上周回顾及下周分析预测

上周现货市场DDR2价格总体呈现缓步攀升态势，但是市场气氛仍维持审慎乐观，这或许就是价格能够持续上涨的原因之一。收盘时主要品牌2GB DDR2内存的成交价上升到180元附近盘整，金士顿则攀升到185元附近盘整；颗粒方面1Gb DDR2 800尾市价格升到1.56美金附近。DDR400价格表现为先升后软,但是上下幅度均不大。Hynix DDR400 512Mb则轻微回落到1.53美金附近，而白板颗粒价格就维持在1.45美金附近展开盘整。 上周Nand Flash颗粒价格总体继续呈现区间盘整走势,具体而言高阶颗粒价格呈现轻微偏软走势，低阶颗粒价格呈现轻微走强走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期的情况下，未来短期上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。 由于现货市场的库存水位较低，上游重新掌握定价的主导权。在上游减产锁货和下游投机炒作热烈的带动下，上周MicroSD产品总体呈现高位区间窄幅震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

上周存储器走势回顾(2009.08.24-2009.08.30)

上周现货市场DDR2价格总体呈现缓步攀升态势，但是市场气氛仍维持审慎乐观，这或许就是价格能够持续上涨的原因之一。收盘时主要品牌2GB DDR2内存的成交价上升到180元附近盘整，金士顿则攀升到185元附近盘整；颗粒方面1Gb DDR2 800尾市价格升到1.56美金附近。DDR400价格表现为先升后软,但是上下幅度均不大。Hynix DDR400 512Mb则轻微回落到1.53美金附近，而白板颗粒价格就维持在1.45美金附近展开盘整。
上周Nand Flash颗粒价格总体继续呈现区间盘整走势,具体而言高阶颗粒价格呈现轻微偏软走势，低阶颗粒价格呈现轻微走强走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期的情况下，未来短期上游生产厂家仍然掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。
由于现货市场的库存水位较低，上游重新掌握定价的主导权。在上游减产锁货和下游投机炒作热烈的带动下，上周MicroSD产品总体呈现高位区间窄幅震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来两周走势分析预测(2009.08.31-2009.09.13)

DDR400：

上周DDR400价格呈现轻微下跌走势,市场DDR400需求继续持续萎缩，投机买盘在DDR400上继续缩手,只是厂家短期仍然努力维持价格稳定在1.50美金附近。
上周尾市Hynix 512Mb DDR400颗粒的价格轻微至1.53美金附近,但是白板512Mb颗粒的价格在1.45美金附近。DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系。
由于从标准DRAM淘汰被出局的一些DRAM厂家，均转产以利基型的DDR400为主，据此我们维持以下的研判。512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间仍是危险区域，价格一旦跌破1.40美金就进入中度安全区域；而一旦跌至1.20美金附近或以下，价格就进入高度安全区域。
由于DDR400需求持续萎缩，未来短期DDR400价格走软的机会仍较大，但是跌速就会相对较慢。短期DDR400的价格下跌仍将会呈现缓跌和可控的状态，大幅下滑的机会并不大，短期跌破1.10美金的机会已经渺茫。

结论：

对于未来两周的DDR400的走势,我们继续维持 “中性”或“中偏软”的研判。目前风险级别处于中偏低，但仍不宜盲目加仓。
我们维持认为Hynix 512Mb DDR400 价格在1.20-1.40美金区间为中度安全区和1.20美金以下为高度安全区域的研判。
下周的操作建议是，由于周末的价格处于1.50美金附近区域，这个价位风险轻微偏高,建议维持正常合理库存即可。
目前不宜大量投机DDR400，因为它的大量销售已经有问题，难以快速套现；1.30美金附近或以下才是目前相对安全区域。

DDR2：

形势分析：

上周DDR2内存走势方面，金士顿2GB DDR2内存成交价格走势呈现缓步攀升态势，尾市价格稳定在185元以上。DDR2颗粒方面Hynix 1Gb DDR2 800价格同样出现缓步攀升走势，尾市价格稳定在1.56美金附近。需要说明的是上游控货直接导致了近两个月的DDR2走势是，并非实质需求增强所致。
现货市场多数商家对于后市持“中性”或“中偏多”看法，市场气氛总体呈现审慎乐观，但大陆市场商家操作上普遍仍相对谨慎，而外围市场的商家则较为乐观。我们维持市场的总体情况接近“健康”状态的研判。

目前中、上游厂家和商家多数均看好未来DDR2的走势，其主要论据是：
1） 目前的售价仍低于部分厂家的变动成本，DRAM厂家继续维持减产。
2） 部分厂家由于资金拮据而被迫变相减产。
3） 部分厂家将转产DDR3，导致DDR2产能减少。
4） 部分厂家（华亚等）将会在第四季度转换升级制程，导致产能下降。
5） 第三季度旺季余下时段的需求被看好。
我们维持长线来讲减产不能从根本上解决供大于求这一难题，归结到一句话，产能过剩的问题在DDR2为主流的时代不太可能彻底解决。年底前DDR2产品的价格不会出现供不应求的情况，但是将会逐步实现供求平衡；由于供求关系接近平衡，不排除个别时段由于上游控货出现供小于求的情况出现，目前的价格持续反弹情况就是因此导致的。
中短期而言，由于目前的颗粒价格已经高于或者接近厂家的变动成本价格（1.50-1.80美金区间），未来一段时间供应将会逐步增加。外围市场价格高于大陆市场价格，导致现货市场积累的DDR2库存继续得到消化，库存水位进一步下降。目前现货市场的库存多集中在上游厂商手里，而非中下游。考虑到目前大陆现货市场内存库存水位只有一周左右，外围市场颗粒库存水位也是一周多的现实，伴随着传统旺季的来临，短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高，短期价格运行区间仍有机会上移，但是空间相对就有限。
同时市场累计的风险正在逐步增加，主要有以下几个风险：
1） 现货市场的DDR3的需求大不如预期，DDR3的价格已经能够开始回调，如果其价格继续回跌将会对DDR2的价格构成压力，并导致厂家转产回来生产DDR2。
2） 从目前的情况来看，市场的旺季需求开始阶段似乎并不如预期的好。如果在8月底至9月中旬前这段时间的需求未能有效改善，不排除外围一些先知先觉的部分投机库存抢先套利抛货。
3） 大陆市场的库存仍然高达10天左右，一旦需求不好或者价格有迹象走软，将会导致市场补货需求短期全面停滞，并引起连锁反应。
基于以上现货市场基本面，短期我们维持DDR2价格走势已经超过区间震荡行情，进入了小反转行情，但是风险也开始加大。但是未来两周品牌内存2GB运行区间将会继续上移到170-200元；而金士顿的运行区间维持在180元-200元之间。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，并继续维持风险提示的预警提示，维持建议在8月底或者最迟9月中旬前逢高减磅逐步降低库存至合理库存水位！

结论：

未来两周：
首先我们认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高，最迟9月中旬前反弹将会结束或者说到达顶部。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（175元－200元）之间的区间内强势盘整的机会较大，一般而言不会跌破175元和涨过200元的。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们维持“中性”或“中偏强”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.50－1.70美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过1.70美金的机会不大。
由于KST 2GB已经涨到185元附近，接近反转的顶部区域，我们建议维持正常经营并逐步降低库存，风险已经开始明显加大。操作上8月底前、最迟9月中旬前以减仓为主并逐步降低库存至合理水位。
鉴于目前价格已经上升至厂家成本区附近，对于DDR2的长线走势我们维持“中性”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持区间盘整走势，涨跌互现。高阶颗粒价格维持轻微偏软窄幅区间盘整走势；低阶颗粒价格总体继续维持轻微小幅上扬态势，但是涨势已经明显趋缓。
一方面Flash市场终端需求总体不佳导致投机需求不敢大量入场和现货市场库存相对不高，而另一方面经历了去年的暴跌，生产厂家对于Flash产能的控制显得小心翼翼，而对旺季需求增温又有所期待。这些因素共同导致了今年年后Flash价格一直长时间维持在相对高位上震荡。
我们预计在9月底前，上游厂家暂时也没有低价抛货的急迫性，因此短期价格继续维持这种区间盘整走势的机会较大，具体走势就会涨跌互现，但是短线区间盘整的机会较高，不会大幅上涨和大幅下跌。
目前来看，需求在第三季度前两个月并未得到有效改善，中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,中线价格出现小幅下跌的机会还是偏大的。但短线不宜盲目看空，更不能盲目追高，正常经营即可。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本也促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升目前来看也不如预期的那么好，因此预计未来短线需求的变化不会太大。而前期的价格走强和走稳，更多地还是由于上游厂家减产或者控货导致的。
在全球市场环境不佳和没有诞生革命性的产品的情况下，短期需求没有大幅转好的可能性。考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价在合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来短线将会维持相对平衡。中长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，尤其是10月份开始。
第三季度余下时段里，Flash的走势将会越来越微妙，价格走向将面临方向选择,我们认为中长线向下突破的机会偏大，只是幅度就有待于观察。当然也不会出现类似去年的崩盘走势，但是一旦进入这个时候就相对要小心了。需要说明的是目前厂家仍看好后市，因此短期价格仍会反复。
但是未来两周以内总体价格很大可能将会维持区间盘整的机会较大，但是幅度就相对有限，并且走势也比较反复。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和现货市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场近期价格呈现区间震荡走势，显示上游控货态度坚决和市场的投机气氛较为活跃。但是考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，前期的价格出现区间盘整完全是上游减产和控货的结果，价格的趣闻或许只是暂时现象，并非供求关系发生了根本变化，预计9月底后就会彻底改观。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下两周的Nand Flash持“中性”研判。
对于短线MicroSD的价格我们持“中性”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！

DDR3：

由于目前现货市场DDR3需求仅占极小的份额，因此DDR3颗粒价格在前一周价格出现小幅下滑，这与我预计情况基本一致，与现货市场DDR3需求不大和厂家加大DDR3的产能有直接关系。
总体而言，年底前在现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第三季度结束前现货市场的DDR3需求仍有限。虽然OEM市场需求正在逐步增加，但是OEM市场需求对DDR3的价格变化影响较大，其价格的变化目前和现货市场的关系就不大。
考虑到现货市场DDR3的需求有限，不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格总体呈现偏强盘整走势，DRAM市场气氛维持“中性偏强”，投机气氛有所减弱。我们研判目前的市场的状况总体接近“健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格接近反弹顶部，反弹接近尾声。上周炒作指数继续维持在80水平（满分100分），而成交量也持平前一周75分附近，目前市场接近供求平衡，也是今年以来最接近供求平衡的时间点。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现区间盘整走势，低阶颗粒价格走强，高阶颗粒价格窄幅盘整。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”研判。
MicroSD价格继续维持区间盘整走势，对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”研判。市场的关注度维持在80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格波动而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量下降到75分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”的机会偏大，风险评估维持“中偏高等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

 
下两周DRAM颗粒价格走势预测