上周回顾及下周走势分析

尽管需求疲软,在上游厂家持续减产和上游厂商强力拉升下,上周末现货市场借助利好消息的刺激,DDR2价格一举突破9月上旬的整理平台。收盘时主要品牌2GB DDR2内存的成交价维持上升到205附近展开盘整，其中金士顿在212元附近盘整；颗粒价格升幅相对明显1Gb DDR2 800尾市成交价格在1.77美金到1.80美金附近盘整。大陆现货市场的气氛继续维持较为审慎的乐观态度，这也许就是价格能够持续盘坚的另外一个原因。 DDR400价格表现相对稳定的盘整走势,Hynix DDR400 512Mb则维持在1.56美金附近，而白板颗粒价格就维持在1.51美金附近展开盘整。

上周存储器走势回顾(2009.09.14-2009.09.20)

尽管需求疲软,在上游厂家持续减产和上游厂商强力拉升下,上周末现货市场借助利好消息的刺激,DDR2价格一举突破9月上旬的整理平台。收盘时主要品牌2GB DDR2内存的成交价维持上升到205附近展开盘整，其中金士顿在212元附近盘整；颗粒价格升幅相对明显1Gb DDR2 800尾市成交价格在1.77美金到1.80美金附近盘整。大陆现货市场的气氛继续维持较为审慎的乐观态度，这也许就是价格能够持续盘坚的另外一个原因。
DDR400价格表现相对稳定的盘整走势,Hynix DDR400 512Mb则维持在1.56美金附近，而白板颗粒价格就维持在1.51美金附近展开盘整。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现盘坚走势。在现货市场的库存有限和旺季需求增温预期,尤其是对苹果在现货市场扫货消息的发酵下，短期上游生产厂家仍然牢牢掌握着“话语权”，直到第三季度旺季结束。由于现货市场的Flash颗粒库存水位较低，上游借助减产重新掌握定价的主导权，上周价格继续维持全线稳中偏坚的走势。
在上游减产锁货和下游投机炒作热烈的带动下，尽管需求一直不佳，但是上周MicroSD产品总体继续呈现高位区间窄幅震荡走势。由于大陆市场仍然是全球手机的重要生产基地，因此也是全球T卡销售的最大市场，大陆现货市场的好坏，长线而言仍然继续主导MicroSD卡的价格走势。

未来四周存储器价格走势分析预测(2009.09.21-2009.10.18)

DDR400：

上周DDR400价格呈现稳定盘整走势,市场DDR400需求继续萎缩，投机买盘在DDR400上继续缩手,只是厂家仍然努力维持价格在1.55美金附近而已。
尾市Hynix和SEC 512Mb DDR400颗粒的价格维持在1.53-1.57美金之间；白板512Mb颗粒的价格在1.50美金附近。DDR400内存的价格继续维持与颗粒价格的基本保持联动关系。
由于从标准DRAM淘汰被出局的一些DRAM厂家，均转产以生产利基型的DDR400为主，据此我们维持以下的研判：
（1）512Mb DDR400的价格在1.50美金以上区间仍是危险区域，
（2）价格一旦跌破1.40美金就进入中度安全区域；
（3）而一旦跌至1.20美金附近或以下，价格就进入高度安全区域。
由于DDR400需求持续萎缩，未来中期DDR400价格走软的机会较大，但是跌速就会相对较慢。由于DDR2价格再次走强，短期DDR400的价格下跌的可能性不大，即使下跌也将会呈现缓跌和可控的局面，大幅下滑的机会没有，中期跌破1.20美金的机会渺茫。
结论：
对于未来四周的DDR400的走势,我们继续维持 “中性”或“中偏软”的研判。目前风险级别处于中等，建议不宜盲目加仓，合理库存即可。
我们维持认为Hynix 512Mb DDR400 价格在1.20-1.40美金区间为中度安全区和1.20美金以下为高度安全区域的研判。
未来四周的操作建议是，维持正常合理库存,正常经营即可。

DDR2：

形势分析：
上周在南亚有关DDR2在10月底前将持续缺货和合约价格再次上扬10%的利好言论影响下，DDR2产品的价格再次全面上扬，并一举突破此前半个多月的整理平台。
内存走势方面，金士顿2GB DDR2内存成交价格重新上升到并突破207元这个前期最高点,尾市站上210元以上价位展开盘整； DDR2颗粒方面Hynix 1Gb DDR2 800价格一举突破前期的最高点1.75美金，尾市站在1.80美金附近，但是成交量就不大。
需要说明的是上游减产、变相减产和控货直接导致了近两个月的DDR2走势是，并非实质需求增强所致。
目前现货市场多数商家对于后市持“中性”或“中偏多”看法，市场气氛总体呈现审慎乐观。只是大陆市场商家操作上普遍相对谨慎，但外围市场的商家却较为乐观，并一致认为向上调整至2.00美金区间才是这波上涨最后的目标价格。我们维持市场的总体情况接近“健康”状态的研判。
我们维持长线来讲减产不能从根本上解决供大于求这一难题，产能过剩的问题在DDR2为主流的时代不太可能彻底解决。年底前DDR2产品的价格不会出现真正意义上的供不应求情况，但是将会逐步实现供求平衡；由于供求关系接近平衡，不排除个别时段由于上游控货出现供小于求的情况出现，目前的价格持续反弹情况就是因此导致的。DDR3时代由于台系厂商资金匮乏将会多数厂商将会退出主流DDR3市场,那时产能问题过剩问题将会彻底解决。
中短期而言，由于目前的颗粒价格已经高于所有厂家的变动成本价格（1.50-1.80美金区间），外围市场的囤积库存将会开始释放，因此未来一个月以内的时间里供应将会逐步增加。但是短期供求关系继续维持动态平衡的可能性较高，由于长假期和国庆等原因，短期（这里指四周以内）价格运行区间仍有机会上移，但是空间就相对有限。
基于以上现货市场基本面，短期我们维持DDR2价格的中期风险继续加大，但短期价格仍有可能上扬但是已经接近反弹的顶部区间。未来两周品牌内存2GB运行区间将会继续上移并维持在195-230元之间的区间；而金士顿的运行区间维持在200元-230元之间。
同时我们维持目前的价格继续上扬的空间有限的研判，并将风险提示的预警级别提升至“高”，考虑到国庆和中秋长假期、下旬合约价出台和支持DDR3相关产品价格将在11月份调价等原因，我们将逢高减磅逐步降低库存至合理库存水位的最后时间再次推迟到10月18日前。

结论：

未来四周：
首先我们认为DDR2的反弹已经接近尾声，目前价位不宜盲目追高，我们将反弹结束或者说到达顶部的时间向后推迟到10月18日前后。
模组方面：短期维持“中性”或“中偏强”的研判，DDR2 2GB内存价格将维持（200元－230元）之间的区间内强势盘整的机会较大，一般而言不会跌破200元和涨过230元。
颗粒方面：对于下两周的颗粒价格走势，我们维持“中性”或“中偏强”研判。预计1Gb DDR2 800颗粒价格将会维持在1.75－2.00美金之间区间盘整的机会较大，短期1Gb DDR2的价格暂时涨过2.00美金的机会不大。
由于KST 2GB已经涨到210元以上，接近反转的顶部区域，我们建议维持正常经营并逐步降低库存。目前的风险已经开始明显加大，操作上在10月18日前后减仓至合理水位。
鉴于目前价格已经上升至厂家成本区附近，对于DDR2的长线走势我们维持“中性”研判。

Nand Flash：

上周的Nand Flash价格总体维持盘坚走势。其中主流颗粒价格呈现稳定盘整走势，低阶颗粒价格相对轻微走强。这主要是市场对于苹果扫货和其10月份 Flash的采购案可能对价格产生正面影响的一种反映，而我们研判这种效应在9月底前不会结束。
目前Flash市场终端需求总体一般导致投机需求不敢大量入场和现货市场库存相对不高；另一方面经历了去年的暴跌，生产厂家对于Flash产能的控制显得小心翼翼，减产、部分产能转产DDR3及对旺季需求增温又有所期待等这些因素共同导致了今年年后Flash价格一直长时间维持在相对高位上震荡。目前的价格坚挺主要由于厂商对于旺季需求的期待和前期减产导致的，也并非需求因素导致的。
我们预计在9月底前，上游厂家暂时没有低价抛货的急迫性，因此短期价格继续维持这种区间盘整或者轻微上扬走势的机会较大，不会大幅上涨和大幅下跌。
虽然中线Nand Flash的价格将可能会继续向下寻求支撑,中线价格出现小幅下跌的机会还是偏大的，但短线（10月中旬前）不宜盲目看空，也不宜盲目追高，正常经营即可。
由于目前的售价已经高于厂家的变动成本也促使部分厂家已经开始扩充产能和提升制程。我们认为在目前需求一般的情况下，未来影响价格走势的关键可能更多地还是由上游Flash厂家的产能大小来决定，而传统旺季对于Flash需求的总体提升目前来看也不如预期的那么好，因此预计未来短线需求的变化不会太大。而目前的价格走强和走稳，更多地还是由于上游厂家减产或者控货导致的。但10月份应对苹果新产品的实际需求到底如何将会是左右中线价格走向的关键因素之一！
在全球市场环境不佳和没有革命性的产品诞生的情况下，短期需求没有大幅转好的可能性。考虑到全部Nand Flash厂家对于维持售价在合理水平已经达成共识，Nand Flash产品的供求关系未来短线将会维持相对平衡。中长线而言，由于Flash的颗粒价格已经高于变动成本区之上，价格继续上扬的机会和空间未来都不大，风险则日益加大，尤其是10月中旬以后的时间段。
尽管现货市场MicroSD需求不佳，但受到上游控货和现货市场库存水位下降等因素的影响，MicroSD市场近期价格继续呈现区间震荡走势，显示上游控货态度坚决和市场的投机气氛较为活跃，但是需求不佳。考虑到山寨手机需求的下降，我们维持未来MicroSD的中线走势仍然面临一定的压力，前期的价格出现区间盘整完全是上游减产和控货的结果，价格的趋稳或许只是暂时现象，并非供求关系发生了根本变化，预计10月份开始就会彻底改观。

结论：

由于短期需求仍难以大幅转好，我们对下未来三周的Nand Flash持“中性”研判。对于MicroSD的价格我们持“中性”的研判。
建议：由于Flash价格仍处于反转后的高位危险区域，维持正常库存的情况下，正常经营即可！10月份中旬后应该注意规避风险！

DDR3：

尽管OEM市场对于DDR3的需求强劲，但目前现货市场DDR3需求仅占极小的份额，上周DDR3颗粒价格总体继续维持窄幅区间盘整走势。现货市场DDR3需求不大和厂家逐步加大DDR3的产能将会增加其价格在10月中旬以后出现下滑的机会，而价格的下跌将会导致DDR3和DDR2的价格形成换代交叉，并正式启动DDR3的普及征途。
总体而言，年底前在现货市场DDR3需求前仍是处于启动阶段，研判第四季度现货市场DDR3需求将会正式起步。但是短期OEM市场需求如何仍是决定其价格走向的主导力量，对DDR3的价格变化影响较大，DDR3价格的变化目前暂时和现货市场的关系就不大。值得注意的是DDR3的产能正在逐步加大，未来的压力将会在10月份开始慢慢显现，11月份将会明显显示出现，而那时DDR3也将在现货市场开始其普及之旅。
另外，Intel将会在11月开始下调支持DDR3的CPU和主板芯片的价格，英特尔的这一行动将会正式在现货市场吹响DDR3普及号角。
考虑到现货市场DDR3的需求有限，目前不建议囤积较多的DDR3库存，因为难以销售。

结论：

10月中旬开始，DDR3将会在现货市场开始启动其成为主流的征途，到时价格将会下跌。

上周市场情况汇总：

上周DDR2价格前面多半时间保持平稳，但尾市出现小幅拉升走势。DRAM市场气氛维持“中性偏强”，投机气氛属于中等。我们研判目前的市场的状况总体接近“健康”状态。
目前现货市场的DDR2价格接近反弹顶部，反弹接近尾声。上周炒作指数维持在75水平（满分100分），而成交量也维持在70分附近，并未随价格的拉升而明显放大，目前市场接近供求平衡，也是今年以来最接近供求平衡的时间点，10月15日前DDR2的价格总体风险不大。
上周Nand Flash颗粒价格总体呈现稳定盘整，其中低阶颗粒价格出现轻微走强。我们对于未来两周的价格走势维持“中性”研判。
MicroSD价格继续维持高位区间盘整走势，对于MicroSD和SD价格走势，我们继续维持“中性”研判。市场的关注度维持在80分水平，投机活动在MicroSD市场有所活跃。MicroSD市场的气氛受到近期的价格波动而有所活跃，但是总体需求没有根本改善，成交量维持在75分水准附近，预判未来两周里的价格维持“中性”的机会偏大，风险评估维持“中偏高等”。

 
下两周内存价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间RMB	预测走势
主要品牌	2GB DDR2 800 8C	200-230	中性或轻微偏强区间震荡
Hynix兼容条	1GB DDR400 8C	165-180	区间盘整或轻微走软走势

下两周DRAM颗粒价格走势预测
 

品 牌	型 号	价格区间	预测走势
Hynix、eTT	1Gb DDR2 800	USD1.75-2.00	中性或轻微偏强区间震荡
Hynix	512Mb DDR400	USD1.45-1.60	区间盘整或轻微走软走势