上周回顾及下周走势分析

上周现货市场DDR2价格总体呈现先冲高回落，而后高位震荡走势,尾盘价格逐步企稳,市场气氛由轻微乐观转趋审慎乐观。DDR400价格总体继续轻微走软,价格尾盘下跌企稳加快。收盘时品牌2GB DDR2内存的成交价格落在169元附近盘整，金士顿维持在170元附近盘整。颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾市价格在1.42美金附近。Hynix DDR400 512Mb则逐步回落到1.45美金附近在展开盘整。 上周Nand Flash颗粒价格总体继续呈现偏强走势,具体而言高阶颗粒价格呈现偏强的窄幅盘整走势，中低阶颗粒价格继续小幅反弹走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期的情况下，未来短期上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。 由于现货市场的库存水位较低，上游重新掌握定价的主导权。在上游锁货和下游投机炒作热烈的带动下，上周MicroSD产品总体呈现偏强高位宽幅震荡，尾市价格再次出现反弹。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆市场的好坏长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.08.10-2009.08.16)

上周现货市场DDR2价格总体呈现先冲高回落，而后高位震荡走势,尾盘价格逐步企稳,市场气氛由轻微乐观转趋审慎乐观。DDR400价格总体继续轻微走软,价格尾盘下跌企稳加快。收盘时品牌2GB DDR2内存的成交价格落在169元附近盘整，金士顿维持在170元附近盘整。颗粒方面，Hynix 1Gb DDR2 800尾市价格在1.42美金附近。Hynix DDR400 512Mb则逐步回落到1.45美金附近在展开盘整。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续呈现偏强走势,具体而言高阶颗粒价格呈现偏强的窄幅盘整走势，中低阶颗粒价格继续小幅反弹走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期的情况下，未来短期上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。
由于现货市场的库存水位较低，上游重新掌握定价的主导权。在上游锁货和下游投机炒作热烈的带动下，上周MicroSD产品总体呈现偏强高位宽幅震荡，尾市价格再次出现反弹。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆市场的好坏长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.08.17-2009.08.30)

DDR400：

上周DDR400价格呈现小幅下跌势,市场需求一般,投机需求主要集中在T卡市场上。现货市场DDR400需求逐步萎缩，而投机买盘也缩手,只是厂家短期仍然会努力维持价格稳定在1.40美金附近。
上周尾市Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格轻微下跌至1.45美金附近,但是白板512Mb颗粒的价格就跌破1.40美金关卡。DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系，品牌内存的价格也出现轻微回调。
由于从标准DRAM淘汰被出局的一些DRAM厂家，均转产以利基型的DDR400为主，据此我们维持以下的研判，512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间仍是危险区域，价格一旦跌破1.40美金就进入中度安全区域；而一旦跌至1.20美金附近或以下，价格就进入高度安全区域。
由于DDR400需求持续萎缩，未来短期DDR400价格走软的机会仍较大，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌仍将会呈现缓跌和可控的状态，大幅下滑的机会并不大，短期跌破1美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中性”或“中偏软”的研判。目前风险级别处于中偏低，但仍不宜盲目加仓。
我们维持认为Hynix 512Mb DDR400 价格在1.20-1.40美金区间为中度安全区和1.20美金以下为高度安全区域的研判。
下周的操作建议是，由于周末的价格处于1.40美金附近区域，这个价位已经是中度安全区域，但是仍维持正常经营建议，可适当轻微加大库存。
目前不宜大量投机DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现；1.30美金附近或以下才是目前相对安全区域。

DDR2：

形势分析：
上周DDR2内存走势方面，金士顿2GB DDR2内存成交价格走势呈现冲高回落后逐步企稳态势，尾市价格稳定在170元附近。商家的补货需求和投机需求在前一周周末和上周初得到了集中释放，并直接导致了周初价格的走强，但是随后市场的获利盘涌出,获利回吐有直接导致价格在周末出现回调。DDR2颗粒方面Hynix 1Gb DDR2 800价格尾市回调到1.43美金附近盘整，最低时跌至1.38美金，这是近期价格反弹后出现的首次明显回调。
现货市场多数商家对于后市持“中性”或“中偏多”看法，市场气氛总体呈现审慎乐观，但商家操作上仍相对谨慎。我们维持市场的总体情况接近“健康”状态的研判。
目前中、上游厂家和商家多数均看好未来DDR2的走势，其主要论据是：
1） DRAM厂家大幅减产。
2） 部分厂家由于资金拮据而被迫变相减产。
3） 部分厂家转产DDR3，导致DDR2产能减少。
4） 部分厂家（华亚等）即将转换升级制程，导致产能下降。
5） 第三季度旺季需求被看好。

我们维持长线来讲减产不能从根本上解决供大于求这一难题，归结到一句话，产能过剩的问题在DDR2为主流的时代不太可能彻底解决。年底前DDR2产品的价格不会出现供不应求的情况，但是将会逐步实现供求平衡；由于供求关系接近平衡，不排除个别时段由于上游控货出现供小于求的情况出现，目前的价格小幅快速反弹情况就是因此导致的。
中短期而言，由于目前的颗粒价格已经高于或者接近厂家的变动成本价格，未来一段时间供应将会逐步增加。外围市场价格高于大陆市场价格，导致现货市场积累的DDR2库存继续得到消化，库存水位进一步下降。目前现货市场的库存多集中在上游厂商手里，而非中下游。考虑到目前大陆现货市场内存库存水位只有一周左右，而颗粒库存水位一周多的现实，伴随着传统旺季的来临，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高，短期价格运行区间仍有机会上移，但是空间相对就有限。
同时市场累计的风险正在逐步增加，主要有以下几个风险：
1） 现货市场的DDR3的需求大不如预期，DDR3的价格已经能够开始回调，如果其价格继续回跌将会对DDR2的价格构成压力，并导致厂家转产回来生产DDR2。
2） 从目前的情况来看，市场的旺季需求开始阶段似乎并不如预期的好。未来在8月底如果需求未能有效改善，不排除外围一些先知先觉的部分投机库存抢先套利抛货。
3） 大陆市场的库存仍然高达10天左右，一旦需求不好或者价格有迹象走软，将会导致市场补货需求短期全面停滞，并引起连锁反应。
基于以上现货市场基本面，短期我们维持DDR2价格走势已经超过区间震荡行情，进入了小反转行情，但是风险也开始加大。未来两周品牌内存2GB运行区间将会继续上移到160-190元；而金士顿的运行区间维持在165元-190元之间。目前2GB品牌内存总体的价格已经运行到165-170元之间的区间。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，开始作出风险的预警提示，建议在8月底或者最迟9月中旬前逢高减磅逐步降低库存至合理库存水位！
考虑到力晶将在8月份下旬开始出货，8月中下旬需要密切注意价格可能出现的变化，我们预期到时轻微走软的机会将会加大。但是由于供应相对减少，到时即使出现下跌，幅度也不会大。
结论：
未来两周：
首先我们认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高，8月底前、最迟9月中旬前反弹将会结束。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（160元－185元）区间内强势盘整的机会较大，一般而言不会跌破160元和涨过185元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们维持“中性”或“中偏强”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.35－1.55美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过1.55美金的机会不大。
由于KST 2GB已经涨到170元附近，我们建议维持正常经营并逐步降低库存，风险已经开始明显加大。操作上8月底前、最迟9月中旬前以减仓为主并逐步降低库存至合理水位。
鉴于目前价格已经上升至厂家成本区附近，对于DDR2的长线走势我们维持“中性”研判。
Nand Flash：
上周的Nand Flash价格总体维持偏强的区间盘整走势，高阶颗粒价格维持轻微偏强窄幅区间盘整走势；低阶颗粒价格则继续小幅上扬态势。
一方面Flash市场终端需求总体不佳导致投机需求不敢大量入场和现货市场库存相对不高，而另一方面经历了去年的暴跌，生产厂家对于Flash产能的控制显得小心翼翼，而对旺季需求增温又有所期待。这些因素共同导致了今年年后Flash价格一直长时间维持在相对高位上。
我们预计在旺季到来之时，上游厂家暂时也没有低价抛货的急迫性，因此短期价格继续维持这种偏强区间盘整走势的机会较大，具体走势涨跌互现，但是短线总体偏强的机会较高，但也不会大幅上涨，维持偏强盘整的机会较大。
如果需求在第三季度内未能得到有效改善，中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,价格出现小幅下跌的机会还是偏大的。但目前的时段不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本也促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升可能帮助不如预期的那么好，因此预计未来需求的变化不会太大。近期的价格走强，更多地还是由于上游厂家减产或者控货导致的。目前来看价格上升的机会增加，但是变数依然较大，维持不宜大量投机的建议。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求大幅转好的机会不大。考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价在合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来将会维持相对平衡。长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大。
第三季度余下时段里，Flash的走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,我们认为中长线向下突破的机会偏大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。需要说明的是目前厂家仍看好后市，因此短期价格仍会反复。
但是未来两周以内总体价格很大可能将会维持强势，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场前期价格出现小幅反弹后，持续宽幅震荡，显示市场的投机气氛较为活跃。但是考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的走势仍然面临一定的压力，前期的反弹仍是短期供求关系波动造成的供求失衡形成的，并非供求关系发生了根本变化，缺货只是暂时现象，预计9月份就会彻底改观。
结论：
由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash继续维持“中性”或“中偏强”的研判。
对于短线MicroSD的价格我们依旧维持“中性”或“中偏强”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！
DDR3：
由于目前现货市场DDR3需求仅占极小的份额，因此DDR3颗粒价格在前一周价格出现小幅下滑，这与我预计现货市场的DDR3价格的偏强走势最多维持到8月中旬左右的研判一致。这与现货市场DDR3需求不大有直接关系，而其现货市场价格的反弹幅度明显小于合约市场，且OEM市场的价格上升对于现货市场的总体影响不大。
总体而言，年底前在现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第三季度现货市场的DDR3需求仍有限。
OEM市场需求正在逐步增加，OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大，但和现货市场的关系就不大。
考虑到现货市场DDR3的需求有限，不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。
上周市场情况汇总：
上周DDR2价格总体呈现偏强盘整走势，DRAM市场气氛维持“中性偏强”，投机气氛有所减弱。我们研判目前的市场的状况总体接近“健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格接近反弹顶部，反弹接近尾声。上周炒作指数下降到80水平（满分100分）场成交量下降到75分附近，目前市场接近供求平衡，也是今年以来最接近供求平衡的时间点。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现偏强的区间盘整走势，低阶颗粒价格走强，高阶颗粒价格偏强窄幅盘整。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”或“中偏强”的研判。
MicroSD价格继续维持偏强盘整走势，对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”研判。市场的关注度维持在80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格波动而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量上升到85分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”的机会偏大，风险评估维持“中偏高等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

下两周DRAM颗粒价格走势预测