上周回顾及下周存储器走势分析

上周现货市场明显受到上游锁货和投机需求回温的影响,尽管终端市场一般，但是DDR2价格总体维持震荡反弹走势,尾盘DDR400也受到影响跟随反弹。尾市品牌内存2GB DDR2的成交价格落在140-150元之间的区间。颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾市价格最终上升到1.19美金附近。Hynix DDR400 512Mb则反弹至1.44美金附近。 上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持弱势区间盘整走势,高阶颗粒价格总体有所下滑，低阶颗粒价格则出现总体上扬。在现货市场的库存有限和旺季增温预期的情况下，上游生产厂家仍然掌握着“话语权”。 由于现货市场的库存水位较低，上游重新掌握定价的主导权，上周MicroSD产品总体呈现偏强的区间震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，目前大陆市场的好坏仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.07.20-2009.07.26)

上周现货市场明显受到上游锁货和投机需求回温的影响,尽管终端市场一般，但是DDR2价格总体维持震荡反弹走势,尾盘DDR400也受到影响跟随反弹。尾市品牌内存2GB DDR2的成交价格落在140-150元之间的区间。颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾市价格最终上升到1.19美金附近。Hynix DDR400 512Mb则反弹至1.44美金附近。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续维持弱势区间盘整走势,高阶颗粒价格总体有所下滑，低阶颗粒价格则出现总体上扬。在现货市场的库存有限和旺季增温预期的情况下，上游生产厂家仍然掌握着“话语权”。
由于现货市场的库存水位较低，上游重新掌握定价的主导权，上周MicroSD产品总体呈现偏强的区间震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，目前大陆市场的好坏仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.07.27-2009.08.09)

DDR400：

上周尾市DDR400价格的反弹基本上可以判断为并非真实的供求关系的反映，人为拉升的迹象明显。
在现货市场DDR400需求正继续逐步萎缩并且投机买盘缩手的情况下，上周初DDR400的价格已经跌至DRAM厂家的成本区上沿。为了避免价格继续下跌和跌破厂家成本价，厂家借助DDR2价格上扬的契机，尾市趁机锁货拉升价格。其中Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格由最低1.32美金反弹至1.44美金附近。DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系，品牌内存的价格继续全面反弹。
由于从标准DRAM淘汰被出局的一些DRAM厂家，均转产以利基型的DDR400为主，据此我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间仍是危险区域，价格一旦跌破1.40美金就进入低度安全区域；而一旦跌至1.20美金附近或以下，价格就进入高度安全区域。
由于需求持续萎缩，未来短期DDR400价格下跌的机会仍较大，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌仍将会呈现缓跌和可控的状态，大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中性”的研判。目前风险出现上升，升至中偏高级别，不宜追高。我们维持1.20-1.40美金区间为低度安全区域，1.20美金才是高度安全区域的研判。
上周我们建议操作上维持正常经营即可，但是由于价格接近安全区域，可以轻微加大库存，以因应随时可能出现的小反弹。
下周的操作建议是，由于周末的价格处于1.40美金至1.50美金之间区域，这个价位已经是中等危险区域，建议正常经营即可。
不宜大量投机DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现；1.20美金附近才是安全区域。

DDR2：

形势分析：

尽管现货市场的DDR2供求关系仍供大于求的情况下，但上游厂家憧憬第三季度旺季需求可能增温。由于价格持续低位盘整导致下游商家持续减仓，并且下游库存水位有限；而上游厂家敏锐地抓住这个机会借助锁货来拉升价格，以达到拉高价格减少亏损甚至盈利的目的。
具体走势方面，尾市金士顿2GB DDR2内存成交价格在148-152元之间盘整。颗粒方面Hynix 1Gb DDR2 800等颗粒的价格则攀升到1.19美金附近。尾市高位成交量一般。
多数商家对于后市持“中性”或“中偏多”看法，市场气氛总体呈现审慎乐观，商家操作上较为谨慎。受到合约市场回温消息的刺激，部分商家对后市的看法较为情绪化，他们的看法也有所转变，转持“中偏多”。投机需求轻微回温，与往年同期比较市场需求不佳的情况没有任何改变。如果以投机需求来评估，我们认为上周市场的总体情况接近“健康”状态。
长线来讲，我们仍旧维持年初的判断，即减产不能从根本上解决供大于求这一难题。尽管市场供求关系趋于健康时间的点已经接近，但在没有新的DRAM厂家退出的情况下，DDR2产能过剩问题的仍需要到年底才会彻底解决。也就是说，年底前DDR2产品的价格不会出现供不应求的情况，因为目前的标准8位DRAM产品中DDR2和DDR400产能仍维持均供大于求。
力晶尽管已经获得包括金士顿和力成在等厂家的1.25亿美金的资金援助,但是如果后续没有新的资金注入，退出标准DRAM市场似乎仍在所避免。
中短期而言现货市场的DDR2库存继续得到消化，目前市场的库存多集中在上游厂商手里。考虑到目前现货市场内存库存水位只有一周多和颗粒库存水位不到3周的现实，伴随着传统旺季地即将临近，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高，但是运行的震荡区间将会上移。
基于以上介绍的基本面，我们维持认为目前的价格走势还是区间震荡行情，品牌2GB运行的大区间是140-160元；但是金士顿的运行区间略高一点，在145元-158元之间，目前的价格已经运行到150元附近。换句话讲，目前的价格继续上扬的空间有限，大约最多也就不到10元。
8月中旬后需要注意价格可能出现的变化，即下跌的机会加大。

结论：

未来两周：

模组方面：短期继续维持“中性”研判，DDR2内存价格将维持区间内（140元－160元）盘整走势的机会较大，一般而言不会跌破140元和涨过160元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们改持“中性”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.15－1.30美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时没有机会涨过1.30美金。
我们建议KST 150元（颗粒1.20美金）以上逢高逐步减仓，正常经营即可，KST 155元以上维持最低库存即可。
对于DDR2的长线走势我们继续维持“中性”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash总体继续维持弱势区间盘整走势，价格涨跌互现，高阶轻微走软，低阶轻微走强，但是幅度均相对有限。
终端需求总体不佳、投机需求不敢大量入场、上游厂家由于在目前价位上有利可图和对旺季需求增温有所期待开始扩充产能等因素影响下，我们预计在旺季来临前暂时上游厂家没有低价抛货的意愿，因此短期价格继续维持这种区间弱势盘整走势的机会较大。
Nand Flash价格在目前的高位区间盘整了接近四个月了，虽然目前的价格总体出现了缓慢震荡下滑态势，但是价格基本上仍处于区间内高位震荡。由于目前Flash厂家都竭力避免去年的价格暴跌情况出现，而现货市场颗粒的库存水位相对不高等原因共同导致了年初价格反转后至今累计的下滑幅度并不大。
我们认为在目前的需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升可能帮助不如预期的那么好，因此预计未来需求的变化不会太大。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。长线将会继续维持目前的弱势盘整格局的机会偏大，即下跌压力逐步加大，除非有预料之外的强劲需求出现，但是也不会大幅下跌。但是中短期考虑到传统旺季即将来临，上游厂家对年底前的旺季需求也有所期盼，厂家在扩充产能上较为节制等因素。我们维持短线大幅下跌的机会不大的研判，但也不会大幅上涨。
考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价在合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。但如果需求在第三季度内未能得到有效改善，未来一段时间Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会还是偏大的。但目前的时段不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
第三季度Flash的走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,我们认为向下突破的机会偏大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。需要说明的是目前厂家仍看好后市，因此短期价格仍会反复。
长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，未来两周以内价格很大可能将会继续向下寻求支撑，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场前期价格出现小幅反弹后，上一周价格维持高位盘整走势。但是考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力，前期的期望反弹仍是短期供求关系波动，造成的供求失衡造成，并非供求关系发生了根本变化。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏空”的研判。
MicroSD的价格虽然近期有所走强，但是我们依旧维持“中性”和“中偏空”的研判。
建议：由于价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！
DDR3：
由于目前在现货市场DDR3需求仅占极小的份额，虽然DDR3颗粒价格在前一周价格又出现明显地小幅上升，但是由于现货市场需求不大，价格上升对于现货市场的总体影响不大。总体而言，年底前在现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第三季度现货市场的DDR3需求有限。
但是OEM市场需求正在逐步增加，OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大，而和现货市场的关系并不大。我预计DDR3的价格的偏强走势最多维持到8月中旬。
考虑到DDR3需求有限，不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格呈现偏强盘整走势，DRAM市场气氛维持“中性偏强”，投机气氛有所增强。由于需求疲软和供大于求，我们继续维持研判市场的状况总体仍处于“亚健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格暂时大跌或者大涨的可能性均不高。上周炒作指数维持在80水平（满分100分），由于价格的轻微反弹，市场关注度上升到80分水平，市场终端需求由于价格上扬而好转，市场成交量上升80分附近，目前市场仍处于供大于求约5%左右，是今年以来最接近供求平衡的时间。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现弱势区间盘整走势。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”或者“中偏软”的研判。
MicroSD价格继续维持偏强盘整，但是对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”或“中偏软”研判。市场的关注度维持在80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格波动而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量维持70分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”或“中偏软”的机会偏大，风险评估维持“中等”。
 

下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	140-160	轻微偏强区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	145-170	轻微偏强盘整走势

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.15-1.25	轻微偏强区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.35-1.55	轻微偏强盘整走势