上周回顾及下周存储器走势分析

上周现货市场需求依然一般,市场较为平静，只是周末出现少许需求。DDR2价格总体继续维势盘整走势,尾盘由于市场预期下旬合约价格可能上扬而出现轻微上扬。品牌内存2GB DDR2的价格继续在133-143元之间的区间内盘整。颗粒方面，白板1Gb DDR2 800呈现先跌后升的区间盘整走势,价格在1.06-1.11美金之间的区间展开盘整。DDR400价格似乎有企稳的迹象,但是依旧维持弱势盘整走势。 上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持弱势区间盘整走势,价格总体有所下滑。上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来市场价格的走向将会越来越多地取决于产能的大小。由于近期产能有所加大,近期颗粒价格近期缓慢下跌走势没有变化。 上周MicroSD产品总体呈现区间震荡走势。价格总体稳定。尽管上游仍在控货,但是由于需求不足相信短期价格难有好的表现。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，需要强调的是目前大陆市场的好坏仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.07.13-2009.07.19)

上周现货市场需求依然一般,市场较为平静，只是周末出现少许需求。DDR2价格总体继续维势盘整走势,尾盘由于市场预期下旬合约价格可能上扬而出现轻微上扬。品牌内存2GB DDR2的价格继续在133-143元之间的区间内盘整。颗粒方面，白板1Gb DDR2 800呈现先跌后升的区间盘整走势,价格在1.06-1.11美金之间的区间展开盘整。DDR400价格似乎有企稳的迹象,但是依旧维持弱势盘整走势。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持弱势区间盘整走势,价格总体有所下滑。上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，在现货市场的库存有限和需求不佳的情况下，未来市场价格的走向将会越来越多地取决于产能的大小。由于近期产能有所加大,近期颗粒价格近期缓慢下跌走势没有变化。
上周MicroSD产品总体呈现区间震荡走势。价格总体稳定。尽管上游仍在控货,但是由于需求不足相信短期价格难有好的表现。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，需要强调的是目前大陆市场的好坏仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.07.20-2009.08.02)

DDR400：
在现货市场DDR400需求继续逐步萎缩和投机买盘缩手的情况下，由于目前DDR400的价格接近DRAM厂家的成本区上沿，上周其价格表现为弱势区间盘整走势，尾市价格有所企稳。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格在1.38美金附近盘整,但是白板的颗粒价格就在1.35美金附近展开盘整。DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系，品牌内存的价格继续全面轻微走软。
今年4月份开始DDR400销量急剧萎缩，近一段时间价格一直呈现缓慢地震荡下跌的态势，预示着其市场批发寿命已经接近终结。我们维持认为7月份开始现货市场DDR400产品将会彻底结束批发时代，进入零售时代。
由于从标准DRAM淘汰被出局的一些DRAM厂家，均转产以利基型的DDR400为主，据此我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间是危险区域，目前价格已跌破1.40美金进入低度安全区域；而一旦跌至1.20美金附近或以下，价格就进入高度安全区域。
由于需求持续萎缩，未来短期DDR400价格仍有回调余地，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌仍将会呈现缓跌和可控的状态，大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。
结论：
对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中性”或“中偏软”的研判。目前风险仍处于中等级别，不宜追高。我们维持1.20美金附近才是安全区域的研判。
操作上建议维持正常经营即可，但是由于价格接近安全区域，可以轻微加大库存，以因应随时可能出现的小反弹。目前的1.20至1.50美金之间区域也是中度危险区域，不宜投机和囤积DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现；1.20美金附近才是安全区域。

DDR2：

形势分析：
现货市场的DDR2需求继续疲软，而库存又多集中在中上游商家和厂商手中，也就是说颗粒库存的水位明显大于内存的水位，因此上周大部分时间颗粒价格下跌压力明显大于内存，颗粒价格轻微下滑后，尾市受到合约市场需求可能回温等消息的刺激，价格反弹到价格震荡区间的中枢；品牌DDR2内存价格就维持区间盘整,尾市也轻微反弹,价格总体上处于既有区间内盘整。
具体走势方面，金士顿2GB内存成交价格在139-143元之间盘整，尾市反弹至接近143元附近盘整。颗粒方面也是先轻微下跌然后又轻微反弹，Hynix 1Gb DDR2 800等颗粒的价格最低跌到1.10美金，然后又反弹回1.13美金附近展开盘整；白板颗粒的价格则是先跌1.06美金后又反弹到1.10美金附近盘整。
多数商家对于后市持“中性”看法，市场气氛总体也呈现“中性”。受到合约市场回温消息的刺激，部分商家对后市的看法较为情绪化，他们的看法也有所转变，转持“中偏多”。投机需求轻微回温，但市场需求不佳的情况没有任何改变。如果以投机需求来评估，我们认为上周市场的总体情况接近“健康”状态。
长线来讲，我们仍旧维持年初的判断，即减产不能从根本上解决供大于求这一难题。尽管市场供求关系趋于健康时间的点已经接近，但在没有新的DRAM厂家退出的情况下，DDR2产能过剩问题的仍需要到年底才会彻底解决。也就是说，年底前DDR2产品的价格不会出现供不应求的情况，因为目前的标准8位DRAM产品中DDR2和DDR400产能仍大和均供大于求。
由于台湾力晶已经获得包括金士顿和力成在等厂家的1.25亿美金的资金援助,因此年底前退出标准DRAM市场的可能性已经没有，鉴于此,我们维持年底前DDR2的“中性”研判。
中短期而言现货市场的DDR2库存继续得到消化，目前市场的库存多集中在上游厂商手里。考虑到目前现货市场内存库存水位只有一周多和颗粒库存水位不到3周的现实，伴随着传统旺季地即将临近，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高。
随着盘整时间的增加、库存水位的缓慢下滑和旺季的来临，市场累计的风险正在一定程度上释放，我们认为通过这段时间的调整，现货市场总体情况已经逐步趋于健康。但是这并不意味着价格将大幅度上涨，目前最好的情况就是轻微或者小幅上扬。而上旬合约价格的不佳预示着短期价格仍将继续维持在业已形成的区间内盘整，在操作上可以适当逢低吸纳和提升库存水位，价格一旦反弹就应以减仓操作为主。
上周虽然三星和海力士原装2GB内存的价格价格轻微走软，但就继续高过金士顿的价格约2.50美金以上。三星和海里价格走势保持相对强势，但目前我们对未来的OEM市场的需求能否持续改善目前仍不敢下肯定的结论，因为DDR2合约价格继续走强的机会有但是空间就有限。
预计短线1Gb DDR2 800颗粒的价格仍会在1.05-1.20美金之间的区域继续区间盘整；而模组方面，2GB的价格将会在130元－150元之间展开区间盘整的机会较大。短线而言，KST 2GB模组的价格一旦跌破140元就是难得的短线逢低进货机会，而145元以上就是逢高获利了结的好时机。
    需要强调的是，时间依然是这次DRAM价格最终反转唯一关键的因素，其它因素某种程度上都是由时间来解决的。预计未来两周的价格将会继续维持目前这种区间盘整走势的机会较大。
下周DRAM7月份下旬合约价格将会出台，一般市场人士预计DDR2合约价格维持窄幅盘整或者轻微上扬的几率较大，跌的机会很小。
操作上我们建议区间内逢低吸纳和逢高减磅的原则下，提升适当库存水位的防御性策略。 和三星价格变化一样重要的是金士顿的价格变化，因为现货市场的内存价格走势更多地取决于金士顿价格的变化。
下周合约价格、三星态度的变化和金士顿价格的变化将会共同决定未来8月份的价格走向，其中三个因素的关键仍是三星的态度。
结论：
未来两周：
模组方面：短期继续维持“中性”研判，DDR2内存价格将维持区间内（130元－150元）盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破130元和涨过150元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们持“中性”或“中偏强”的研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.00－1.20美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.20美金。
尽管目前局势不明朗的情况下，考虑到未来的传统旺季即将来临，我们建议逢低适当提升库存水位（提升库存5天左右），但是一旦价格反弹就逐步减仓。
但是对于DDR2的长线走势我们继续维持“中性”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash的价格总体继续维持弱势区间盘整走势，价格总体走软，但是幅度相对有限。终端需求总体不佳、投机需求不敢大量入场、上游厂家由于在目前价位上有利可图和对旺季需求有所期待开始扩充产能等因素影响下，我们预计在旺季来临前暂时上游厂家没有低价抛货的意愿，因此短期价格继续维持这种弱势盘整走势的机会较大。
Nand Flash价格在目前的高位区间盘整了接近四个月了，虽然目前的价格总体出现了缓慢震荡下滑态势，但是价格基本上仍处于区间内高位震荡。由于目前Flash厂家都竭力避免去年的价格暴跌情况出现，而现货市场颗粒的库存水位相对不高等原因共同导致了在年初价格反转后总体的累计的下滑幅度不大。
我们认为在目前的需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由未来上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升可能帮助不如预期的那么好，因此预计未来需求的变化不会太大。
长线将会继续维持目前的弱势盘整格局的机会偏大，即下跌压力逐步加大，除非有预料之外的强劲需求出现，但是也不会大幅下跌。但是中短期考虑到传统旺季即将来临，上游厂家对年底前的旺季需求也有所期盼，厂家在扩充产能上较为节制等因素。我们维持短线大幅下跌的机会不大的研判，但也不会大幅上涨。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。这段时间价格能够维持在高位弱势盘整四个月作于，一方面是Flash生产厂家对后市有所期待，另一方面厂家是控制出货导致的，并非需求因素导致。
但是考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价于合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。如果需求在第三季度内未能得到有效改善，未来一段时间Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会还是偏大的。但是目前的时段不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
第三季度Flash的走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,我们认为向下突破的机会偏大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。需要说明的是目前厂家仍看好后市，因此短期价格仍会反复。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来两周以内价格很大可能将会继续向下寻求支撑，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场前期价格出现小幅反弹后，上一周价格维持高位盘整走势。但是考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力，前期的期望反弹仍是短期供求关系波动，造成的供求失衡造成，并非供求关系发生了根本变化。

结论：
由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏空”的研判。
MicroSD的价格虽然近期有所走强，但是我们依旧维持“中性”和“中偏空”的研判。
建议：由于价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！

DDR3：

由于目前在现货市场DDR3需求仅占极小的份额，虽然DDR3颗粒价格在前一周价格又出现了上升，但是由于现货市场需求不大，价格上升对于现货市场的总体影响不大。总体而言，年底前在现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第三季度现货市场的DDR3需求有限。
但是OEM市场需求正在逐步增加，OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大，而和现货市场的关系并不大。我预计至少在7月份底前DDR3的价格总体会维持偏强走势的机会偏大。
考虑到DDR3需求有限，不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格呈现偏强盘整走势，DRAM市场气氛维持“中性”，投机气氛有所增强。由于需求疲软和供大于求，我们继续维持研判市场的状况总体仍处于“亚健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格暂时大跌或者大涨的可能性均不高。上周炒作指数上升到80水平（满分100分），由于价格的轻微反弹，市场关注度上升到80分水平，市场终端需求维持一般淡季水准，市场成交量上升80分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现弱势区间盘整走势。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”或者“中偏软”的研判。
MicroSD价格继续维持盘整，但是对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”或“中偏软”研判。市场的关注度维持在80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格波动而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量维持70分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”或“中偏软”的机会偏大，风险评估维持“中等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	135-150	轻微偏强区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	145-170	盘整走势

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.05-1.20	轻微偏强区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.25-1.45	盘整走势