幅下跌的机会不大的研判，同时也不会大幅上涨。
消息面,中国联通有可能与美国苹果公司就引进iPhone手机一事达成协议,最快将会于今年的第四季度在中国销售,这无疑将会对Flash的价格形成支持作用。至少在心里层面是这样的。
尽管需求不佳，但受到上游控货和市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场上周价格总体呈现小幅反弹走势。但是考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力，目前的反弹仍是短期供求关系影响的。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。这段时间价格能够维持在区间内盘整两个月，一方面是Flash生产厂家减产，另一方面厂家是控制出货导致的，非需求因素导致。
但是考虑到全部Nand Flash厂家对于减产已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。如果需求未能在第三季度得到有效改善，未来一段时间,Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会还是偏大的。但是目前的时间点不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
7月份开始Flash的走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,我们认为向下突破的机会偏大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。需要说明的是厂家仍看好后市。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来两周以内价格很大可能将会继续向下寻求支撑，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏软”的研判。
MicroSD的价格虽然近期有所走强，但是我们依旧维持“中性”和“中偏空”的研判。
建议：由于价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！

DDR3：

由于目前在现货市场DDR3需求仅占极小的份额，虽然价格上周价格出现了上升，但是相信对现货市场的影响不及OEM市场大。总体而言，今年年底在现货市场，DDR3前仍是处于启动阶段，尤其是第三季度的DDR3需求有限。
我们预计DDR3的价格多受到OEM市场需求的影响，和现货市场的关系并不大。但是至少在7月份底前DDR3的价格维持偏强走势的机会偏大。
考虑到DDR3需求有限，不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格呈现偏强盘整走势，DRAM市场气氛维持“中性”，投机气氛不浓。由于需求疲软和供大于求，我们继续维持研判市场的状况仍处于“亚健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格暂时大跌或者大涨的可能性均不高。上周炒作指数维持在75水平（满分100分），由于价格的轻微上扬，市场关注度轻微上升到80分水平，市场终端需求维持一般淡季水准，市场成交量维持在70分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现弱势区间盘整走势。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”或者“中偏软”的研判。
虽然价格出现反弹，但是对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”或“中偏软”研判。市场的关注度上升到80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格反弹而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量维持70分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”或“中偏软”的机会偏大，风险评估维持“中等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	130-150	轻微偏强区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	145-180	弱势盘整走势

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.05-1.20	轻微偏强区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.25-1.50	弱势盘整走势