上周回顾及下周存储器走势分析

DDR2：

形势分析：

具体上周走势方面，尾市金士顿2GB DDR2内存成交价格在155-158元之间盘整，尾市由于获利回吐价格轻微走软，导致成交量一般。颗粒方面Hynix 1Gb DDR2 800等颗粒的价格则攀升到1.29美金附8盘整，但是价格基本并未出现明显的回调。
多数商家对于后市持“中性”或“中偏多”看法，市场气氛总体呈现审慎乐观，商家操作上较为谨慎。我们认为上周市场的总体情况接近“健康”状态。
台湾DRAM生产厂家力晶尽管已经获得包括金士顿、力成和日月光等厂家的资金援助,但是如果后续没有新的资金注入，将会导致没有资金提升制程和购买设备投入下一代产品DDR3的生产，最终退出主流标准DRAM市场似乎仍在所避免，。
我们多次强调，长线来讲减产不能从根本上解决供大于求这一难题。近期也不断强调目前的市场供求关系趋于健康，但在没有新的DRAM厂家退出的情况下，DDR2产能过剩问题的仍需要到年底前才会彻底解决。也就是说，年底前DDR2产品的价格不会出现供不应求的情况，但是将会逐步实现供求平衡；由于供求关系接近平衡，不排除个别时段由于上游控货出现供小于求的情况，毕竟目前的供求关系已经接近平衡。
去年以来DDR2持续供大于求，产品价格持续低于制造成本和变动成本，导致生产厂家由于资金匮乏而被迫持续减产。由于价格长时间在低位徘徊，直接导致了下游库存水位又不断降低。由于憧憬第三季度旺季需求可能增温，上游DRAM厂家敏锐地抓住了这个机会借助锁货和各种利好消息来拉升价格，以达到少亏损甚至盈利的目的，应该讲这个目的已经初步接近达到。只是目前来讲1.30美金的价格并不是很稳固，因此我们预计在8月份上旬合约价没有出台前，DRAM厂家还是会锁货拉升价格的既定策略不变。
中短期而言，由于外围市场价格高于大陆市场价格，导致现货市场积累的DDR2库存继续得到消化，库存水位进一步下降。目前现货市场的库存多集中在上游厂商手里，而非中下游。考虑到目前大陆现货市场内存库存水位只有一周多，而颗粒库存水位不到2周的现实，伴随着传统旺季地即将临近，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高，短期价格运行区间仍有较高的机会继续上移。
基于以上介绍的基本面，我们维持认为目前的价格走势还是区间震荡行情，品牌2GB运行的大区间是145-165元；但是金士顿的运行区间略高一点，在150元-165元之间，目前的价格已经运行到155元附近。换句话讲，目前的价格继续上扬的空间有限，大约最多也就不到10元。
需要强调的是，一旦KST 2GB DDR2运行区间如果突破165元，那就彻底突破今年以来的最高点。只是突破的时间点比较关键，如果8月中旬前突破，将有机会挑战180元关卡；但是在8月底前如果价格不能连续上扬并有所突破前期高点（164元）的话就要清仓退出。
8月中下旬需要密切注意价格可能出现的变化，我们预期到时走软的机会将会加大。但是由于供应减少，到时即使出现下跌，幅度也不会大。

结论：

未来两周：

模组方面：短期维持“中性”或“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（145元－165元）区间内强势盘整的机会较大，一般而言不会跌破145元和涨过165元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们改持“中性”或“中偏强”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.20－1.35美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过1.35美金的机会不大。
我们建议在KST 2GB 160元以上时，正常经营即可，维持最低库存即可。尤其要注意15号左右的走势。
对于DDR2的长线走势我们改持“中性”和“中偏强”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持偏强的区间盘整走势，价格涨跌互现，高阶价格维持窄幅区间窄幅盘整走势；低阶价格则继续小幅走强。
Flash市场终端需求总体不佳导致投机需求不敢大量入场和现货市场库存相对不高；目前的售价已经高于厂家的变动成本也促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。但是由于上游厂家对旺季需求增温有所期待等因素影响下，我们预计在旺季来临前上游厂家暂时也没有低价抛货的急迫性，因此短期价格继续维持这种偏强区间盘整走势的机会较大，具体走势涨跌互现，但是总体偏强的机会较高。
我们认为在目前需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升可能帮助不如预期的那么好，因此预计未来需求的变化不会太大。即使出现上扬，例如近期的价格走强，更多地还是由于上游减产或者控货导致的，目前来看上升的机会加大，但是变数依然较大，维持不宜大量投机的建议。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价在合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大。
中短期考虑到传统旺季即将来临，上游厂家对年底前的旺季需求也有所期盼，厂家在扩充产能上较为节制等因素。我们维持短线大幅下跌的机会不大的研判，但也不会大幅上涨，维持偏强盘整的机会较大。如果需求在第三季度内未能得到有效改善，中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会还是偏大的。但目前的时段不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
第三季度Flash的走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,我们认为中线向下突破的机会偏大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。需要说明的是目前厂家仍看好后市，因此短期价格仍会反复。
但是未来两周以内价格很大可能将会维持强势，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场前期价格出现小幅反弹后，临近周末出现下跌，显示市场的投机气氛较为活跃。但是考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力，前期的反弹仍是短期供求关系波动，造成的供求失衡造成，并非供求关系发生了根本变化，缺货只是暂时现象，预计9月份就会彻底改观。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏强”的研判。
MicroSD的价格虽然近期有所走强，但是我们依旧维持“中性”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！

DDR3：

由于目前在现货市场DDR3需求仅占极小的份额，虽然DDR3颗粒价格在前一周价格又出现明显地小幅上升，但是由于现货市场需求不大，价格上升对于现货市场的总体影响不大。总体而言，年底前在现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第三季度现货市场的DDR3需求有限。
但是OEM市场需求正在逐步增加，OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大，而和现货市场的关系并不大。我预计DDR3的价格的偏强走势最多维持到8月中旬。
考虑到现货市场DDR3的需求有限，不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。

上周市场情况汇总：

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测